【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第１の導電層を形成し、第１の導電層上に第２の導電層を形成し、第２の導電層をエッチングすることで、第１のパターンを形成し、第１のパターンを酸化することにより膨張させ、膨張後の第１のパターンをマスクとして第１の導電層をエッチングすることで、ソース電極及びドレイン電極となる第２のパターンを形成し、膨張後の第１のパターン及び第２のパターン及び酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング特性が良好で、且つ信頼性が高いトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲートトップコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、第１の配線層を形成し、該第１の配線層を覆って第１の絶縁膜を形成し、該第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、該半導体層上に導電膜を形成し、該導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って第２の配線層を離間させて形成し、前記２段階のエッチングが、少なくとも前記導電膜に対するエッチングレートが前記半導体層に対するエッチングレートより高い条件により行う第１のエッチング工程と、前記導電膜及び前記半導体層に対するエッチングレートが、前記第１のエッチング工程よりも高い条件により行う第２のエッチング工程と、を有する方法によりトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】 液体原料を用いてＳｉ以外の金属膜を安定して成長させる。
【解決手段】 基板上に形成された第１の金属膜の表面を水酸基で終端する第１の前処理を行う工程と、第１の前処理後の第１の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第２の前処理を行う工程と、第２の前処理後の第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シェアードコンタクトを備えた半導体装置において、コンタクトホールの開口不良やコンタクト抵抗の増大を防止しつつ、接合リーク電流の発生に起因する歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】半導体基板１００におけるゲート電極１０３の両側にソース／ドレイン領域１０６が形成されている。シェアードコンタクトは、ソース／ドレイン領域１０６とは接続し且つゲート電極１０３とは接続しない下層コンタクト１１３と、下層コンタクト１１３及びゲート電極１０３の双方に接続する上層コンタクト１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置内において事前にチタンの表面を窒化させておくことで窒化チタンを形成しておき、その後、窒素の導入を停止した状態で窒化チタンをターゲットとしたスパッタにより、窒化チタン膜によって構成される第１金属層５を形成する。これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。したがって、薄膜抵抗Ｒと配線部の一部を構成する第１金属層５との接触抵抗が高抵抗化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線の表皮効果の抑制と低抵抗化を図る。
【解決手段】第１配線部４１と、その第１配線部４１の周りを被覆する、高融点金属窒化物を含む第２配線部４２とを含む配線４０ａを形成する。このような配線４０ａにおける第２配線部４２は、第１配線部４１側から外周に向かって窒素含有率が高くなる部分を有するように形成する。これにより、配線４０ａにおける表皮効果が抑制されると共に、配線４０ａの低抵抗化が図られるようになる。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧が低く、かつ、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】メタルゲート電極１０３，２０３の材料として、Ｔａ_３Ｎ_５を含むＴａ_ｘＮ_ｙ膜１８，３８を用いる。Ｔａ_ｘＮ_ｙ膜１８，３８中には多くの窒素が含まれており、その窒素の一部がゲート絶縁膜１０２，２０２中に拡散することにより、ＴｉＮに比べてフラットバンド電圧Ｖｆｂが高くなり、ＮＭＯＳＦＥＴ１００およびＰＭＯＳＦＥＴ２００の閾値電圧Ｖｔｈを低くすることができる。また、Ｔａ_ｘＮ_ｙ膜１８，３８中の窒素がＨｆＳｉＯＮ膜１７，３７中に拡散することにより、ゲート絶縁膜の絶縁性を高くすることができ、ゲートリーク電流Ｊｇを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】耐圧の異なるトランジスタが同一半導体基板上に混載されている場合においても、それらのトランジスタの性能が向上するようにストレスライナ膜を構成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に混載された低耐圧トランジスタおよび高耐圧トランジスタ上に形成するストレスライナ膜１１、１２は、互いに膜質を異ならせることができる。ここで、ストレスライナ膜１１は、低耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、高耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。また、ストレスライナ膜１１は、高耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、低耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。
