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Fターム[4M106BA01]の内容

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Fターム[4M106BA01]に分類される特許

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【課題】
実施形態は、パッド部と接触容易なプローブ針を提供する。
【解決手段】
本実施形態のプローブ針100は、半導体装置の検査に用いられるプローブ針100であって、前記半導体装置内のパッドと接触する面を含む端子部10(10a、10b)と、前記端子部10(10a、10b)と一体に接続され、前記端子部を支持する支持部20とを備えることを特徴とする。
また、本実施形態のプローブ針100は、前記端子部20は第1の面及び第2の面を有し、前記第1の面は、前記第2の面と異なる方向に延びるようにしてもよい。 (もっと読む)


【課題】半導体試験装置のベースユニットにおいて、プローブカードが、高温測定時の熱等の影響によって被試験デバイス方向に変形することを防ぐ。
【解決手段】ベースユニット本体と、ベースユニット本体の下方向に配置され、ベースユニット本体に対する傾きを変更可能な、プローブカードを固着するユニットの上部に設けられ、下面の両側に斜面が形成されたテーパブロックと、ベースユニットの下部において、テーパブロックの傾斜方向に設けられたガイド沿って直線移動可能であり、テーパブロックを挟んで配置された1対の下部プレートとを備え、1対の下部プレートは弾性手段により互いに連結され、それぞれの下部プレートは、ガイドに対する停止手段と、テーパブロックの斜面と接触する位置に設けられ、移動方向に回転する回転手段とを備えているベースユニット。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でウェハの高電圧試験において空気放電を防止できる高電圧試験方法を提供する。
【解決手段】電極パッド形成工程の後のレジストパターン形成工程において、互いに隣接するソース電極パッド3とドレイン電極パッド4との間の隙間領域上とその隙間領域の近傍のソース電極パッド3とドレイン電極パッド4の外縁領域上とを覆うように、かつ、互いに隣接するソース電極パッド3の露出部3aとドレイン電極パッド4の露出部4aの最短距離が予め設定された電極間距離よりも長くなるように、レジストパターン6を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線層が絶縁層を介して積層された多層配線基板の反り量が小さい多層配線基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】絶縁層を介して複数の配線層を積層し、絶縁層に形成された開口部を介して複数の配線層を導通してなる多層配線基板の製造方法であって、ガラス基板51を用い、ガラス基板51の第1の表面に圧縮応力層40A、第2の表面に圧縮応力層40B、を形成する工程と、圧縮応力層40Aの表面上に第1配線パターン52aを形成する配線パターン形成工程と、第1配線パターン52a上に絶縁層53を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層53に上下配線層を導通するための開口部54を形成する開口部形成工程と、配線パターン形成工程、及び、絶縁層形成工程、及び、開口部形成工程、を複数繰り返す工程を有し、ガラス基板51の第2の表面圧縮応力層40Bを所定の厚さ除去する圧縮応力層除去工程を有する。 (もっと読む)


【課題】測定経路端を接地して電気長を測定する場合に、経路に断線があっても測定結果を得られるようにする。
【解決手段】測定経路端を接地して電気長を測定する半導体試験装置であって、測定経路に測定信号を出力する信号発生手段と、測定経路から分岐して入力される入力信号と、任意の閾値電圧とを比較する比較手段と、信号発生手段に測定信号を出力させ、比較手段の入力信号が第1閾値電圧以上となってから第2閾値電圧以下となるまでの時間を計測し、所定時間内に計測された場合には、計測された時間に基づいて測定経路の電気長を算出し、所定時間内に計測されなかった場合には、比較手段の入力信号が第1閾値電圧以上となってから、第1閾値電圧よりも高い第3閾値電圧以上となるまでの時間を計測して、測定経路の異常箇所までの電気長を算出する電気長測定制御手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板において、表面再結合速度およびバルクライフタイムを分離評価する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板において、3種類の半導体基板に対してそれぞれの一次モードのライフタイムτ11、τ21、τ31を測定し、得られたτ11、τ31および数式(1)乃至数式(3)を用いて、第1乃至第3の相関曲線を得て、第3の相関曲線にτ21を代入し、バルクライフタイムτを得ることができる。また、第1および第2の相関曲線に得られたτを代入し、表面再結合速度SおよびSを得ることができる。




