【課題】処理装置内部の特殊な雰囲気を崩すことなく、被処理物の補充を行うことができる被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物Ｓを収容可能な被処理物収容部１１と、前記被処理物収容部１１と処理装置Ｆ１との間を気密に遮断できる閉鎖部３と、前記被処理物Ｓを前記被処理物収容部１１から前記処理装置Ｆ１に搬送する搬送通路部１２２を有し、前記搬送通路部１２２の少なくとも先端１２２ａが、前記閉鎖部３の開放状態で前記閉鎖部３よりも処理装置Ｆ１側に位置する状態と、前記閉鎖部３よりも被処理物収容部１１側に位置する状態とに切り替え可能とされた搬送部１２とを備え、前記搬送部１２は、前記先端１２２ａが処理装置Ｆ１側に位置する場合に被処理物Ｓを前記処理装置Ｆ１に投入でき、前記閉鎖部３は、前記先端１２２ａが被処理物収容部１１側に位置する場合に閉鎖可能である。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液を保持するための主坩堝と、主坩堝の融液を加熱するための主坩堝加熱装置と、主坩堝に供給される融液を保持するための副坩堝と、副坩堝の融液を加熱するための副坩堝加熱装置と、固体原料を投入するための固体原料投入装置と、副坩堝から主坩堝に融液を供給するための融液搬送部と、固体原料投入装置から副坩堝への固体原料の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置とを備えた溶融炉である。 （もっと読む）

【課題】金属坩堝を１０００℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】１０００℃以上の高温において、金属坩堝４中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝４の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ１を置き、該第一のスリーブ１の外側に断熱材からなる第二のスリーブ２並びに加熱装置３を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 （もっと読む）

【課題】高炉製銑法に代わり、高エネルギ効率で溶融銑鉄を製造することができ、また所謂都市鉱山から貴金属等を回収することができ、更に、シリコン基板を高効率で製造することができるマイクロ波加熱炉を提供する。
【解決手段】マイクロ波ビームは、円筒状の支持板からこの円筒中心に配置された溶解炉１０の反応容器１１に向けて照射され、この間に、電力密度を増加させる。マイクロ波ビームは、溶解炉１０のマイクロ波窓１４から溶解炉１０内部に導入され、副反射鏡１６で反射して主反射鏡１３に向かい、主反射鏡１３で反射して、反応容器１１の容器空間内の収容物１２に向かう。収容物１２及び反応容器１１からは、赤外線が放射されるが、この赤外線は、主反射鏡１３の一部に設けられた段差反射面１５により反射して、収容物１２に戻る。マイクロ波ビーム及び赤外線が、主反射鏡１３と反応容器１１との間に閉じ込められて、収容物１２が加熱される。 （もっと読む）

【課題】還元炉の温度の昇降時間を大幅に短縮し、効率と生産量を高め、エネルギー節約と地球環境を守る目的を達成する冶金の間仕切式還元方法及びその設備を提供する。
【解決手段】本発明は、冶金の間仕切式還元方法及びその設備に関し、主に、還元炉に結合する間仕切り可能な冷却装置を用いて、間仕切式還元の冶金設備を構成する。前記設備によって、冶金還元プロセス全体の冶金製錬及び冷却プロセスを、別々の空間に間仕切りして同時に処理を行なう。これにより、冶金製錬と冷却プロセスを完全に還元炉内に制限して行なうために引き起こされる長すぎる待ち時間や大量のエネルギー源の浪費が、生産エネルギーを効果的に高められない欠点となっている伝統的な冶金還元炉の作業を大幅に改善する。 （もっと読む）

