【課題】 流体圧作動弁の動作遅延や動作不良を防ぎ、応答速度を均一化させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室内への処理ガスの供給を制御するガス供給ユニットを備える基板処理装置であって、ガス供給ユニットは、上流側が処理ガスの供給源に接続され、下流側が処理室内へ連通するガス導入配管に接続されるガス供給流路と、ガス供給流路上に設けられ、流体配管を介した流体の供給により開閉が制御される流体圧作動弁と、制御信号を受信する信号受信部及び流体配管内に流体を供給する流体出力部を有し、信号受信部が受信した制御信号に基づいて流体配管を介した流体圧作動弁への流体の供給を制御する電磁弁と、少なくともガス供給流路及び流体圧作動弁の外部を気密に囲う気密筐体と、を備え、電磁弁は気密筐体に直接固定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができるＭＯＣＶＤ用気化器及び原料溶液の気化方法を提供すること。
【解決手段】(1)ガス通路に加圧されたキャリアガス３を導入するためのガス導入口４と、ガス通路に原料溶液5aを供給する手段と、原料溶液含有キャリアガスを気化部22に送るためのガス出口７と、を有する分散部８と、(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口７に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部８から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、(3)分散部８は、円筒状中空部を有する分散部本体１と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入されている。 （もっと読む）

【課題】 所定処理に必要となる原料ガス供給用のガス系統が増加しても、少ない部品点数で確実に原料ガスを安定して供給できる低コストのガス供給システムを提供する。
【解決手段】 第１のガスライン１ａと第２のガスライン１ｂとを有する。また、原料が夫々収納される複数の容器２０と、各容器にプッシングガスを供給するプッシングガスライン３から分岐された、流量制御を行う流量制御手段を有するプッシングガス分岐ラインと、プッシングガスの容器内への導入により容器内からの原料ガスを導く原料ガスラインと、第１のガスラインと第２のガスラインとの間で原料ガスの導入を切換える切換手段８０とを備える。各原料ガスラインを２本に分岐し、分岐した原料ガス分岐ラインに前記切換手段を夫々介設し、各切換手段の二次側を集合ガスラインに合流させて、集合ガスラインと第１及び第２の両ガスラインとの間に、一次圧を制御し得るレギュレータを夫々介設する。 （もっと読む）

【課題】安価な原料ガスを用いることにより、ＤＬＣの成膜コストを下げることができるＤＬＣ成膜方法およびＤＬＣ成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理室３の内部にはサバティエ反応室２０が収容されている。サバティエ反応室２０には触媒が収容されている。反応部２２内に二酸化炭素ガスおよび水素ガスが充填され、かつ反応部２２内の温度が高温であるとき、反応部２２では、サバティエ反応が実行され、メタンガスおよび水蒸気が生成される。サバティエ反応室２０で生成されたメタンガスが処理室３内に供給され、ＤＬＣの成膜のための原料ガスとして用いられる。 （もっと読む）

【課題】気相中で固体前駆体化合物を反応器に供給するための供給装置が提供される。
【解決手段】当該装置は、出口室と、固体前駆体化合物および固体前駆体化合物上に配置された充填材料の層を含む前駆体組成物を含む入口室とを含む、固体前駆体化合物用の気相供給装置である。かかる装置は、その上に充填材料の層を有する固体前駆体化合物の前駆体組成物を含む。ＣＶＤ反応器内への供給のために前駆体化合物によって飽和されたキャリアガスを移送するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程（窒化工程）とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給した原料ガスの分圧を短時間で上昇させ、薄膜の成膜速度を高める。
【解決手段】 処理室に接続されるガス供給管に設けられた第１のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、第１のガス溜め部よりも下流側のガス供給管に設けられた第２のガス溜め部内に原料ガスを充填する工程と、第１のガス溜め部と第２のガス溜め部との間のガス供給管に設けられた開閉弁、及び第２のガス溜め部と処理室との間のガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、第１のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、第２のガス溜め部内に充填された原料ガスを処理室内に圧送する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの誘電体膜において、リーク特性改善のためのＡｌドープ層を設けても、誘電体膜がＡｌドープ層で分断されず、サイズ効果の影響を抑え、結晶性の良好な誘電体膜を提供する。
【解決手段】誘電体膜中に少なくとも１層のＡｌドープ層を有し、Ａｌドープ層の１層におけるＡｌ原子の面密度を１．４Ｅ＋１４［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］未満とする。また、その面密度を達成するため、通常のＡＬＤによる誘電体膜成膜と、Ａｌソースの吸着サイトを制限するブロッカー分子の吸着を行った後、Ａｌソースを吸着させ、反応ガスを導入して反応させる吸着サイト・ブロッキングＡＬＤ法によるＡｌ添加の組み合わせを採用する。 （もっと読む）

