【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、メタルソース／ドレインを有するＭＯＳトランジスタにおいて、メタルソース／ドレインの位置制御且つショットキーバリアハイトの制御の両者を実現できる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 ＳＯＩ層上にゲート電極構造を形成する工程と、該ゲート電極構造をマスクにＳＯＩ層上に窒素添加Ｎｉ膜を成膜する工程と、窒素添加Ｎｉ膜上にＴｉＮ膜を形成する工程と、窒素雰囲気中でアニールしＳＯＩ層中にＭＯＳトランジスタのソース及びドレインとなるエピタキシャルＮｉＳｉ_２層を形成する工程と、ＴｉＮと残ったＮｉ膜を除去する工程と、該ゲート電極構造をマスクに該エピタキシャルＮｉＳｉ_２層中にＰイオンを注入する工程と、該Ｐイオンを活性化アニールする工程とを含むＭＯＳトランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層（第１層）と、Ａｌ系膜からなる第２層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】有機導電性材料を含む塗布組成物をプラスチック基板上に形成した後、高い電気電導度の配線を形成することができる配線の形成方法および形成装置を提供すること。
【解決手段】プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタとその製造方法において、電界効果トランジスタの耐圧を高めつつそのオン抵抗を低減すること。
【解決手段】基板１と、基板１の上に形成され、複数の第１の半導体層３と複数の層間絶縁層４とが交互に積層された積層体１０と、積層体１０の側面１０ａに形成されると共に、該側面１０ａにおいて複数の第１の半導体層３の各々に接続された第２の半導体層１２と、第２の半導体層１２の上に形成されたゲート絶縁層１７と、ゲート絶縁層１７の上に形成され、ゲート絶縁層１７を介して側面１０ａに対向するゲート電極１９と、第２の半導体層１２に電気的に接続されたソース電極１４と、複数の第１の半導体層３の各々に電気的に接続されたドレイン電極１５とを有する電界効果トランジスタによる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】しきい値を電気的に調整可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、チャネル領域１４は対向する第１、第２の面１４ａ、１４ｂを有している。第１、第２不純物領域１５、１６が、チャネル領域１４の両側に配設されている。第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。第１、第２ゲート電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２に応じて、第１、第２反転層２３、２４が接触し、第１、第２不純物領域１５、１６間が導通する。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材１００と、上記半導体基材１００内の、半導体材料からなるドリフト領域２と、ドリフト領域２に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極１９を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３との間に配置された蓄積誘電体４と、第１素子領域８と、第１素子領域８との間にドリフト領域２が配置され、第１素子領域８から離れて配置された第２素子領域５と、ドリフト制御領域３の接続電極１９および第１素子領域８の間に接続された容量性素子５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボディ浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された埋め込み絶縁層２と、埋め込み絶縁層２上に形成された半導体層３とを備えるＳＯＩ構造の半導体装置であって、半導体層３は、第１導電型のボディ領域４、第２導電型のソース領域５及び第２導電型のドレイン領域６を有し、ソース領域５とドレイン領域６との間のボディ領域４上にゲート酸化膜７を介してゲート電極８が形成され、ソース領域５は、第２導電型のエクステンション層５２と、エクステンション層５２と側面で接するシリサイド層５１を備え、シリサイド層５１とボディ領域４との境界部分に生じる空乏層の領域に結晶欠陥領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される結晶化された第１の半導体層ＭＳと、第１の半導体層ＭＳの上側に形成される、ソース電極ＳＴおよびドレイン電極ＤＴと、第１の半導体層ＭＳの側方から延伸して、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴのうちの一方と第１の半導体層ＭＳとの間に介在する第２の半導体層ＳＬと、を有する表示装置であって、第２の半導体層ＳＬは、第１の半導体層ＭＳと接触して結晶化されて形成される第１部分ＳＬａと、第１部分ＳＬａよりも結晶性が低い第２部分ＳＬｂを有する、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示装置に含まれるＴＦＴのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極材料が拡散するのを抑制し、特性の向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３とゲート絶縁膜２との間、Ａｌ含有オーミック電極４、５とＡｕ配線９との間、及び、ゲート電極３の下方及びＡｌ含有オーミック電極４、５の上方、のいずれかに設けられ、第１ＴａＮ層６Ａ、Ｔａ層６Ｂ、第２ＴａＮ層６Ｃを順に積層した構造を有する電極材料拡散抑制層６を備えるものとする。 （もっと読む）