【解決手段】 一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。前記金属含有バリア層の厚さは、ハイブリッドその場ドライクリーニングプロセスによって実質的には変化しない。 （もっと読む）

【課題】プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体からなる活性層上に、オーミック電極を形成する半導体トランジスタの製造方法であって、活性層３上に、タンタル窒化物からなる第１の層１１と、第１の層１１上に積層されたＡｌからなる第２の層１２とを形成する工程と、第１及び第２の層１１，１２を、５２０℃以上、６００℃以下の温度で熱処理することにより、活性層３とオーミックコンタクトをとるオーミック電極９ｓ，９ｄを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置を提供する。
【解決手段】装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極内に基板面に対して平行な金属とシリコンなどとの境界又はシリサイドとシリコンなどとの境界を含むメタルゲート電極において、トランジスタの接続抵抗が小さく、高速動作時のトランジスタの遅延又はトランジスタ特性のばらつきなどの特性劣化の懸念がなく、且つ、低コストな構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１上に、ゲート絶縁膜１０５と、ｐＭＩＳ用金属材料１０９又はｎＭＩＳ用金属材料１１１と、ゲート電極材料１１２と、ゲート側壁メタル層１２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】適切な仕事関数を有する金属ゲート電極を備え、トランジスタ特性のばらつきが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００１と、半導体基板１００１内に形成された第１導電型の第１の活性領域１００３と、第１の活性領域１００３上に形成された第１のゲート絶縁膜１０３０ａと第１のゲート電極１０３２ａとを有し、第１の活性領域１００３上に形成された第１チャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ１０５０とを備える。第１のゲート電極１０３２ａは、第１のゲート絶縁膜１０３０ａ上に形成され、金属原子を含む第１の下部ゲート電極１０１１ａと、炭素の単体を含む材料、または分子中に炭素を含む材料からなる第１の酸化防止膜１０１２ａと、第１の上部ゲート電極１０１３ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの膜厚を抑制しながらメタルゲートの拡散性材料が高誘電率誘電体に拡散することを防ぐ。
【解決手段】半導体装置がゲート積層体構造を含む。ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。不純物金属は、シリサイドゲート１の拡散性材料が高誘電率誘電体に導入されることを防ぐことができるような、拡散性材料に対するバリア効果を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４と、半導体基板１に形成された拡散層５と、半導体基板１の上に形成された絶縁膜７及び絶縁膜８と、絶縁膜及び絶縁膜８を貫通するホール９Ｄに埋め込まれ、側面を絶縁膜１１で覆われた金属材料からなるプラグ１２と、絶縁膜８を貫通しないホール１０Ｂに埋め込まれ、絶縁膜１１からなる絶縁体１０Ｃと、絶縁膜８の上に形成され、プラグ１２と電気的に接続する金属配線１３Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により吐出する液滴の着弾精度を飛躍的に向上させ、微細でかつ精度の高いパターンを基板上に直接形成することを可能にする。もって、基板の大型化に対応できる配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】液滴吐出法による液滴の吐出直前に、所望のパターンに従い基板表面上の液滴着弾位置に荷電ビームを走査し、そのすぐ後に該荷電ビームと逆符号の電荷を液滴に帯電させて吐出することによって、液滴の着弾位置の制御性を格段に向上させる。 （もっと読む）

【課題】 各膜の組成が異なる積層膜を、極めて効率よく、しかも酸化等の不都合が生じることなく形成することができる積層膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 処理室内に基板１を配置し、処理室に、少なくとも、金属カルボニルを含有する原料を含む成膜原料を導入し、ＣＶＤにより基板１上に金属カルボニル中の金属を含む複数の膜６ａ、６ｂを含む積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、上記積層膜に含まれる膜は、同一処理室内で、原料種および／または成膜条件を異ならせて連続成膜され、上記膜の組成が異なる積層膜を形成する。 （もっと読む）