【課題】簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重仕事関数半導体デバイスは、第１実効仕事関数を有する第１ゲートスタック１１１を含む第１トランジスタと、第１実効仕事関数とは異なる第２実効仕事関数を有する第２ゲートスタック１１２を含む第２トランジスタとを備える。第１ゲートスタック１１１は、第１ゲート誘電体キャップ層１０４、ゲート誘電体ホスト層１０５、第１金属ゲート電極層１０６、バリア金属ゲート電極層１０７、第２ゲート誘電体キャップ層１０８、第２金属ゲート電極層１０９を含む。第２ゲートスタック１１２は、ゲート誘電体ホスト層１０５、第１金属ゲート電極層１０６、第２ゲート誘電体キャップ層１０８、第２金属ゲート電極層１０９を含む。第２金属ゲート電極層１０９は、第１金属ゲート電極層１０６と同じ金属組成からなる。 （もっと読む）

【課題】金属ゲート電極を有する二重仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】該製造方法は、第１領域１０１及び第２領域１０２を有する基板１００を設けること、第１領域に第１半導体トランジスタ１０７を作製すること、第２領域に第２半導体トランジスタ１０８を作製すること、第１サーマルバジェットを第１半導体トランジスタに備わる少なくとも第１ゲート誘電体キャッピング層１１４ａに作用し、第２サーマルバジェットを第２半導体トランジスタに備わる少なくとも第２ゲート誘電体キャッピング層１１４ｂに作用すること、を備える。 （もっと読む）

【課題】集積回路の高集積化を妨げることなく、静電気放電（ＥＳＤ）による集積回路の破壊を防止するための保護回路を設ける。
【解決手段】高電源電位が印加される端子に電気的に接続される配線、および低電源電位が印加される端子に電気的に接続される配線を、それぞれ、誘電体を介して隣接させ、かつ集積回路を取り囲むように形成する。このことにより、端子と集積回路の間に配線抵抗が付加され、かつ２本の配線間に容量を付加することができる。ＥＳＤなどにより端子に過電圧が印加されても、そのエネルギーが配線抵抗および付加容量により消費されるため、集積回路の破壊を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】メタルをゲート電極材料に用いたＣＭＩＳ素子の閾値を低減する。
【解決手段】ｐ型ＭＩＳトランジスタＱｐのゲート絶縁膜５上に設けられたｐ型ゲート電極７は、順に、カチオン比でＡｌが１０％以上５０％以下のＴｉＡｌＮから構成される第１金属膜３０と、ＴｉＮから構成され、膜厚が５ｎｍ以下の第２金属膜３１と、Ｓｉを主成分として含有する導電体膜３２とが積層された構造を有している。また、ｎ型ＭＩＳトランジスタＱｎのゲート絶縁膜５上に設けられたｎ型ゲート電極６は、順に、第２金属膜３１と、導電体膜３２とが積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】伝導不純物のエネルギー準位が動作温度に対応する熱励起エネルギーよりも深い位置にある半導体材料により形成した半導体素子に高密度の電流を流す。
【解決手段】この接合素子１では、半導体層２内に空乏層が形成されることにより、順方向に電圧が印加された際、電極層４に存在する電子は半導体層２に移動することができない。このため、半導体層３の正孔の大多数は半導体層２内の伝導電子と再結合によって消滅することなく、半導体層２に拡散しながら電極層４に到達する。これにより、抵抗値の影響を受けることなく正孔に対して良導体として作用することができ、ＳｉやＳｉＣ半導体で形成された半導体素子と同等又はそれ以上の電流を流すことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流に係る問題点を解決する。また、高速動作が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層を介して、少なくとも一部がゲート電極と重畳するように離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と、ゲート絶縁層上で、ゲート電極及び一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物半導体層と少なくとも一部が重畳し、チャネル長方向に離間して配設された一対の導電層と、ゲート絶縁層と一対の導電層に接し、該一対の導電層間に延在する非晶質半導体層と、を有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】同一導電型のチャネル領域を有し、かつ閾値電圧の異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】閾値電圧が互いに異なる２つのトランジスタが同一半導体基板上に形成された半導体装置において、トランジスタのゲート電極は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された、第２金属を含み第１金属を主成分とする金属層とを含み、更に、一方のトランジスタが、ゲート絶縁膜と金属層との間に、第２金属の酸化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が高い高品質のＴＦＴ基板を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴ基板は、ゲート電極５２、ソース電極、ドレイン電極５６を有するＴＦＴ３２と、前記ゲート電極５２に電気的に接続された走査線と、前記ソース電極に電気的に接続された信号線とを備え、前記ゲート電極５２、前記ソース電極、前記ドレイン電極５６、前記走査線、及び前記信号線の少なくとも一つが、主配線層７０と、前記主配線層７０の上に形成されたバリア層７２とを有し、前記バリア層７２の少なくとも一部が窒化チタンからなり、前記バリア層７２の前記主配線層７０に接する下面の近傍における窒化率が、前記バリア層７２の上面の近傍における窒化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

