【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良
を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設
けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い
表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度
が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギ
ャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キ
ャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノ
ーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅層および／または銅合金層を有する金属膜や、該層と他の金属からなる層との積層膜を精度良くエッチングでき、液寿命が長いエッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、銅層および／または銅合金層を含む金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物であって、銅（ＩＩ）イオン、β−アラニンおよび水を含む、前記エッチング液組成物、ならびに、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧を確保できながら、逆方向リーク電流および順方向電圧を低減することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】その表面１２にショットキーメタル２２が形成されたエピタキシャル層６を備えるショットキーバリアダイオード１において、エピタキシャル層６の表面１２に沿う方向に互いに間隔を空けて配列され、それぞれが表面１２から裏面１１へ向かってエピタキシャル層６の厚さ方向に延びるｐ型ピラー層１７を形成することにより、エピタキシャル層６にスーパージャンクション構造を形成する。また、エピタキシャル層６の表面１２の近傍に、ｐ型ピラー層１７よりも不純物濃度の高い電界緩和層１９を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 （もっと読む）

【課題】ボンディング耐性を向上させた炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に平面視してリング状に形成された低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍の低濃度ｐ型ＪＴＥ３の内側に該低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３に接触して平面視してリング状に形成された高濃度ｐ型領域４と、高濃度ｐ型領域４上の一部に形成されたｐ型オーミック電極５と、ｐ型オーミック電極５を覆うと共に高濃度ｐ型領域４上及びｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極６と、ショットキー電極６上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板のｎ型炭化珪素層が形成されていない側に形成された第２の電極と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第１の電極層および第２の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面１ａに半導体素子の表面電極２が形成され、裏面１ｂに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ１を用意する工程と、半導体ウェハ１の表面電極２にめっき層３を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極２と半導体ウェハ１の側面１ｃとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面１ｂの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ１をめっき液に浸してめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】ショットキー電極形成前に酸洗浄を行ってもｐ型オーミック電極がその酸に曝されることなく、ｐ型オーミック電極とショットキー電極との電気的接続が良好な炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に形成された複数のｐ型不純物領域３と、ｐ型不純物領域３上の一部に形成されたｐ型オーミック電極４と、ｐ型不純物領域３上の一部に、ｐ型オーミック電極４を覆うように形成された耐酸性のバリアメタル層５と、バリアメタル層５、ｐ型不純物領域３、及びｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極６と、ショットキー電極６上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板１のｎ型炭化珪素層が形成されていない側に形成された第２の電極と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、インジウムを含む酸化物半導体膜、ゲート電極層と重畳する酸化物半導体膜上に接する絶縁層が順に積層され、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、絶縁層表面における塩素濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３以下とし、かつインジウム濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第２電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第１電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第２電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第１導電膜と、一対の第１導電膜上の半導体膜と、一対の第１導電膜にそれぞれ接続されている一対の第２導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第３導電膜とを有する。また、半導体膜上における第３導電膜の端部と、一対の第２導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウエハの検査において、半導体ウエハの裏面電極の端子としての機能を維持しつつ、半導体ウエハに過度の力がかかることを防止できる半導体ウエハ、半導体ウエハ検査装置、及び半導体ウエハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、ダイシングラインを隔てて複数のチップが並ぶ半導体ウエハの表面側に形成された表面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを隔てて形成された複数の裏面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを跨いで該複数の裏面電極を電気的に接続する接続パターンと、を備える。該複数の裏面電極のうちの少なくともひとつは、該半導体ウエハのバイアホールを介して該表面電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極をレーザアニールによって形成する場合にチッピングの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ｎ⁺型基板１の裏面１ｂ側にドレイン電極１１を形成する際のレーザアニールをチップ内でのみ行い、ダイシング領域では行われないようする。これにより、ダイシングブレード６０によってダイシングを行うときに、レーザ跡が残っていない場所をダイシングすることになるため、レーザ跡の影響を受けることなくダイシングが行え、チッピングが発生することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）