【課題】炭窒酸化チタンコーティングが施された切削インサートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】コーティングされた切削インサートの製造方法、およびコーティングされた切削インサートは、表面を有する基材を提供するステップと、炭窒酸化チタンのＣＶＤコーティング層を被覆するステップとを含む。炭窒酸化チタンコーティング層を被覆するためのガス状混合物は、窒素、メタン、塩化水素、四塩化チタン、アセトニトリル、一酸化炭素および水素の組成物を有する。炭窒酸化チタンコーティング層は、２次元平面図で測定すると、平均長が約１．０μｍより大きく、平均幅が約０．２μｍより大きく、平均アスペクト比が約２．０より大きい炭窒酸化チタンウィスカを含む。 （もっと読む）

【課題】得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に基板を加熱すること、を含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼等の難削材の高速断続切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）３〜２０μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層からなる下部層、（ｂ）１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層からなる中間層、（ｃ）５〜１６μｍの平均層厚の縦長成長結晶組織をもつ改質Ｔｉ炭窒化物層からなる上部層、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の硬質被覆層が化学蒸着により形成された表面被覆切削工具において、（ｄ）上部層を構成する改質Ｔｉ炭窒化物層は、層厚方向に沿って０．５〜４．０μｍの間隔をおいて、酸素含有量のピークが現れ、該ピーク位置における酸素含有量Ｏ_ＭＡＸは、Ｏ_ＭＡＸ＝３〜８原子％であり、しかも、該ピーク位置におけるＺｒ含有量は、０．８〜１．５原子％である酸素、Ｚｒ濃化領域を少なくとも１つ備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０とウエハＷとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド９５を設けると共に、プラズマ発生部８０において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ８３の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット９７を当該アンテナ８３に沿って前記ファラデーシールド９５に形成して、各々のスリット９７の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ８３の長さ方向に沿うように導電路９７ａ、９７ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】オートドープを抑制して、均一な抵抗分布を有するシリコンエピタキシャルウェーハを効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が０．５ｍΩ・ｃｍ以上２０．０ｍΩ・ｃｍ以下で、ボロンがドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を５μｍ／分以上１５μｍ／分以下として、抵抗率が０．５Ω・ｃｍ以上２０００Ω・ｃｍ以下である前記エピタキシャル層を成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１上に単結晶炭化シリコン膜１４を形成する単結晶炭化シリコン膜１４の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に炭化シリコン膜１２を形成する第１の工程と、炭化シリコン膜１２の表面にマスク材１３を形成する第２の工程と、マスク材１３に開口部１３ｈを形成し、炭化シリコン膜１２の一部を露出させる第３の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板１１を加熱し、炭化シリコン膜１２を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜１２及びマスク材１３を覆う単結晶炭化シリコン膜１４を形成する第４の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、５．０×１０^−４Ｐａ以上かつ０．５Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＮ製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面２がＰＢＮからなる本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面をＰＢＮオーバーコート３で被覆して、ＰＢＮオーバーコート製品４が製造される。ＰＢＮオーバーコートの膜厚を７００μｍ以下とすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。黒鉛はＰＢＮの物性に悪影響を与えないので、これを用いて形成されるトレーサビリティ表示が本体ＰＢＮ表面とＰＢＮオーバーコートとの間に介在しても、ＰＢＮ製品本来の機能や耐久性を損なわない。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、該試料設置部３において作製された固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、反応室と接続され、排気ガスの流量を制御するバルブと、バルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出するポンプと、反応室の圧力である第１の圧力を検出する第１の圧力計と、バルブとポンプ間の圧力である第２の圧力を検出する第２の圧力計と、第１の圧力に基づき、バルブを制御する第１の圧力制御部と、第１の圧力と前記第２の圧力に基づき、ポンプの稼働量を制御する第２の圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第１の開口が形成された外部チャンバと、第１の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第２の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜の表面に形成される導電膜の基板面内における厚さばらつきを低減して、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能であり、かつ導電膜の成長速度を向上させて、半導体装置の生産性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、金属酸化膜を含む誘電体膜５を形成する工程と、誘電体膜５において、表面５ａに非晶質の金属酸化膜が露出した状態で、誘電体膜５の表面５ａに導電膜６を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスを用いることなしに液体原料ガスの蒸気である原料ガスのみを高精度で流量制御しつつプロセスチャンバへ安定供給可能な構造の簡素化及び小型化を図った原料ガス供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料ガスを貯留するソースタンク５の温度を設定値に保持すると共に、ソースタンクの内部上方空間部から導出した液体原料ガスの蒸気である原料ガスＧ１のプロセスチャンバ１１への供給圧力を自動圧力調整装置６によって制御し、自動圧力調整装置の二次側ガス流通路内の原料ガス圧を所望の設定圧に保持しつつ原料ガスＧ１を絞り部を介してプロセスチャンバへ供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】実用性の高い大気圧プラズマ処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】大気圧下でプラズマ処理を行うシステムにおいて、(a)一列に並んで配置された複数のチャンバー３４と、(b)隣り合う２つのチャンバーを連通する１以上の連通路４２，４４と、(c)連通路を介しつつ、チャンバー内を通って基板５４を搬送する搬送装置５０と、(d)各チャンバー内で大気圧下においてプラズマを発生可能な複数のプラズマヘッド３８と、(e)各連通路を遮るようにガスを吹出し、その吹出されたガスの流れによって隣り合うチャンバー間を仕切る１以上の仕切装置６２，６４とを備え、搬送装置によって搬送される被処理物に複数のチャンバー内で順次プラズマ処理を施すように構成する。このような構成により、複数のプラズマ処理に要する時間を短縮するとともに、吹出されるガスの流れによって、各チャンバーで使用される反応ガスの混合を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）