【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられており、前記被処理物通路１２は、前記ジョイント部１５の接合位置を維持したままで、前記出口端が前記接合位置に対して接近・離反するようにして伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路１２の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】処理装置の内部の特殊な雰囲気を崩すことなく、被処理物の被処理物投入装置への補充を行うことができる被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を気密状態で処理する処理装置Ｆ１に対し、被処理物を外部から気密状態で投入するための被処理物投入装置において、被処理物を一時的に収容可能で、被処理物を収容する際に用いる開閉可能な収容口１１１ｃを有する被処理物収容部１１と、前記処理装置Ｆ１の内部に投入される被処理物が気密状態で通過可能な被処理物通路１２、及び、前記被処理物収容部１１から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構１３を有する搬送部１ｂとを備え、前記搬送部１ｂには、前記搬送部１ｂの処理装置側と被処理物収容部側とを気密に遮断可能な閉鎖部１４と、前記搬送部１ｂのうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記搬送部１ｂを分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒーターにより溶融物を加熱する溶融炉において、抵抗加熱ヒーターに流れている電流により磁場が発生し、この磁場が溶融物に作用して溶融物が回転することにより、ルツボの内面が不均一に削られることを防止できる加熱溶融炉を提供し、また、これを用いた加熱溶融方法を提供する。
【解決手段】ルツボの外壁面外側に抵抗加熱ヒーターが配設されて、前記抵抗加熱ヒーターから発生する磁場の影響を受け、ルツボ内に収容された溶融物がルツボの内壁側面に沿って回転する加熱溶融炉において、溶融物の回転方向を逆転させる手段を備えて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させることができる加熱溶融炉であり、また、この加熱溶融炉を用いて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させる加熱溶融方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン結晶のドーパントによる抵抗調整精度を向上し、結晶歩留向上と原材料費コストダウンとを実現することができるシリコン結晶成長用ルツボとその製造方法、及びシリコン結晶成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶成長用ルツボＣは、貯留するシリコン融液との接触面にシリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１、溌液層Ｃ２、石英ガラス層Ｃ３、カーボン層Ｃ４から構成され、シリコン含浸ＳｉＣ層Ｃ１の製造方法は、原料ＳｉＣ粉末を、シリコン融液を貯留する空間を有する形状に成形するＳｉＣ粉末成形工程と、成形されたＳｉＣ粉末成形体を焼成し多孔質ＳｉＣ層を形成する焼成工程と、多孔質ＳｉＣ層に溶融したシリコンを含浸させ、シリコン含浸ＳｉＣ層を形成するシリコン含浸工程とを有する。前記シリコン含浸工程は、シリコン結晶引き上げ前のシリコン原料を加熱溶融する時に行っても良い。 （もっと読む）

【課題】今まで固定されていた第三ゾーンの発熱体の位置を外部から可変できる可変温度勾配式マルチゾーン型電気炉を提供する。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、発熱体を有する加熱部を有する所謂内熱型の単結晶を合成する電気炉において発熱体が２個以上で構成される電気炉で、加熱源である発熱体の位置を外部から変えることにより、温度分布を変えることができる電気炉の構成とした。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム蒸着やシリコン精製用黒鉛製るつぼの長寿命化を図るための表面改質方法、及び黒鉛製るつぼを安価に提供することである。
【解決手段】炭素源とシリコン粉末を溶剤に分散させた炭素源−シリコン粉末分散液を黒鉛製るつぼの少なくとも金属融液と接する表面に塗布して炭素源−シリコン粉末混合層を形成し、前記炭素源−シリコン粉末混合層を真空中又は不活性ガス雰囲気中で焼成して前記炭素源を炭素化し、更に真空中又は窒素源を含む雰囲気中で１３００℃以上の高温度で反応焼結処理して炭化シリコン被膜又は炭化シリコンと窒化シリコンの混合被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量が原子量比で６６．１７〜６６．７７ａｔ％であり、Ｓｉの含有量が原子量比で３３．２３〜３３．８３ａｔ％である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Ｍｇの含有量とＳｉの含有量との比が原子量比で６６．１７：３３．８３〜６６．７７：３３．２３であり、ドーパントの含有量が原子量比で０．１０〜２．０ａｔ％である組成原料により製造される。 （もっと読む）