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【課題】ウェハを対象とした半導体試験装置において、簡易にプローブ先端を接地状態として電気長測定を行なえるようにする。
【解決手段】試験対象のウェハと接触するプローブを複数備えた半導体試験装置における、プローブを一端とする信号経路の電気長測定方法であって、電気伝導性領域を有するキャリブレーションウェハの電気伝導性領域を全プローブに接触させ、信号経路の他端から測定信号を入力し、電気伝導性領域との接触部で反射した信号波形を他端側で測定することにより電気長を算出する。 (もっと読む)


【課題】プローブで発生した熱を効率よく放散し、プローブの温度上昇を効果的に抑制することにある。
【解決手段】電気信号を通すプローブは、配線基板の接続電極に取り付けられる接続領域を有する外面を備えるプローブの本体部と、前記本体部に埋設され、前記本体部の前記外面から一部を露出する少なくとも1つの伝熱部と、前記伝熱部の露出する前記一部に接し、前記接続領域を除く前記外面の少なくとも一領域を覆う膜状の放熱部とを含む。前記本体部は導電性材料からなり、前記伝熱部及び前記放熱部は、前記導電性材料よりも伝熱性の高い材料からなる。 (もっと読む)


【課題】平坦度調節部材及びこれを備えるプローブカードに関する。
【解決手段】検査対象物のパターンと接触可能な複数のプローブピンが下面に突出具備される第1基板110と、第1基板の上部に備えられ、第1基板110と電気接続手段を介して電気的に連結される第2基板140と、第1基板と第2基板との間に備えられ平坦度を調節するための平坦度調節部材と、を含み、平坦度調節部材は、第1基板110の上面に接着される固定ボルト120と、第2基板140を上部から貫通して固定ボルト120と結合する調整ボルト170と、を含み、第1基板110の上面のうち固定ボルト120が接着される部分には、第1基板110と固定ボルト120との間の結合力を増大させる固着力強化部110aが形成されるプローブカードを開示する。 (もっと読む)


【課題】基板の微細化及び複雑化に対応でき、検査時には強い押圧力を且つ非検査時には弱い押圧力を提供できる微細な接触子及び検査用治具の提供。
【解決手段】複数の検査点を有する被検査物と、電気的特性を検査する検査装置とを電気的に接続する検査用治具であって、検査装置と接続される電極部を複数備える電極体と、電極部と検査点を接続する検査用接触子と、検査用接触子は、両端に開口部を有し、先端開口部が電極部の表面と当接する導電性の筒状部材と、筒状部材の後端開口部から突出されるとともに該筒状部材内部に配置され、先端が検査点に接触する導電性の棒状部材と、筒状部材と棒状部材を電気的に接続する固定部とを備え、筒状部材は、筒状部材の壁部に長軸方向に伸縮する螺旋状の切欠が形成される第一切欠部と、第二切欠部を有し、第一切欠部又は第二切欠部のいずれかが、棒状部材が検査点に当接して検査が実施される際に、収縮の限界に達している。 (もっと読む)


【課題】薄板化したウェハに対して、ハンドリングミスを起こすことなく安定的に支持・搬送して、デバイスの電気特性試験を容易・確実に行えるようにする。
【解決手段】ウェハ73の表面に粘着テープ72を貼り付け、ダイシングフレーム71にウェハ73を保持したまま、ダイシングフレーム71を搬送可能な状態に形成する。この場合、粘着テープ72は、ウェハ73のパターン形成面74側に貼り付けられ、ウェハ73の外縁部が残存するように剥離して、パターン形成面74を露出させる。また、粘着テープ72には、剥離用のプリカットライン75が形成されており、プリカットライン75に沿って粘着テープ72を簡単に剥離できる。 (もっと読む)


【課題】被検体との低付着性を実現するとともに、長期間に亘って安定な導電性を保つことができ、特に、約85℃程度の高温での繰返し接触や、大気中で長期間放置された後も、被検体との低付着性を実現すると共に、接触抵抗の上昇を抑制し得、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできる電気的接点部材を提供する。
【解決手段】電気的接点部材は、被検体に繰返し接触する電気的接点部材であって、被検体と接触する電気的接点部材の表面は、Pdを含有する炭素被膜で構成されている。 (もっと読む)


