【課題】探針の先端等の電気的接触性が悪化しても、探針のファーストコンタクトを正確に検出する。
【解決手段】プローブカードの複数の探針の研磨を行う際に上記各探針のうちのいずれかが最初に研磨材に接触するファーストコンタクトを検出するファーストコンタクト検出システム及びそれを用いた研磨装置である。上記探針の接触に伴って発生して上記プローブカードを伝播する弾性波を検出するＡＥセンサと、当該ＡＥセンサの検出信号を基に、上記ファーストコンタクトを検知するＡＥ検知装置と、当該ＡＥ検知装置からの検知信号を受けて、その時点での研磨材の位置を基準に設定し、その基準位置に上記各探針のばらつき量を加算した位置を目標位置に設定して、上記研磨材をその目標位置まで上昇させる制御部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 プロービング試験において、ウェハ１枚当たりの測定時間を短縮し、同時測定による効率的なプロービング試験の方法を提供する。
【解決手段】
各プロービング試験工程において、前回までのプロービング試験工程の良否結果が保存されたデータベースを参照し、前回までのプロービング試験工程の良否結果が全て良品のチップ（図の網掛け部分で記載）が含まれるように、同時測定の対象となるチップ群を算出する。特に、ウェハ内の第１方向（Ｘ方向）に配列したチップ列に対し順に同時測定を行なうに際し、チップ群の算出において、チップ群の先頭位置のチップが不良品の場合、当該先頭位置のチップが良品チップとなるまで、チップ群の先頭位置を第１方向に移動させる工程を備えることにより、同時測定の回数を低減する。 （もっと読む）

【課題】 伝搬遅延時間の測定値が所定範囲外になる恐れがある配線が、外部のＬＳＩテスタによって測定対象となっても、ＬＳＩテスタにエラー処理を実行させないようにできるプローブカードを提供する。
【解決手段】 プローブカードの少なくとも一部の配線はそれぞれ、自配線の一端に、投入された伝搬遅延時間測定用のパルス波形を、自配線の他端以外の箇所で反射させる反射箇所規定構造を有する。例えば、反射箇所規定構造を有する配線は、ＬＳＩテスタ寄りの配線部分と、ＤＵＴ寄りの配線部分と、これらの配線部分間に介挿された、パルス波形の周波数成分に対し、各配線部分より高インピーダンスのフェライトビーズとを有し、ＬＳＩテスタ寄りの配線部分とフェライトビーズとの境界をパルス波形の反射箇所にしている。 （もっと読む）

【課題】接触端子の劣化を防止することができる接触端子の支持体を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された半導体デバイスを検査するプローブカード１０は多数のプローブ１２を支持するハウジング１３を備え、該ハウジング１３の本体１５は複数の金属薄板１４が積層されて構成され、本体１５を厚み方向に貫通する各プローブ穴１６には各プローブ１２が挿嵌され、本体１５に内蔵された各冷媒流路１７がハウジング１３を冷却する。 （もっと読む）

【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ電極の微細ピッチ化及び電極の配列の狭ピッチ化に対応して効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ、プローブユニット及び検査用治具を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体２１の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体２１の電極２２に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、微小電気機械システム技術によって基板１２に形成されたものであり、接触子１３の先端側が基板１２の表面に対して所定角度で屈曲されている。 （もっと読む）