【課題】送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。
【解決手段】送達装置１００は入口１０４および出口１０８を含む。この送達装置は入口チャンバー１１４および出口チャンバー１２０を含み、出口チャンバーは入口チャンバーに対して反対側にあり、かつ円錐セクション１１６を介して入口チャンバーと流体連通している。出口チャンバーは迷路１１０を含み、この迷路は送達装置に収容される固体前駆体化合物の固体粒子が送達装置から出るのを妨げ、一方で同時に固体前駆体化合物の蒸気が出口を通って送達装置から出るのを可能にするように機能する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れ、バリア層形成時に高温熱処理を必要とせず、ハロゲンを含まないガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１に、Si系酸化物を含む無機化合物の蒸着層２と、該蒸着層上に架橋樹脂のガスバリア層３が積層されているガスバリア性フィルムであって、前記ガスバリア層が、不飽和ニトリル(a1)と、水酸基を有する非芳香族不飽和化合物(a2)と、不飽和カルボン酸エステル、スチレン、不飽和カルボン酸、不飽和炭化水素及びエポキシアクリレートからなる群から選択される不飽和化合物(a3)とを単量体とする共重合樹脂(A)と、イソシアネート化合物(B)と、２つ以上のカルボン酸基または１つ以上の無水カルボン酸基を有する化合物(C1)と、１分子中に有機官能基と加水分解性官能基を有するシラン化合物(C2)との混合物を、前記蒸着層上で反応して得られる架橋樹脂から成るガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで高効率なミストＣＶＤ方法、およびミストＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】底面に超音波振動子６が設置されたミスト発生容器内の原料溶液に、底面から斜め上方に超音波振動を与え、液柱７を斜め上方に向かって形成してミスト８を発生させる際に、斜め上方に向かって形成された液柱の頂点付近に衝突部材を設置する。このことにより、超音波振動子の設置間隔を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】固体原料を用いて成膜を行う場合に、成膜原料ガスを安定的かつ効率的に基板の表面へ供給することが可能であり、かつパーティクル汚染や膜中への不純物混入の可能性が低減された成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、ウエハＷを収容する処理容器１と、ウエハＷを加熱する基板ヒーター１１と、ウエハＷを保持する保持部材２１と、原料支持部としてのステージ３１と、固体原料を加熱する原料ヒーター４１と、を備えている。成膜装置１００では、例えばステージ３１上で固体原料Ａを加熱しながら別の気化促進ガスと反応させ、生成した成膜原料ガスを保持部材２１に保持されたウエハＷの下面（被処理面）に供給し、ウエハＷの表面で熱分解させて薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理する基板の歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】ガス供給ノズル２３２１ａのクリーニング工程において、ガス供給ノズル２３２１ａからはエッチングガスＥＧが放出されるが、ガス供給ノズル２３２１ａとは別のガス供給ノズル２３２１ｂから希釈ガスを放出している。この結果、インナーチューブ２３０内の処理室２０１内へ放出されたエッチングガスＥＧが処理室２０１内に配置されたウェハ２００へ到達することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】カーテンガス量を低減した大気圧プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】電力印加される第1電極11aと接地した第2電極11bと電極間にあり基板19に反応ガス2を供給する反応ガス路16と反応ガス路と電極の外に配置された排気流路18a,18cと反応ガス路と電極と排気流路の外に反対側に配置されカーテンガス3を供給する第1,第2カーテンガス供給路17a,17cを備えたヘッド1と、ヘッドに向け基板を保持する接地したステージで第1から第2カーテンガス供給路の方向に移動可能なステージ20を備え、電極間が電界発生状態で反応ガスを供給しプラズマ処理する大気圧プラズマ処理装置200であり、反応ガス量より排気4の量を多くそれよりカーテンガス総量を多くし、ステージを移動させプラズマ処理する際は静止時に比べてカーテンガス総量を増やさずに第1カーテンガス供給路からのカーテンガス量を増やし第2カーテンガス供給路からのカーテンガス量を減らす制御手段50を備える。 （もっと読む）