【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 サドルフィン形態のチャンネルを形成する際に、ゲートパターンとプラグとの間のブリッジ発生を防止することが可能な半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子は、半導体基板と、半導体基板内に活性領域を限定するように形成された素子分離膜と、活性領域および素子分離膜に形成されたゲート用リセスパターンと、リセスパターン内およびリセスパターン上に形成されたゲートパターンと、ゲートパターンを覆うように形成されたゲートスペーサとを含み、ゲート用リセスパターンは、活性領域では第１深さを有し、素子分離膜では第１深さよりも深い第２深さを有し、ゲートパターンと素子分離膜のゲート用リセスパターン上部側面との間には空間が形成されて、ゲートスペーサが前記空間を埋め立てる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増大することなく、微細デバイスにも適用可能で、動作電圧の安定した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一主表面に形成され、主電流の導通を担う活性領域と、前記活性領域に形成された電子線照射領域と、前記半導体基板表面に、ゲート酸化膜４を介して形成されたゲート電極５とを具備した半導体装置であって、前記ゲート電極５は、チャネル領域および前記チャネル領域に当接するゲート酸化膜４上で、照射エネルギー０．１〜１０ＭｅＶの電子線を、遮蔽し得るように構成される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第１半導体層１３ａと、各画素毎に各ゲート線１１ａに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第２半導体層１３ｂと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極１４ａａが規定され、各ゲート線１１ａと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極１４ａａと対峙するようにドレイン電極１４ｂａが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線１４ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造方法であって、基板にゲート金属層薄膜を堆積し、ゲート電極とゲート・ラインとのパターンが含まれたパターンを形成するステップ１と、前記ステップ１を完成した基板にゲート絶縁層薄膜と、半導体層薄膜と、ＴＦＴチャネル部分の半導体層がエッチングされることを防止する阻止層薄膜とを堆積し、ゲート絶縁層と、半導体層と、阻止層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ２と、前記ステップ２を完成した基板にオーミック接触層薄膜と、透明導電層薄膜と、ソース・ドレイン金属層薄膜と、パッシベーション層薄膜とを堆積し、オーミック接触層と、画素電極と、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、パッシベーション層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極上にシリサイド層を安定して形成すること。
【解決手段】メモリセル１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に互いに隣り合って配置されたゲート電極１２、１３と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された絶縁層３０と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された電荷蓄積層２６と、を備え、ゲート電極１２は、シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広になる。シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広となるようにゲート電極１２を形付けることで、シリサイド層４５を安定して形成することが実現可能になる。 （もっと読む）

【課題】ゲートストリップを二回のカット工程によって端部を改善する製造方法の提供。
【解決手段】第１アクティブ領域４０と、第２アクティブ領域４２とを有する基板を提供するステップと、基板にゲート電極層を形成するステップと、第１ゲートストリップ６０と、第１ゲートストリップに実質的に平行する第２ゲートストリップ６２と、第１アクティブ領域と第２アクティブ領域の間に位置して、第１ゲートストリップと第２ゲートストリップに平行していないが、互いに接続する犠牲ストリップ６６とを残すように、ゲート電極層をエッチングするステップと、第１ゲートストリップと第２ゲートストリップの一部を覆い、犠牲ストリップ及び第１ゲートストリップと第２ゲートストリップの一部を開口部に露出させる遮蔽部を形成するステップと、開口部に露出される犠牲ストリップ及び第１ゲートストリップと第２ゲートストリップの一部をエッチングするステップを含む。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を表面研磨する工程を経て形成される半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に、高耐圧ゲート絶縁膜ＩＧ１および高耐圧ゲート電極ＥＧ１からなる高耐圧ゲートＧ１を形成した後、サリサイドブロック膜ＳＡＢ、層間絶縁膜ＩＬを順に形成し、その層間絶縁膜ＩＬをＣＭＰにより研磨する。サリサイドブロック膜ＳＡＢは、下層から順に酸化シリコンを主体とする絶縁膜である保護酸化膜ｔ１と、窒化シリコンを主体とする絶縁膜である保護窒化膜ｔ２とによって形成する。また、層間絶縁膜ＩＬの研磨は、高耐圧ゲートＧ１上面のサリサイドブロック膜ＳＡＢに達するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフレキシブル化する場合に、半導体素子を破壊することなく剥離を行うことを目的の一とする。また、剥離層とバッファ層との密着性を弱める技術の提供を目的の一とする。また、剥離によって半導体素子に曲げストレスが生じない技術の提供を目的の一とする。
【解決手段】剥離層上にバッファ層を介して形成した半導体素子を、エッチング液を用いて剥離層を溶解させることにより剥離を行う。または、エッチング液に接触したことによって剥離層が溶解した領域にフィルムを挿入し、剥離層が溶解していない領域に向かってフィルムを移動させることにより剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の仕事関数を得ると共にトランジスタの駆動力を劣化させない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された界面層５と、界面層５の上に形成された高誘電率ゲート絶縁膜６と、高誘電率ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極とを備える。高誘電率ゲート絶縁膜６はランタンを含有し、高誘電率ゲート絶縁膜６におけるゲート電極との界面に含まれているランタンの濃度は、高誘電率ゲート絶縁膜における界面層との界面に含まれているランタンの濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】低温で簡便なプロセスにより形成可能であり、高移動度で安定性の高い高性能薄膜トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０２、ゲート絶縁層３０３、ソース電極３０４、ドレイン電極３０５、及び半導体層３０６を有する薄膜トランジスタであって、半導体層３０６が酸化物半導体を含有し、かつゲート絶縁層３０３が有機基を有するケイ素化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。下層保護絶縁膜は、比誘電率が１０以上の高誘電体層を有してよい。上層保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減することが可能な有機トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に設けられている走査線１１及び信号線１２と、走査線１１と接続するゲート電極２１と、ゲート電極２１及び走査線１１を覆うように形成されている第１のゲート絶縁膜と、信号線１２と接続するソース電極２３と、チャネル領域Ｃを挟んでソース電極２３と対向して形成されているドレイン電極２４と、チャネル領域Ｃに形成されている有機半導体層２５とを備え、走査線１１及び信号線１２が交差して形成されている画素領域Ａ１、Ａ２に設けられる有機トランジスタ２０とを有する有機トランジスタアレイ１０において、ゲート電極２１は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２とに挟まれる領域Ｓに形成され、有機半導体層２５は、更に平面視でドレイン電極２４と信号線１２に挟まれる領域Ｓ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化が進んでも半導体装置の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設ける場合であっても、素子特性を向上させると共に、素子の信頼性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介してゲート電極層の一部と重なるように設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層上に設けられた半導体層を有する構造において、ソース電極層とドレイン電極層の間の領域に位置するゲート絶縁層の膜厚を、ゲート電極層とソース電極層の間に設けられたゲート絶縁層及びゲート電極層とドレイン電極層の間に設けられたゲート絶縁層の膜厚より小さくなるように設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第１の酸化物半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、第２の酸化物半導体膜を有する第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜上に接してＯＨ基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性良好なゲート絶縁膜によってトランジスタ特性を維持しながらも微細化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、表面層を構成するポリパラキシリレン層７ｂとこれとは異なる材料からなる有機絶縁層７ａとを積層してなるゲート絶縁膜７を備えている。ゲート絶縁膜７のポリパラキシリレン層７ｂ上にはソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄがパターン形成されている。またソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ間にわたるゲート絶縁膜７のポリパラキシリレン層７ｂ上には有機半導体層１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）