【課題】室温およびシリコン溶融温度付近のいずれにおいても、十分な強度を有し、大型化にも対応することができ、かつ、該ルツボを用いて製造する多結晶シリコンインゴットに対する不純物汚染の防止効果にも優れた多結晶シリコン製造用ルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】スリップキャスト法により多結晶シリコン製造用ルツボを製造する方法において、平均粒径１μｍ以上４０μｍ以下の溶融シリカ粉と平均粒径１μｍ未満のアルミナ粉と平均粒径１μｍ未満のシリカ粉とを分散させたスラリーを鋳込み型に流し込んで成形し、焼成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の熱膨張における体積変化を行う通路を確保し、蒸着容器割れや破損を防止することにより、蒸着容器交換頻度を減らし、蒸着コストを低減する薄膜の製造装置および薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜の製造装置は、基板４の表面に、真空蒸着を用いて成膜を行う薄膜製造装置１００であって、蒸着原料と、前記蒸着原料を収容する容器１６と、前記容器に１６収容された前記蒸着原料を加熱する加熱手段１７と、前記加熱手段１７が前記蒸着原料を加熱して溶解時に、前記蒸着原料の溶解面より下方と前記溶解面の上方とを連通する管５０と、を有する薄膜製造装置である。 （もっと読む）

結晶材料（３）を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉（１）は、底部（４）および側壁（５）を有する坩堝（２）と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁（５）の周囲の坩堝（２）の周辺に配置された少なくとも１つの側部断熱システム（６）を含む。側部断熱システム（６）の少なくとも１つの側部エレメントは、側壁（５）に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム（６）は、１Ｓ／ｍ未満の電気伝導率と、１５Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率と、を有する。
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【課題】サファイアやガーネット等の高融点材料単結晶の製造に適した坩堝ならびにその使用方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０は坩堝支持体又は支持本体２と、坩堝支持体又は支持本体の内面上に処理されたコーティング４から成っている。坩堝１０には高融点材料の溶融物７が含まれている。コーティング４は溶融物７との接触面を与え、かつ坩堝支持体２の表面を溶融物７との接触から保護する役割を果たす。コーティング４は好ましくは１８００℃以上の融点をもつ金属、例えばインジウム等の耐熱性金属からなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ単結晶等の成長に使用されるＢＮるつぼを低コストで製造する方法の提供。
【解決手段】
高分子フィルムを硼素と窒素を含む雰囲気で熱処理することにより窒化硼素（ＢＮ）に転化させてＢＮるつぼを製造する方法であり、より具体的には、高分子フィルムを硼素及び窒素を含むガス中で１２００℃〜２０００℃の温度で処理して少なくとも表面部が硼素及び窒素からなる中間体を生成させる第一の工程と、得られた中間体を２０００℃以上３０００℃以下の温度範囲で本焼成してＢＮるつぼを得る第二の工程とを含むＢＮるつぼの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属の溶融のための誘導炉、誘導炉用ライニング及びそのようなライニングの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、固体状態で誘導的に結合しない金属の溶融のための誘導炉に関する。誘導炉は、グラファイトとシリコンカーバイドとの混合物を含有し、且つ溶融される金属が固体状態にあるときは該金属の導電率よりも高い導電率を有するが、溶融される金属が溶融状態にあるときは該金属の導電率よりも低い導電率を有するライニングを有する。本発明はさらに、誘導炉用のライニングに関し、及びそのようなライニングの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】高温の溶湯に対する耐久性及び耐食性が良好な溶湯容器を提供する。
【解決手段】アルミナ−シリカ系材料からなる容器本体２と、前記容器本体の内面に形成された窒化珪素−アルミナ系材料からなる保護層３とを備える溶湯容器であって、前記容器本体の材料は、アルミナ及びシリカの合計１００重量部に対するアルミナの含有量ｘ重量部が、７２〜９５の範囲に調整されており、前記保護層の材料は、窒化珪素及びアルミナの合計１００重量部に対する窒化珪素の含有量ｙ重量部が、ｘ重量部と所定の関係を満たすように調整されている。 （もっと読む）