【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】 真空に保持され、基板が配置されて、配置された基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第１の処理容器１０１と、真空に保持され、第１の処理容器内でカルボン酸塩膜が堆積された基板が配置されて、配置された基板にエネルギーを与えて基板上のカルボン酸塩を分解し、基板上に金属膜を形成する第２の処理容器１０２と、第１の処理容器１０１から第２の処理容器１０２へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構１１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、酸化物半導体層と、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属膜との安定した界面の形成が可能である配線構造を提供する。
【解決手段】基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、半導体層と金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層はＴｉ酸化膜から構成されており、且つ、Ｔｉ酸化膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の主面上の洗浄効果を低下させることなく、電界効果トランジスタのゲート電極の側面上に形成されたオフセットスペーサ膜の除去を抑制する。
【解決手段】ゲート電極部Ｇｎ，Ｇｐを覆うように、半導体基板１の主面上に薬液に対するエッチング速度が互いに異なる第１ＯＳＳ膜１０および第２ＯＳＳ膜１２を順次形成した後、異方性エッチングにより、ゲート電極部Ｇｎ，Ｇｐの側面上に位置する第２ＯＳＳ膜１２を残して、他の部分に位置する第２ＯＳＳ膜１２を除去する。そして、ゲート電極部Ｇｎ，Ｇｐと、ゲート電極部Ｇｎ，Ｇｐの側面上に位置する第１ＯＳＳ膜１０および第２ＯＳＳ膜１２と、をマスクにして、半導体基板１に不純物をイオン注入した後、半導体基板１を薬液により洗浄して、露出している第１ＯＳＳ膜１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子の製造において金属インクを用いて金属コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】金属インクは選択的にインクジェットおよびエアロゾル装置によって半導体コーティング上に選択的に堆積される。この複合体は金属インクがコーティングをバーンスルーして半導体との電気コンタクトを形成するのに選択的な温度に加熱される。次いで、光誘起もしくは光アシストめっきによって金属層が電気コンタクト上に堆積される。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易な製造工程で高精細なパターン状に導電性パターン等を効率よく形成可能なパターン形成体の製造方法、およびその方法により形成されたパターン形成体を用いた配線基板の製造方法や有機薄膜トランジスタの製造方法等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの位置合わせが容易で、コンタクト抵抗の低いフィン型の電界効果型トランジスタを有する半導体装置に提供する。
【解決手段】フィン型の電界効果型トランジスタであって、ソース／ドレイン領域５０３の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域５０２の幅よりも大きく、かつソース／ドレイン領域５０３の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部５１０を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜５０４が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体装置に関する。
【解決手段】本発明は、半導体基板上のセル領域のセルトランジスタ上の層間膜を貫通してコンタクトプラグが形成され、周辺回路領域のトランジスタ上の層間膜を貫通してコンタクトプラグが形成されてなる半導体装置の製造方法であり、セルトランジスタ上の層間膜にコンタクトホールを形成し、その底部側にシリコン膜の下部導電プラグを形成する工程と、その上に金属膜を積層して積層構造のセルコンタクトプラグを形成する工程と、周辺回路用トランジスタ上の層間膜にコンタクトホールを形成し、その内部に金属膜を形成してコンタクトプラグを形成する工程とを具備し、前記セル領域のコンタクトホール内のシリコン膜上に金属膜を形成する工程と前記周辺回路領域のコンタクトホール内に金属膜を形成する工程を同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】半絶縁性単結晶ダイヤモンド基板の一方の面に、ｐ⁻ダイヤモンド層からなるドリフト層を成膜し、該ドリフト層の上にｐ^＋ダイヤモンド層からなるコンタクト層を成膜する工程と、前記基板の他方の面に開口部をエッチングにより形成して、前記基板を構造保持材として前記ドリフト層の一部が露出した露出部を形成する工程と、前記露出部にカソード電極を設け、前記コンタクト層にアノード電極を設ける工程とにより、ダイヤモンド電子素子の積層構造を形成する。ドリフト層を基板上に直接成膜するので、欠陥密度の減少した素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長（Ｌ）を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】焼成無しで、酸素雰囲気に安定であり、かつ低抵抗な配線材料を提供する。また、従来の配線材料よりも低い温度で還元焼成できる配線材料を提供する。
【解決手段】銅と窒素を含む配線材料であって、当該配線材料には、添加材料として、エリンガム図において銅よりも酸化しやすい材料が０．５atm％以上１０atm％以下添加されている。添加材料として、例えば、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ａｌのうち少なくとも１種類の金属を含む。この配線材料を加熱還元して低抵抗化する場合、１０００Ｐａ以下に減圧した雰囲気で加熱を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】更なるスイッチング動作の高速化を図ることが可能な構造の横型ＩＧＢＴを提供する。
【解決手段】コレクタ電極１２がｐ⁺型領域４ａに対してオーミック接触させられ、かつ、ｐ型領域４ｂに対してショットキー接触させられるようにする。具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。これにより、コレクタ側からのホールの注入を抑制して低注入効率となるようにでき、ライフタイム制御を行わなくてもスイッチング動作を更に高速化することが可能な構造の横型ＩＧＢＴとすることができる。 （もっと読む）

【課題】印刷法にて、容易にヴィアホール等のパターンを形成する方法を提供する事。
【解決手段】基板上に設けられた第一高分子材料からなる第一薄膜をパターニングする際に、第一高分子材料を溶解する第一溶媒に第二高分子材料を溶解させた高分子溶液を準備し、これを第一薄膜に滴下する高分子溶液滴下工程と、第一溶媒が乾燥した後に第一薄膜を第二溶媒に触れさせる第二溶媒接触工程と、を含み、第二溶媒は第一高分子材料を溶解せず、第二高分子材料を溶解する溶媒とする。 （もっと読む）