【課題】電極または金属配線と所望の絶縁膜とを密着でき、所望の低リーク電流特性および高耐圧特性を得ることができること。
【解決手段】この発明にかかるＨＥＭＴ１００は、基板１の上部に形成された化合物半導体層の電子供給層５の上部に、ソース電極６とゲート電極７とドレイン電極８と絶縁膜９，１０とを有する。ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０との各接合界面には窒化物系の接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃが形成され、ゲート電極７と絶縁膜９との接合界面には窒化物系の接合膜１１ｂが形成される。接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃは、ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０とをそれぞれ接合する。接合膜１１ｂは、ゲート電極７と絶縁膜９とを接合する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を使用し、ゲート電極に金属を含む導体膜を使用するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいて、生産性向上を図ることができる技術を提供することにある。そして、金属を含む導体膜の仕事関数値が酸化シリコン膜に接するとした場合にシリコンの価電子帯近傍の値から離れたものであっても、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を下げることができる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成されたｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ_１は、酸化ハフニウム膜よりなるゲート絶縁膜１０を有し、このゲート絶縁膜１０上に、酸化アルミニウム膜よりなる金属酸化物膜１１を有する。そして、金属酸化物膜１１上に窒化タンタル膜よりなるゲート電極１２を有している。ここで、金属酸化物膜１１は、ゲート電極１２の仕事関数値をシフトする機能を有している。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】種々のポリタイプの種々の面方位の面を主面とするＳｉＣウェハーを用いて、理論耐圧を有するトレンチゲート型の半導体素子を作製すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板２１にトレンチを形成し、このトレンチの底にＳｉＯ₂膜２９を埋め込む。トレンチ底のＳｉＯ₂膜２９の厚さをｔ_ox［μｍ］とし、素子の絶縁耐圧をＢＶ［ｋＶ］とすると、４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）Ｓｉ面を主面とするＳｉＣ基板を用いる場合には、ｔ_oxが［−０．０４ＢＶ²＋０．４４７６ＢＶ＋０．３９９６］よりも大きくなるようにする。ＳｉＣ基板のポリタイプおよび主面の面方位に応じて、所定の関係式から導かれる値よりもｔ_oxを大きくする。 （もっと読む）

本発明は、多数の積重された半導体領域を有する突起部またはフィン構造を備える三次元積層フィン型金属酸化物半導体（ＳＦ−ＭＯＳ）デバイスを提供するもので、第２半導体領域が分離領域によって第１半導体領域から分離されている。ゲート分離層が少なくとも突起部の側壁に延在し、ゲート電極がゲート分離層に延在する。ゲート電極は複数のゲート領域を備え、各ゲート領域が他の半導体領域にわたって延在する。これにより、各ゲート領域が他の半導体領域の伝導チャネルに影響を与え、その結果ＳＦ−ＭＯＳデバイスの性能を最適化し得る他の自由度を付加する。本発明は、さらに本発明に係るＳＦ−ＭＯＳデバイスを製造する方法を提供する。
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高速回復整流器構造体の装置および方法。具体的には構造体は第１のドーパントの基板（１２０）を含む。第１のドーパントが低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層（１４０）が基板に結合されている。第１の金属層（１９０）が第１のエピタキシャル層に結合されている。複数のトレンチ（１７５）が第１のエピタキシャル層内に窪んでおり、その各々が金属層と結合している。装置は各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルも含み、各ウェルは対応するトレンチの下に且つ隣接して形成されている。複数の酸化物層（１７０）が対応するトレンチの壁および底部上に形成されている。第１のドーパントがドープされた複数のチャネル領域が、２つの対応するウェル間の第１のエピタキシャル層内に形成されている。複数のチャネル領域（１５０）の各々は第１のエピタキシャル層より高濃度に第１のドーパントがドープされている。
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【課題】Ｆｉｎ型トランジスタの金属ゲート電極を高抵抗化させることなく、トランジスタを正常に動作させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体材料から成り、上面が保護膜４０で被覆されたＦｉｎ３０を絶縁層２０上に形成し、Ｆｉｎの側面にゲート絶縁膜５０を形成し、Ｆｉｎを被覆するようにゲート電極材料６０を堆積し、ゲート電極材料を平坦化し、ゲート電極材料を加工することによってゲート電極６２を形成し、ゲート電極を被覆するように層間絶縁膜９０を堆積し、ゲート電極の上面を露出させ、ゲート電極の上面上に金属１１０を堆積し、ゲート電極と金属とを反応させることによってゲート電極をシリサイド化し、金属のうち未反応の金属を除去することによって、保護膜の上面上に溝１１５が形成され、溝に導電体１２０を充填することを具備する。 （もっと読む）