【課題】 狭ピッチ多ピンの格子状配列型パッドに適応可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】 垂直プローブ部とプローブのバネ構造部と回路基板までの導電部を樹脂フィルム上に1つ又は複数配置した第1のプローブ群と、前記第1のプローブ群と同一又は異なる配置のプローブ群を有する第2、第3、第4等のプローブを適切な間隔で積層し、前記プローブ付樹脂フィルム上のプローブの端子配列方向が、ウェハ上のチップのパッドのXY方向配列に対して所定の角度を有することにより、所望の格子配列のパッド接続部を有する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりを向上可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成される検査用トランジスタおよび製品用トランジスタのソースおよびドレインを活性化させるアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程後における検査用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる検査用サリサイド工程と、検査用サリサイド工程後における検査用トランジスタの特性を測定する測定工程と、測定工程によって測定された特性と所望の特性との差分とに基づいて製品用トランジスタの特性を所望の特性へ近付ける特性調整アニール処理を行う特性調整アニール工程と、特性調整アニール工程後における製品用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる本サリサイド工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】組み立てが簡易で、確実に機能する接続端子及び検査用治具を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、大径の円筒形状部の一部にばね部が形成され、小径の導電部の先端部の先端面が、大径の円筒形状部の先端面から突出し、さらに、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部のばね部が形成されていない部分であってばね部よりも先端面に近い部分に接合されていて、小径の導電部の先端部の先端面が、対象点に押しあてられてばね部が収縮する際に、ばね部が小径の導電部の軸線を中心に旋回する。 (もっと読む)


【課題】ウエハの電気特性検査時にプローブ針の先端に付着する異物に起因する検査精度の低下を抑制する。
【解決手段】ウエハの電気特性検査工程で使用するプローブカード15Aは、配線基板30と、配線基板30に取り付けられた金属製のプローブ針固定部31と、プローブ針固定部31に接合された複数のプローブ針33とを有している。プローブ針固定部31には、冷却管24が挿通されており、この冷却管24内を流れる冷却液Cによって、プローブ針固定部31に接合されたプローブ針33が冷却されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】組み立てが簡易で、確実に機能する接続端子及び検査用治具を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、大径の円筒形状部の一部にばね部が形成され、小径の導電部の先端部の先端面が、大径の円筒形状部の先端面から突出し、さらに、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部のばね部が形成されていない部分であってばね部よりも先端面に近い部分に接合されていて、小径の導電部の先端部の先端面が、対象点に押しあてられてばね部が収縮する際に、ばね部が小径の導電部の軸線を中心に旋回する。 (もっと読む)


【課題】 弾性変形時における針圧や高周波特性を確保しつつ、耐電流性能を向上させることができる電気的接触子を提供する。
【解決手段】 コンタクトプローブ100は、弾性変形部1とコンタクト部2とからなり、弾性変形部1が、長尺方向の力によって弾性変形する細長い板状体10A,10Bと、板状体10A,10Bの長尺方向と交差するワーク対向面12w上にコンタクト部2が配置され、空隙10Sを介して主面を対向させた状態で板状体10A,10Bの一端を互いに結合させる針先結合部12と、板状体10A,10Bの他端を互いに結合させる針元結合部11とからなる。板状体10A,10Bは、第1の導電性金属からなる応力層101,103と、第1の導電性金属よりも比抵抗が小さい第2の導電性金属からなる電導層102とから形成され、第1の導電性金属の機械的強度が第2の導電性金属よりも高い。 (もっと読む)


【課題】バインダ分解ガスを基板の外部に良好に放出することができ、かつ、基板表面に配置される導体配線に安定して通電することのできるウェハ検査用の配線基板が求められている。
【解決手段】上面ならびに中央領域5aおよび周縁領域5bを有する下面を備えた積層体5と、積層体5の下面の周縁領域5bに配設された複数の入出力端子9とを具備し、積層体5が、平面透視した場合に、中央領域5aに位置して下面に開口して複数のセラミック層3の途中まで到る穴部19および周縁領域5bと重なるように内部に位置する中空部21を備えたウェハ検査用の配線基板1とする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の金属汚染評価をDLTS法によってより一層高感度に行うための手段を提供する。
【解決手段】半導体試料上の半導体接合に対して空乏層を形成するための逆方向電圧VRと該空乏層にキャリアを捕獲するための弱電圧V1とを交互かつ周期的に印加することで発生するDLTS信号を温度を変化させながら測定し第一のDLTSスペクトルを得て、又上記半導体接合に対して、上記VRを周期的に印加することで発生するDLTS信号を温度を変化させながら測定し第二のDLTSスペクトルを得て、第二のDLTSスペクトル、または第二のDLTSスペクトルを直線ないし曲線近似して得られたスペクトルを補正用スペクトルとして、該補正用スペクトルと前記第一のDLTSスペクトルとの差分スペクトルを得る。前記差分スペクトルを評価用DLTSスペクトルとして用いる。 (もっと読む)


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