【課題】互いに導電型の同じＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、互いに閾値電圧の異なるＭＩＳトランジスタを精度良く且つ高性能に実現する。
【解決手段】第１のＭＩＳトランジスタＬＴｒは、第１の活性領域１ａに形成された第１のチャネル領域３ａと、第１のチャネル領域上に形成された高誘電率絶縁膜からなる第１のゲート絶縁膜４ａと、第１のゲート絶縁膜上に接する第１の導電部１２ａと、第２の導電部１３ａとを有する第１のゲート電極２０Ａとを備え、第２のＭＩＳトランジスタＨＴｒは、第２の活性領域１ｂに形成された第２のチャネル領域３ｂと、第２のチャネル領域上に形成された高誘電率絶縁膜からなる第２のゲート絶縁膜４ｂと、第２のゲート絶縁膜上に接する第３の導電部１２ｂと、第４の導電部１３ｂとを有する第２のゲート電極２０Ｂとを備え、第３の導電部は、第１の導電部よりも薄い膜厚で且つ第１の導電部と同じ組成材料からなる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆方向電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜の上面及び側面を被覆する非晶質半導体膜と、非晶質半導体膜上に、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれ形成する一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体膜と、を有し、微結晶半導体膜は、ドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】２つのゲート配線間の接続を容易に、かつ低抵抗で行えるデュアルゲート半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する工程と、半導体基板上に、それぞれがゲート絶縁膜と第１ゲート金属膜とを含む、第１および第２の電極を形成する工程と、第１および第２の電極を埋め込むように、層間絶縁層を形成する工程と、第１および第２の電極の上部を層間絶縁層から露出させる工程と、第２の電極の第１ゲート金属膜を選択的に除去する工程と、第１および第２の電極を覆うように、層間絶縁層上に、第２ゲート金属膜およびゲート配線膜を堆積する工程と、第２ゲート金属膜とゲート配線膜をパターニングして、第１ゲート電極と第２ゲート電極とを形成するとともに、第１ゲート電極と第２ゲート電極とをゲート配線膜で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】曲げ等の外力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の損傷を低減する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 （もっと読む）

【課題】低比抵抗を有し、且つ上記ゲッタリング工程に十分耐えうる電極構造の必要に応じ、新規な電極構造を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、多層構造を有するゲート電極と、前記基板、前記ゲート電極の上面および側面を覆う保護膜と、前記保護膜を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に接して、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体素子からなる半導体回路を備える。保護膜は、高温処理を施した場合、基板からの不純物の拡散を抑えることができ、基板の不純物濃度に左右されることなく、良好なＴＦＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体層に対する優れた付着力を有しかつ電解液に対する優れた耐腐食性をも有する窒化物系半導体装置用多層電極構造を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体装置用多層電極構造は、窒化物系半導体層（１０１）上に順次積層される第１、第２、第３、および第４の電極層（１０２、１０３、１０４、１０５）を含み、第１電極層（１０２）は金属窒化物を含み、第２電極層（１０３）は相対的に低い標準電極電位を有する金属を含み、第４電極層（１０５）は相対的に高い標準電極電位を有する金属を含み、第２と第４の電極層に挟まれた第３電極層（１０４）は相対的に中間の標準電極電位を有する金属を含んでいることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた窒化物半導体装置における電極の信頼性を向上することができる窒化物半導体用電極およびそれを含む窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体上に形成される電極であって、窒化物半導体上に形成される金属窒化物層と、金属窒化物層上に形成される第１金属層と、第１金属層上に形成される第２金属層とを備え、第１金属層は、金属窒化物層に含まれる金属と同一の金属元素を含む窒化物半導体用電極とおよびそれを含む窒化物半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】仕事関数が所望の値に制御されたメタルゲート電極を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。仕事関数制御層５と低抵抗層７との間に中間層６を設けたことにより、仕事関数制御層５へのあるいは仕事関数制御層５からのＮ等の拡散が抑制され、その仕事関数の変動が抑制されるようになる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）