【課題】スタンプ製造方法、それを利用した薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板との接触性が向上したスタンプ（Ｓｔａｍｐ）の製造方法を提供し、前記スタンプを利用して、基板上に帯電された領域を作った後に、前記帯電領域の電荷と反対電荷に帯電されたナノ物質を塗布又はメッキさせて、セルフアセンブリ（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ）を介して自己組織化単分子膜（ＳＡＭ；ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成することによって、精密なナノパターンを有する薄膜トランジスタ及び液晶表示装置の製造方法を提供し、これによって素子の性能を向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）と、少なくとも１つの半導体素子（Ｅ）を備える半導体本体（１２）とを有する半導体デバイス（１０）の製造方法であって、この半導体本体（１２）の表面上にメサ型半導体領域（１）が形成され、メサ型半導体領域（１）の頂部上での厚みがメサ型半導体領域（１）に隣接する領域（３）における厚みよりも小さな絶縁層（２）が、このメサ型半導体領域を覆って堆積され、次いで、メサ型半導体領域（１）の上側がなくなるように、メサ型半導体領域（１）の頂部の絶縁層（２）の一部を除去した後、メサ型半導体領域（１）に接触する導電膜（４）を、得られた構造を覆って堆積する方法に関する。本発明によれば、絶縁層（２）は、高密度プラズマ堆積プロセスを用いて堆積される。このような処理は、特に、例えばナノワイヤ形成のような小さなメサ型領域（１）を有するデバイスの製造方法に適している。好ましくは、絶縁層（２）の堆積前に、薄い更なる絶縁層（５）を、他の共形的堆積プロセスを用いて堆積する。
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【課題】基板に対する膜パターンの密着力を向上し、膜パターンを良好に形成することが
できる膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】機能液を基板上に供給して膜パターンを形成する際、基板と膜パターンとの
密着力を向上させるための中間層を基板上に形成する工程と、中間層上に機能液を供給す
ることによって膜パターンを形成する工程とを経て形成する。中間層はシロキサン結合を
主鎖とした無機材料を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに添加する添加元素が、Ｃｕ部材と接触するガス雰囲気又は固体に含まれる酸素と優先的に反応してＣｕの酸化を抑止する酸化被膜を形成することができる高導電率の配線、電極等を備える平面電子表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリックス状に交叉する電極線１７、１８と、その交点に配置された液晶画素２０と、外部の駆動回路に接続された端子電極とを有するアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において、電極線１７、１８、電極、配線層、端子電極のうちの少なくとも一つを銅を主成分とし、基板との界面に銅に添加した添加元素の酸化物層を形成する銅合金で形成する。この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な薄膜トランジスタ及びその作製技術を提供することを目的とする。また、薄膜トランジスタを構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 （もっと読む）

【課題】フルシリサイドゲート又はメタルゲートを用いたＣＭＯＳトランジスタ構造であって、特にフェルミ・レベル・ピニング現象の原因となる高誘電率材料とゲート電極材料との反応を抑制して所望の仕事関数を得られるようにし、且つ均一性及び歩留まりを高くできるようにする。
【解決手段】 ＣＭＯＳ型の半導体装置は、Ｓｉからなる基板１０１の上に順次形成され、ＨｆＳｉＯＮからなるゲート絶縁膜１０４Ａ及び全体がニッケルシリサイドからなるゲート電極１０６Ｂを有するｎ型トランジスタと、ＨｆＳｉＯＮからなるゲート絶縁膜１０４Ａ及び全体がニッケルシリサイドからなるゲート電極１０６Ｄを有するｐ型トランジスタとを備えている。ｐ側のゲート電極１０６Ｃの金属濃度は、ｎ側のゲート電極１０６Ｂの金属濃度よりも高くなるように設定されている。 （もっと読む）

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する一体構造が提供される。このＰｉＮダイオードと直列に、ＰｉＮダイオードとは逆向きのショットキーダイオードを組み込むことができる。ＰｉＮダイオードとショットキーコンタクトとの間に、直列抵抗または絶縁層を形成することができる。ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。第２の領域は、第１の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。第２の炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。
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【課題】半導体層の表面準位によって生じる逆方向バイアス時のリーク電流を低減する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１の上に形成された第１の半導体層４と、第１の半導体層４の上に互いに間隔をおいて形成されたショットキー電極７及びオーミック電極８と、ショットキー電極７及びオーミック電極８を露出し且つ第１の半導体層４の上を覆うように形成された第２の半導体層５とを備えている。第２の半導体層５は、第１の半導体層４と比べてバンドギャップが大きい半導体層である。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な銅配線層の形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体層とオーミック電極との間のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層(12)と、III族窒化物半導体層(12)とオーミック接触するオーミック電極(15)とを有し、III族窒化物半導体層(12)はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮで表される半導体からなり、オーミック電極(15)は、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ及びＳｒから選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層(13)を有する半導体装置(1)とする。 （もっと読む）

トレンチ内の酸化膜が差異的厚さを有するトレンチショットキーダイオード用の製造プロセスは、第１窒化層を基板表面に形成する工程と、その後に、場合により終端トレンチを含む、複数のトレンチを基板に形成する工程とを含む。犠牲酸化層の形成および除去に続いて、トレンチの側壁および底面が酸化される。次に、第２窒化層が基板に施され、第２窒化層がトレンチ側壁の酸化層を覆うが、トレンチ底面の酸化層を露出させるようにエッチングされる。次に、トレンチ底面は再び酸化され、次に、残りの第２窒化層は側壁から除去されて、厚さが変化する酸化層が各トレンチの側壁および底面に形成される。次に、トレンチはＰ型多結晶シリコンで充填され、第１窒化層は除去され、ショットキーバリア金属が、基板表面に施される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光によって加工を行う際に、被加工部分以外の部分が悪影響を受けない配線装置を提供する。
【解決手段】基板３０１上に、シリコン酸化膜からなる下部絶縁層３０２と、Ａｌからなる下部配線層３０３と、ポリイミドからなる上部絶縁層３０４と、Ａｌからなる上部配線層３０６とを有する。上記下部配線層３０３と、上部配線層３０６とが、接続配線３０８によって電気的に接続されている。下部絶縁層３０２は基板３０１に比べ熱伝導率が高く上部絶縁層３０４の開口形成時にレーザによる下部配線層３０３に溜った熱を放熱し下部配線層３０３の溶解や剥がれを防ぐ。 （もっと読む）