【課題】測定値のヒストグラムにおいて、複数の主分布を含む場合であっても、主分布から外れた特異値を示す半導体装置を特定できる半導体装置のスクリーニング装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置のスクリーニング装置は、半導体装置の特性に関する測定結果から構成される測定値集合を、所定の規則に基づき分割することで、複数の測定値部分集合を生成するデータ分割部と、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果の評価基準となる第１の評価値を算出する第１の評価値算出部と、第１の評価値に基づいて、複数の測定値部分集合それぞれに含まれる測定結果を変換するデータ変換部と、データ変換部が変換した後の測定結果の評価基準となる第２の評価値を算出する第２の評価値算出部と、第２の評価値に基づいて、測定対象である半導体装置の良否を判定する判定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路のクロックに一定周波数のクロックのみを供給しつつ半導体集積回路の内部クロックを動的に変化させて半導体集積回路のランダム・ロジックを検査する。
【解決手段】複数の組み合わせ回路と当該複数の組み合わせ回路のスキャンテストを行うためのスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを有する半導体集積回路、の検査方法を、クロック生成装置から前記半導体集積回路に一定周波数の第１クロックを入力する入力工程と、前記半導体集積回路の内蔵する分周器が前記第１クロックを分周して第２クロックを生成する分周工程と、前記複数のスキャンフリップフロップに入力するクロックを、前記第１クロックと前記第２クロックとの間で動的に切り替えつつ前記半導体集積回路を検査する検査工程と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ小型で精密な電気特性検査が可能なパワー半導体測定用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】パワー半導体測定用コンタクトプローブ１は、円筒状のスリーブ２と、スリーブ２内を摺動自在に嵌合するプランジャーコンタクト３と、プランジャーコンタクト３をパワー半導体の外部接続用端子へ向けて付勢するコイルスプリング４とを備え、プランジャーコンタクト４のコンタクト側を可動軸受け５に圧入して固定し、非コンタクト側を固定軸受け６に摺動自在に挿通し、可動軸受け５と、固定軸受け６とで、スリーブ２内にプランジャーコンタクト３を摺動自在とし、可動軸受け５と、固定軸受け６との間にコイルスプリング４をプランジャーコンタクト３に装着して配置し、コイルスプリング４を、スリーブ２、プランジャーコンタクト３、可動軸受け５、固定軸受け６に対して電気的に絶縁した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化及び溶損を防止することができるプローブカード用接触端子を提供する。
【解決手段】半導体デバイスを検査するプローブカード１０のベース１１において半導体デバイスと対向する面には、複数のポゴピン１２が配され、各ポゴピン１２のプランジャー１４は柱状の接触部１４ｃを有し、接触部１４ｃは、柱状の中心部１４ｄと、中心部１４ｄの側面を覆う外部筒１４ｅとを有し、外部筒１４ｅを構成する材料の硬度及び比抵抗は、中心部１４ｄを構成する材料の硬度及び比抵抗と異なる。 （もっと読む）

【課題】高温や低温での試験直後でも熱の影響を受けずにハンドリング作業を可能にするプローブカードのハンドリング機構を提供する。
【解決手段】プローブ１８を複数備えたプローブカード１７をハンドリングするためのハンドリング機構２５である。上記プローブカード１７に取り付けられて当該プローブカード１７がハンドリングされる際に用いられるハンドル２６と、当該ハンドル２６を上記プローブカード１７に着脱可能に取り付ける着脱機構２７とを備えた。上記ハンドル２６は、複数の上記プローブカード１７のいずれにも装着できる。 （もっと読む）

