【課題】ＰＧコート製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】ＰＢＮなどで本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面を膜厚１００μｍ以下のＰＧ膜３で被覆して、ＰＧコート製品４が製造される。ＰＧ膜厚を１００μｍとすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。 （もっと読む）

【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】耐密着性に優れ、耐欠損性に優れた表面被覆部材を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、ＴｉＣＮ層４と、Ｔｉ、Ａｌ、炭素および酸素を含み、平均膜厚が５〜３０ｎｍで途切れることなく存在する中間層５と、α型Ａｌ_２Ｏ_３層９とが順に被着形成された積層体を有する被覆層３を備え、ＴｉＣＮの（２００）面に帰属される回折ピークが現れる２θの値θ_ｔとＪＣＰＤＳカードのθ_ｔ０との差△θ_ｔ（＝θ_ｔ−θ_ｔ０）と、Ａｌ_２Ｏ_３のα型結晶構造の回折ピークが現れる各結晶面の２θの値θ_{ａ（ｈｋｌ）}とＪＣＰＤＳカードのθ_{ａ０（ｈｋｌ）}との差△θ_{ａ（ｈｋｌ）}（＝θ_{ａ（ｈｋｌ）}−θ_{ａ０（ｈｋｌ）}）と、の差△θ_ｚ（ｈｋｌ）（＝△θ_ｔ−△θ_{ａ（ｈｋｌ）}）がいずれも−０．２°〜０．２°の表面被覆部材１である。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、固体材料の残量を簡便に精度よく検知することができること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の昇華・供給が可能な固体材料に溶剤を添加してペースト状に加工し、該溶剤を蒸発除去させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、試料設置部３から供出される固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板１１に開口部１１ａを形成し、この開口部１１ａ内に筐体９０を配置する。そして、この筐体９０の内部に、回転テーブル２上のウエハＷに近接するようにプラズマ発生部８０を収納する。また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。
【解決手段】石英で構成された反応管内に基板が搬入されてない状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にチタン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して前記反応管の内壁に窒化チタン膜をプリコートする工程と、前記プリコート後の前記反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に基板が搬入された状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にタングステン含有ガスを供給して前記基板上にタングステン含有膜を形成する工程と、前記タングステン含有膜を形成した基板を、前記反応管内から搬出する工程と、を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と中間層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層からなり、（ｂ）中間層は、κ型結晶構造のＡｌ_２Ｏ_３層にＺｒを０．００４〜０．１２％（ただし、全体組成に対するＺｒの割合を原子％で示す）含むＺｒ含有κ型Ａｌ_２Ｏ_３層（下部中間層）と、該下部中間層の表面に部分的に形成されたＺｒＯ_２薄層（上部中間層）からなり、（ｃ）上部層は、その垂直断面を観察した場合、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相と上記ＺｒＯ_２薄層上に形成されたα型Ａｌ_２Ｏ_３相のα−κ混合組織を有し、さらに、その表面研磨面を観察した場合、α型Ａｌ_２Ｏ_３相の周囲をκ型Ａｌ_２Ｏ_３相が囲繞するα−κ網目状混合組織を有するＡｌ_２Ｏ_３層からなる。 （もっと読む）

【課題】金属塩化物ガス濃度の安定性の向上と金属塩化物ガスの濃度変化の応答性の向上が図れる金属塩化物ガスの発生装置を提供する。
【解決手段】金属原料Ｍを収容する原料容器１と、原料容器１内に塩素系ガスを含む塩素系含有ガスＧ１を供給する、原料容器１に設けられたガス供給口２と、塩素系含有ガスＧ１に含まれる塩素系ガスと金属原料Ｍとの反応により生成される金属塩化物ガスを含む金属塩化物含有ガスＧ２を原料容器１外に排出する、原料容器１に設けられたガス排出口２と、原料容器１内の金属原料Ｍの上方の空間Ｓを仕切って、ガス供給口２からガス排出口３へと続くガス流路Ｐを形成する仕切板６とを備え、ガス流路Ｐは、ガス供給口２からガス排出口３へと至る一通りの経路Ｒとなるように形成され、ガス流路Ｐの水平方向の流路幅Ｗが５ｃｍ以下であり、且つガス流路Ｐには屈曲部Ｅを有する金属塩化物ガスの発生装置である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】アウトヒータのヒータエレメントの円周方向への変形に、ヒータ電極部が追従し、ヒータエレメントやヒータ電極部の破損、周辺部材への接触を防ぐことが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ支持部材15を所定の温度に加熱するための、一か所に間隙を有する環状のヒータエレメント19aと、このヒータエレメント19aの各端部に設けられる第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とを有するヒータ18、19と、第１のヒータ電極部と第２のヒータ電極部とそれぞれ接続される第１の電極部品と第２の電極部品と、第１の電極部品が固定される第１の溝と、第２の電極部品が配置され、ヒータエレメント19aの円周方向において、第１の電極部品と第１の溝との第１の遊びより、第２の電極部品との第２の遊びが大きくなるように設けられる第２の溝とを有するベース28と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガスの拡散を妨げることなく処理空間の容積を小さくすることができ、排気コンダクタンスの設定が容易な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容し、基板Ｗの成膜処理が行われる処理容器１と、処理容器１内で基板を載置する載置台２と、処理容器１内に形成された、基板Ｗに成膜処理を行う処理空間Ｓと、処理空間Ｓに、少なくとも第１の処理ガスと、第２の処理ガスと、パージガスとを供給するガス供給部２０と、処理空間Ｓを排気する排気部７１，３０，３１，３２と
を具備し、第１の処理ガスと第２の処理ガスとをパージガスによる処理空間Ｓのパージを挟んで交互に供給して所定の膜を成膜する成膜装置であって、ガス供給部２０は処理空間Ｓの外周からガスを供給し、ガス排気部は処理空間Ｓの中央上部から上方へ排気する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】２種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、前記処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、前記処理室内に基板を収容する工程と、少なくとも１種の原料を２つの異なる流量を有する複数の連続的パルスで前記処理室内に供給する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを抑制でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を４００℃以上８００℃以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のＳｉ濃度を安定に制御することができる、第１３族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層を成長させる際の高温状態で基板の載置位置の偏心量を高精度に簡便に評価でき、コストの増加を抑制できる偏心量の評価方法、及びこの評価方法で評価した偏心量に応じて基板の載置位置を補正することによって、膜厚均一性を向上できるエピタキシャルウェーハを製造することを目的とする。
【解決手段】基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造における、サセプタに載置する前記基板の載置位置の偏心量の評価方法であって、基板を室温で複数の貫通孔を有するサセプタ上の載置位置に載置する工程と、エピタキシャル層を成長させる温度でエッチングガスを導入することによりサセプタ上に載置した基板の裏面にサセプタ貫通孔パターンを転写する工程と、基板の裏面に転写したサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して、基板の載置位置の偏心量を評価する工程とを有することを特徴とする偏心量の評価方法。 （もっと読む）