【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、処理室４の第１の壁面（上壁６）において、上記反応ガスの流通方向に沿って形成された複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５において、一のガス導入部と、一のガス導入部と異なる他のガス導入部とのそれぞれからガスを処理室４の内部に供給可能なガス供給部とを備えている。複数の上記ガス供給部には、上記ガス供給部から上記ガス導入部へガスを供給するための第１のバッファ室（バッファ室２３〜２５）と、第１のバッファ室へ均一な圧力でガスを供給するための流量調整部５０とを含み、上記第１のバッファ室は流量調整部５０に対して、ガスの流通方向の下流側に位置する。 （もっと読む）

【課題】形成する抵抗体薄膜の抵抗率の制御性を高くして、高抵抗素子の形成を容易にする。
【解決手段】金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。ＡＬＤに際して、同時に供給されるＴＥＭＡＺとＴＥＭＡＳｉＨの供給比率をＡｒガス流量比や加熱温度等で制御して、当該供給比率に応じた抵抗率の金属シリコン窒化膜を抵抗体薄膜として成膜する。 （もっと読む）

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理体上における温度分布の不均一を低減し、該被処理体上に形成される被膜の膜厚分布を均一にすることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、真空排気手段２を有する真空チャンバ３と、該真空チャンバの内部にそれぞれ配された、被処理体４を保持する支持手段５、前記支持手段と対向して配され、前記被処理体上に向けて原料ガスを吐出し、該被処理体上に被膜を形成する成膜手段、前記支持手段を囲んで配され、前記支持手段の方向に開口部を有する筒型の第一プレート６、及び前記第一プレートよりも外側において、前記支持手段を囲んで配された第二プレート７、を少なくとも備え、前記第一プレートは、前記支持手段と前記第二プレートとの間に位置する第一状態と、前記支持手段と前記成膜手段との間の第一空間を取り囲むように位置する第二状態と、の間で移動可能になされている。 （もっと読む）

【課題】流路を流通するガスを加熱するヒータを備えるガス供給装置において、その小型化や高集積化を可能とする。
【解決手段】ガス供給装置１０において、各流路ブロック２０は、長尺状に延びる直方体状に形成され、開閉弁５０が複数搭載された上面２０ａを有している。開閉弁５０は、上面２０ａの長手方向に沿って直列に配置されている。複数の流路ブロック２０は、上面２０ａを幅方向から挟む両側面２０ｃ同士が隣り合うように並列に配列されている。複数の流路ブロック２０の隣り合う側面２０ｃにヒータ３１が挟み込まれた状態で、複数の流路ブロック２０が一体化されている。ヒータ３１はフィルム状に形成され、その両面が流路ブロック２０の側面２０ｃに対向して流路ブロック２０の長手方向に沿って延びている。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的に昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子３０を気化させる気化器２１において、前記固体の粒子３０を供給するための供給部３１と、前記供給部３１より供給された前記固体の粒子３０を気化するため、複数の孔部が設けられた加熱部を有する気化部３３とを有し、前記気化部３３は、重力の働く方向に上から順に設けられた分散網３４と加熱網３５と加熱傾斜部３６からなる。 （もっと読む）

【課題】気相中でのキャリアガスに対する前駆体の濃度を維持する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガス出口ライン２４における気体状混合物中の気化前駆体化合物の濃度を検出し、検出された濃度（ｃ）と参照濃度（ｃ０）とを比較し、濃度差（ｃ−ｃ０）を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号によりガス制御バルブ２３を調節し、気化容器内の全圧力を調節し、温度検出手段は前駆体化合物の温度を検出するように配置され、前駆体化合物の温度を検出し、検出された温度（Ｔ）と参照温度（Ｔ０）とを比較して温度差（Ｔ−Ｔ０）を提供し、当該温度差を利用して制御装置２９において信号を発生させ、当該信号がガス制御バルブを調節し、気化容器内の全圧力を調節し、ガス出口ラインにおける気体状混合物中での気化前駆体化合物の実質的に一定の濃度を維持する。 （もっと読む）

【課題】固体の粒子を安定的にを昇華させることが可能な気化器を提供する。
【解決手段】常温において固体状態である固体の粒子を気化させる気化器において、前記固体の粒子を供給するための供給部と、前記供給部より供給された前記固体の粒子を気化するための加熱部を有する気化部と、を有し、前記加熱部には傾斜が設けられており、前記固体の粒子は前記傾斜を転がりながら気化することを特徴とする気化器を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）またはプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）による銅含有膜の堆積のためのビス−ケトイミナート銅前駆体の使用方法を開示している。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のC_xH_yガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。
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【課題】 本発明の目的は、試料表面上にAu含有層を供するシステム及び方法を供することである。
【解決手段】 本発明は、試料表面上にAu含有層を供する方法を供する。当該方法は、Au(CO)Clを有する堆積流体を供する手順、前記試料表面の少なくとも一部の上に前記流体を堆積させる手順、及び、前記流体の少なくとも一部が上に堆積された前記試料表面に荷電粒子ビームを案内することで、前記試料表面上に前記Au含有層を生成する手順、を有する。
AU(CO)Clを荷電粒子誘起堆積用の前駆体として用いることによって、当技術分野において知られた方法と比較して、非常に高純度の金(Au)層を堆積することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】バブリング量の変化に追従してピックアップ量を制御することができるバブリング気化供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】熱交換器１１が内蔵された密閉原料槽１０内に液体原料Ｌを貯えると共に導入管８を挿入し、熱交換器１１に所定温度の熱媒Ｍを循環させつつ導入管８にキャリアガスＣを所定流量で導入して液体原料Ｌをバブリングし、バブリングによる気化ガスＧとキャリアガスＣとの混合ガス（Ｇ＋Ｃ）を原料槽１０の気相部から抜出して供給する。好ましくは、導入管８上に熱交換器１４を設け、所定温度の熱媒Ｍを原料槽１０内の熱交換器１１及び導入管８上の熱交換器１４に循環させつつキャリアガスＣを導入する。更に好ましくは、原料槽１０に原料補充管１５を接続すると共に補充管１５上に熱交換器１６を設け、その熱交換器１６にも熱媒Ｍを循環させながら液体原料Ｌを補充する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にＯＮ／ＯＦＦ制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族原料とＨＣｌガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管７，３３に、真空を利用して弁体２２が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる石英製の弁２０が設けられる。真空管路２６が真空に引かれていないときには、弁体２２は自重で下降し、反応室３へのＧａＣｌガスの供給が遮断される（ａ）。一方、真空管路２６が真空に引かれたときには、弁体２２は真空管路２６に接続された管３２側に吸引されて上昇し、管３１と管３３とが連通接続されて、ＧａＣｌガス導入管７側から管３３を通って反応室３へとＧａＣｌガスの供給が行われるようになる（ｂ）。 （もっと読む）

【課題】ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエンを安定化する方法を提供する。
【解決手段】安定化剤として、キノン類、およびニトロオキサイド類を添加した安定化されたビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエン組成物、およびこれの使用。 （もっと読む）

【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】流量制御部１０の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度／（１−原料ガス濃度）が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー６によりキャリアガス１５の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。 （もっと読む）

本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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