【課題】バーンインテストで温度を変える場合にプローブカード用配線基板が反ってウエハ上の端子とプローブが電気的に接続されない問題がおきやすく、そのためにバーンインテストにかかる時間を短縮できないので、バーンインテストを短縮できるプローブカード用配線基板とするためには改善が必要なものであった。
【解決手段】プローブカード用配線基板３において、ダミービア２ｂを含むビア２とを備えており、表層部１ａの横断面における絶縁基体１に対するビア２の面積比は、内層部１ｂの横断面における絶縁基体に対するビア２の面積比より高くなっていることによって、プローブカード用配線基板３の上下の表層部１ａから内層部１ｂには接続用ビア２ａに加えてダミービア２ｂによって効率的に熱が伝導されるようになるので、バーンインテスト時に短時間で定常な温度分布状態となるので、バーンインテストにかかる時間を短縮することに関して向上されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブピンが接合される電極パッドがプローブ基板から剥離されることを防止できるプローブカード及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例によるプローブカードは、一面に少なくとも一つのパッド用溝が形成され、上記パッド用溝に埋め込まれる形態に形成される電極パッドを具備するセラミック基板と、上記電極パッドに接合されるプローブピンと、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの位置ずれを防止することが可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを固定する真空チャックを備えたウエハ保持具３と、上記ウエハ保持具３と対向して配置され、プローブ４が設けられたカード基板２と、上記ウエハ保持具３と上記カード基板２の間に密閉空間を作るために、上記ウエハ保持具３と上記カード基板２の間に上記半導体ウエハ６と上記プローブ４を取り囲むように設けられたスペーサ５と、上記密閉空間を減圧し、上記真空チャックにより上記半導体ウエハ６を吸着するための減圧装置を備えた半導体検査装置であって、上記密閉空間の圧力を、大気圧より低く、かつ、上記真空チャックの圧力よりも高い状態に維持するように減圧装置を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 各プローブの針先の挙動量の差を小さくするプローブカードを提供する。
【解決手段】半導体回路の電気的検査のために、テスタと半導体回路の複数の電極とを接続するプローブカード。テスタに接続される配線路が形成され、半導体回路の電極に対向して該電極から間隔をおいて配置される回路基板と、多数のプローブであってそれぞれが対応する配線路に接続される基端及び半導体回路の対応する電極に接続可能な針先を有し、各プローブが、半導体回路へ向けての所定の侵入角度を有するように回路基板に関して傾斜配置されかつ多段に配置された多数のプローブと、各プローブの基端と針先を含む自由端部分との間で、プローブを回路基板に保持する保持部材とを含む。少なくとも一部のプローブは、保持部材内を伸長する第１の直線部分及び該第１の直線部分に所定の角度をなして保持部内を伸長し該保持部材の外方で自由端部分に連なる第２の直線部分を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウエハの検査において、半導体ウエハの裏面電極の端子としての機能を維持しつつ、半導体ウエハに過度の力がかかることを防止できる半導体ウエハ、半導体ウエハ検査装置、及び半導体ウエハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、ダイシングラインを隔てて複数のチップが並ぶ半導体ウエハの表面側に形成された表面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを隔てて形成された複数の裏面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを跨いで該複数の裏面電極を電気的に接続する接続パターンと、を備える。該複数の裏面電極のうちの少なくともひとつは、該半導体ウエハのバイアホールを介して該表面電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】電極とシリコンとのオーミック・コンタクトを容易に得ることができ、その電極を使用してシリコンのライフタイム測定ができ、その測定に利用できる測定ヘッドを提供する。
【解決手段】測定対象であるシリコン１に電極２Ａ，２Ｂを押し当てて回転させ、シリコン１と電極２Ａ，２Ｂとの接触部にオーミック・コンタクトを形成し、シリコン１にパルス光を照射し、その照射により発生する過剰キャリアにより変化する電気伝導度の時間的な変化量を測定して少数キャリアの再結合ライフタイムを測定する。電極２Ａ，２Ｂをシリコン１に押し付けるシリンダと、電極２Ａ，２Ｂを回転させるモータと、当該電極と電気的に導通するプローブと、シリコン１に励起エネルギーを出射する光照射部を備え、電極を押し具でシリコン１に押し付けながらモータで回転させて、電極２Ａ，２Ｂとシリコン１とのオーミック・コンタクトを得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】シングルアーム構成及びダブルアーム構成のカンチレバー型プローブの交換をする際に、アーム部が引き剥がし易いプローブ構造を提供する。
【解決手段】接触子１２と、一方の端部に前記接触子１２が取り付けられ、他方の端部が固定された板材で構成されたアーム部とから成るプローブを備え、アーム部の固定は、基板に接合された台座２６に、剥離層２４を介して接合されていることを特徴とするプローブカードである。剥離層２４は、台座２６と基板２８の接合部よりも狭い面積である。また、アーム部は、スペーサを介して下側アーム１６と、下側アーム１６の厚さと同等かより厚い上側アーム２２の２つのアームを備えたダブルアーム構造とし、台座２６に剥離層２４を介して接合され、下側アーム１６を上側アーム２２より長くしたことを特徴とするプローブカードである。 （もっと読む）