【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理することが可能で、スル−プットの向上が可能で、しかも、コンパクト化と省エネルギ−化が可能な加熱・冷却装置
【解決手段】互いに非連通の複数の基板収容室２３、３５と、これら複数の基板収容室に加熱ガス又は冷却ガスを導入する加熱冷却制御手段５０とを備え、加熱冷却制御手段は、複数の基板収容室の各々を個別に温度制御可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＬ材料の利用効率を高め、且つ、ＥＬ層成膜の均一性やスループ
ットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形
状の蒸着源ホルダ１７に設け、基板１３に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うこ
とを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにし
たまま移動させてもよい。また、ＴＦＴ作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、
蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第１方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第１方向と垂直な第２方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第１方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第１方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を向上させ、冷却処理を高速化できる冷却装置を提供する。他の課題は、加熱効率を向上させ、加熱処理を高速化できる加熱装置を提供する。
【解決手段】冷却装置は、チャンバ２１１と、基板１を保持するための基板キャリア２であって、チャンバの搬入口からチャンバ内部の停止位置に搬入されて、さらに前記チャンバの搬出口から搬出される基板キャリア２と、チャンバ内の停止位置に搬入された基板キャリア２の両側に配置された第１冷却板３ａ、及び第２冷却板３ｂと、第１冷却板３ａ又は第２冷却板３ｂのうち少なくとも一つに設けられ、基板にガスを放出するガス放出口４と、ガス放出口４にガスを供給するガス供給手段と、基板キャリア２に近接して第１冷却板及び第２冷却板を移動する移動手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】蒸気発生部で発生させた成膜材料の蒸気を温度低下させること無く蒸着ヘッドに送ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着により被処理体Ｇを成膜処理する蒸着装置１３であって、被処理体Ｇを成膜処理する処理室３０と、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室３１とを隣接させて配置し、処理室３０の内部と蒸気発生室３１の内部を減圧させる排気機構３６，４１と、処理室３０の内部に成膜材料の蒸気を供給する蒸着ユニット５５〜６０とを設け、蒸着ユニット５５〜６０は、処理室３０の内部に向けて成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口８０と、蒸気発生室３１に、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部７０〜７２と、成膜材料の蒸気の供給を制御する制御弁７５〜７７と、蒸気発生部７０〜７２で発生させた成膜材料の蒸気を、処理室３０と蒸気発生室３１の外部に出さずに、蒸気噴出口８０に供給させる流路８１〜８３、８５とを備える。 （もっと読む）

【課題】大面積の成膜対象物に対して膜厚及び膜質が均一の膜を形成することができる蒸着技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置３０は、ホスト材料用蒸発源８ｈ及びドーパント材料用蒸発源８ｄにそれぞれ接続されたリニア蒸気放出器１０を備える。リニア蒸気放出器１０は、蒸発材料の蒸気の導入側から放出側に向って段階的に区分けされた第１〜第３の拡散室１１〜３１をそれぞれ有するとともに、第１〜第３の拡散室１１〜３１は、互いに隣接する拡散室が蒸発材料の蒸気が通過可能な第１〜第３連通口１２〜３２を介して接続されている。第３の拡散室３１は、第４連通口４２を介してそれぞれ蒸気混合室４１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空中において特に２次元的に重量物を搬送させるのに適した重量物搬送アシスト機構及び重量物搬送アシスト方法を提供し、また、それらを適用した成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】重量物を一次元的又は２次元的に搬送させるメイン軸を有し、前記メイン軸の負荷を低減する重量物搬送アシストする際に、前記搬送は一端を前記真空チャンバの壁に回転可能に固定され、他端に回転可能に設けられた前記重量物を有するリンクを有するリンク部を介して行われ、前記重量物を駆動するメイン軸の負荷を低減するようにアシスト軸によって前記一端にトルクを付与することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がセレンを含有する場合、基板裏面へのセレンの回り込み、更にはセレンの付着を抑制した成膜装置、およびこの成膜装置により成膜された光電変換層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、成膜チャンバ内に基材を搬送する搬送手段と、成膜チャンバ内を所定の真空度にする真空排気手段と、搬送される基材に光電変換層を形成する真空成膜手段と、基板において光電変換層が形成される側の面における搬送方向と直交する幅方向の両端に、前記搬送方向に沿って設けられた、温度調節機能を備えたマスクとを有する。搬送手段により基材が搬送されて真空成膜手段により基材に前記光電変換層が形成される。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット３０が配置された搬送チャンバ２０と、搬送チャンバ２０の周囲にスリットバルブ７０を介して接続されたプロセスチャンバ１０と、を備える。プロセスチャンバ１０は、載置台１１を備え、載置台１１からリフトピン１２に基板Ｗを移載することで搬送ロボット３０への基板Ｗの受け渡しが可能になっている。リフトピン１２を制御する移載制御部１３は、搬送ロボット３０が該当プロセスチャンバ１０への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン１２へ基板Ｗを移載させる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】大型基板の量産工程に容易に適用でき、歩留まりが向上した薄膜蒸着装置及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着用基板を静電チャックで固定させるローディング部と、チャンバと、チャンバの内部に配され、かつ静電チャックに固定された基板５００に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリー１００を備える蒸着部と、静電チャックから蒸着が完了した基板を分離させるアンローディング部と、基板が固定された静電チャックをローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第１循環部６１０と、を備え、第１循環部は、互いに平行に形成された２対の第１ガイドレール６１３及び第２ガイドレール６１７と、第１ガイドレールに結合する一つ以上の第１ガイドブロック６１５と、第２ガイドレールに結合する一つ以上の第２ガイドブロック６１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 （もっと読む）

【課題】コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。コリメーターの移動には試料搬送に用いる搬送機器を利用する。コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。またシャッター板の設置も可能である。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜室内の部品に付着した蒸着材料を大気解放することなく除去するためのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１０１内に設けられた基板ホルダ１０２、蒸着マスク１０４、マスクホルダ１０５もしくは防着シールド１０６といった部品に付着した蒸着材料１１１に対して加熱処理を行う。これにより付着した蒸着材料１１１を再び昇華させ、真空ポンプにより排気して除去する。このようなクリーニング方法を電気光学装置の作製工程に含めることで、作製工程の短縮化と信頼性の高い電気光学装置の実現を図る。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）