【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】比較的低い低分子量、比較的低い融点および高い蒸気圧を有する第四族金属前駆体の提供。
【解決手段】次式で表される第四族金属前駆体の一群。Ｍ（ＯＲ^１）_２（Ｒ^２Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ^３）Ｃ（Ｏ）ＯＲ^１）_２（ここで、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選択される第四族金属であり；Ｒ^１は、直鎖又は分岐鎖のＣ_１〜１０アルキル、及びＣ_６〜１２のアリールからなる群より選択され、好ましくはメチル、エチル又はｎ−プロピルから選択され；Ｒ^２は、分岐鎖のＣ_３〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくはイソ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソ−ブチル、又はｔｅｒｔ−アミルから選択され；Ｒ^３は、水素、Ｃ_１〜１０アルキル及びＣ_６〜１２アリールからなる群より選択され、好ましくは水素である） （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】送出原料ガスに混ざるミストの供給を抑え、パーティクルが発生し難い液体原料気化用の気化器ユニットおよびこれを含むガス輸送路そして半導体処理システムを提供する。
【解決手段】気化器１を原料ガス輸送配管の一部とし、これに接続された加熱装置とともに配管型の気化器ユニット１０を構成する。気化室４は、外側に加熱部材２１ｂを有する配管２１ａの入口側端部に霧化部５を配設することで形成し、気化室４の出口にサイクロン流生成部材３２を配設してサイクロン流を生成することで加熱効率を向上させ残留ミストの発生を防止する。これにより気化器ユニット１０を小型化して反応炉周辺での占有面積を低減し、反応炉から１ｍ以下の近傍において気化器ユニット１０を配置可能とする。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】
ゴミ、不純物等がバルブ弁に滞留し難く、これの分解清掃をするメンテナンス期間の延長を図ることができるバルブ又は原料ガスの再凝縮によるバルブでのフレークあるいはパーティクルの発生を抑止することができるバルブおよびこれを用いた半導体製造装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、バルブの入力ポートに供給される流体をサイクロン流に変えるサイクロン流生成部材を入力ポートに設けられあるいは入力ポートと弁部材との間に設けることで、開閉動作をする弁部材にサイクロン流を供給する。凹凸部分が多い弁部分が開閉されるバルブでのゴミ、不純物等の付着をサイクロン流により防止し、かつ、サイクロン流でバルブの内部の清掃を行うことができ、さらにはサイクロン流により弁部材によるバルブ開閉時の動的圧力変化を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器の天井壁内面を覆うように設けられたシャワー板を介して、不活性ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気した状態で、処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して、基板上に薄膜を形成し、それを繰り返した後、シャワー板および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜の表面粗さを改善することを可能とする。
【解決手段】基板上にアモルファスシリコン膜を第１の炉内圧力で成膜するプリパージ工程と、プリパージ工程の次の工程であり第２の炉内圧力で成膜するデポ工程とからなり、前記デポ工程時の炉内圧力である第２の炉内圧力に関しては前記プリパージ工程の炉内圧力である第１の炉内圧力より低くしたことを特徴とする。更に各工程におけるＳｉＨ_４の流量を異ならせることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の切削加工で、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、ｃＢＮ相とＴｉＮ相との複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層中のｃＢＮ相の面積割合は４０〜８０％であり、残りは、微細ＴｉＮ相と粗粒ＴｉＮ相の混相からなり、混相に占める上記微細ＴｉＮ相の面積割合は３０〜８５％であって、微細ＴｉＮ相は、ｃＢＮ粒子の表面を被覆している。 （もっと読む）

【課題】機能性微粒子の純度を高めつつ、機能性微粒子を含む機能膜を基材の表面に安定して形成すること。
【解決手段】開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成される膜の厚さを均一にし、製作コストを抑えることができるようにする。
【解決手段】ミストが筐体２内に供給されると、一部のミストは一方の湾曲面２ａに沿って滑らかに流下して原料ガス排出口５の直上領域に到達し、一部のミストは他方の湾曲面２ａに沿って滑らかに流下して原料ガス排出口５の直上領域に到達する。そして、両者は、原料ガス排出口５の直上領域において互いに衝突して混合する。これにより、原料ガス排出口５の直上領域において、原料ガス排出口５の長手方向にわたってミストの濃度が均一になる。その後、原料ガス排出口５の長手方向にわたって濃度が均一なミストが、原料ガス排出口５から噴出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が１乃至３のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。）で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板に、導電性の制御された半導体膜を成膜する半導体膜の成膜方法を得ること。
【解決手段】ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】層厚さが厚くてもＳｉＣ結晶中にある炭素空孔を低減できるＳｉＣ結晶成長層の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３を成長させる工程内に、シリコン原料ガスであるシランと炭素原料ガスであるプロパンのうちのプロパンのみを結晶成長表面に供給する第２の期間を設けている。このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。これにより、成長後のＳｉＣ結晶成長層としてのドリフト層２３の表面から離れている比較的深い箇所での炭素空孔を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】バルブや継ぎ手などのガス供給系部品が密集状態であっても、むらなく安定した加熱を行うことができ、安定した状態で原料ガスを基板処理装置に供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し処理を行う基板処理室と、前記基板処理室に接続され、前記基板処理室内に処理用ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系を加熱する加熱手段とを備え、前記加熱手段は、前記ガス供給系の少なくとも一部を囲む加熱容器であって、加熱ガス導入口２７１ａと加熱ガス排気口２７１ｂを有する加熱容器２７１と、前記加熱容器内に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給手段２７２とを有する。 （もっと読む）

固体前駆体送出組立体（２００）は、概して、上部および下部を有する容器（２０２）と、入口チャンバ（２３８）、出口チャンバ（２４４）、ならびに第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバ（２４０、２４２）を含む容器内に画定される複数のチャンバを備える。第１の前駆体チャンバおよび第２の前駆体チャンバは、容器内に前駆体物質を保持するように構成される。焼結フリット（２４８、２５０、２５２）は、容器の内部部分に固定結合および封止され、容器内の複数のチャンバの少なくとも一部を画定する。焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第１の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成され、焼結フリットのうちの少なくとも１つは、第２の前駆体チャンバ内で前駆体物質を上に保持するように構成される。入口（２０６）は、搬送ガスを容器に送出するために容器に結合され、出口（２０８）は、気化した前駆体物質および搬送ガスを容器から取り出すのに用いるために容器に結合される。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）