【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高温動作しても信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】半導体素子３と、半導体素子３に一端Ｅｉ部が接合され、他端Ｅｘが外部機器と電気接続される端子部材であるリードフレーム４と、樹脂にフィラを充填し、当該樹脂の線膨張係数よりも半導体素子３の線膨張係数に近い線膨張係数を有するようにフィラ充填率を調整した材料で構成され、端子部材４の一端Ｅｉ部とともに半導体素子３を封止する封止体１と、を備え、端子部材４，９のうち、少なくとも一部の端子部材４には、封止体１のフィラ充填率よりもフィラ充填率の低い樹脂材料で構成され、封止体１による封止端Ｂｅを含み、封止端Ｂｅ近傍部分から一端Ｅｉ部に向かう一端Ｅｉ部に達しない所定位置Ｐｃまでの範囲を被覆する被覆層２が形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】 金属電極の腐食を防止する電極腐食防止剤の作製、及びこれを用いた発光デバイスを提供することである。
【解決手段】 テトラアルコキシシラン、メチルトリアルコキシシラン、トリアルコキシビニルシラン、（３−メルカプトプロピル）トリアルコキシシランからなるシロキサン化合物を含むことを特徴とする電極腐食防止剤を作製し、これを発光デバイスに用いることにより、耐腐食性、耐熱性、耐光性を有する高信頼性の発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】封止シートを用いて簡便に作製でき、かつ、厚みの薄いもので、低い色度角度依存性を有する光半導体装置、及び該装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体素子を埋設可能な封止樹脂層及び光波長変換粒子を含有する波長変換層が直接又は間接的に積層されてなる光半導体素子封止用シートを用いて、該封止樹脂層が光半導体素子搭載基板に対向するよう配置して凹型金型を用いて成型してなる光半導体装置であって、光半導体素子を埋設した成型体の上面の面積が、該上面の面積と成型体の側面の面積の合計面積のうち40％以上、60％未満であることを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ実装で、はんだバンプと接合されない電極および／または配線の部分で、液状封止材の塗布後、硬化前に、液状封止材のフィラー密度が低下する現象を抑制することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）はんだバンプを備えた電子部品と、はんだバンプと接合するための電極および／または配線、ならびにはんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線を備える基板とを、はんだバンプを介して接合する工程、と（Ｂ）電子部品と基板の間隙に、フィラーを含有する液状封止材を塗布し、硬化させる工程を備える電子部品の実装方法であって、（Ｂ）工程の前に、基板に備えられた、はんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線の表面を、有機物で被覆する工程を有する、電子部品の実装方法。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル剤の薄膜形成が容易であり、また、大型ダイを用いたフリップチップ半導体装置の製造方法、及び該製造方法を用いて製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】（ｉ）シリコンウエハ３の、半田バンプ２を備えた表面上に、第１アンダーフィル剤１をスプレー噴射装置で塗付し、該第１アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、半田バンプの高さの０．５〜１．０倍の厚みをもつ、Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層を形成する工程、（ｉｉ）工程（ｉ）で得られたＢ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層の表面上に、第２アンダーフィル剤をスプレー噴射装置で塗付し、該第２アンダーフィル剤をＢ−ステージ化して、前記Ｂ−ステージ状態の第１アンダーフィル剤層と第２アンダーフィル剤層４の合計の厚みが、半田バンプの高さの１．０〜１．３倍となるように、Ｂ−ステージ状態の第２アンダーフィル剤層を形成する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｂステージにおいてタックフリーを実現することができ、ボンディング時に溶融粘度を低下させることができるとともに、適度な速度で硬化反応を進行させて、ポストキュア時の剥離や流れ出しを抑制し、優れた接着強度を有し、優れた接着性を維持することができるエポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定構造のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び式（２）


で示されるナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種の結晶性エポキシ樹脂１５〜５７．５質量％、（Ｂ）硬化剤として酸無水物及びフェノール樹脂の合計量３〜５０質量％、（Ｃ）硬化促進剤０．１〜２質量％を含むエポキシ樹脂組成物及びそれを使用する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを低温で緊密に封止可能な封止剤及び封止方法を提供する。
【解決手段】デバイスをモールドして封止するための封止剤は、共重合ポリアミド系樹脂の粉体で構成されている。共重合ポリアミド系樹脂は結晶性を有していてもよく、共重合ポリアミド系樹脂の融点又は軟化点は７５〜１６０℃であってもよい。共重合ポリアミド系樹脂は、多元共重合体、例えば、二元又は三元共重合体であってもよい。さらに、共重合ポリアミド系樹脂は、Ｃ_８−１６アルキレン基を有する長鎖成分（Ｃ_９−１７ラクタム及びアミノＣ_９−１７アルカンカルボン酸から選択された少なくとも一種の成分）に由来する単位を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制しながら、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法に用いる封止樹脂を提供する。
【解決手段】フリップチップ実装による半導体チップ実装体の製造方法であって、ハンダからなるバンプを有する半導体チップを、封止樹脂が塗布又は貼付された基板又は他の半導体チップ上に、前記封止樹脂を介して位置合わせする工程と、前記ハンダの溶融温度よりも低い温度で加熱するとともに荷重を付与して、前記封止樹脂の硬化率を７０％以上に調整するとともに、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接触させて半導体チップ固定体を得る固定工程と、前記ハンダを溶融させて、前記バンプと前記基板又は他の半導体チップの電極部とを接続する電極接続工程とを有する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】裏面に突起電極を有する半導体ウエハの前記突起電極を被覆するように設けられ、加熱硬化処理を行った後、研削することにより前記突起電極を露出させるために使用される熱硬化性樹脂組成物において、研削時に熱硬化性樹脂組成物にクラックが発生することを防止することができ、さらに、熱硬化後の比誘電率を低くすることができる熱硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】上記課題は、熱硬化性樹脂組成物の構成成分として、酸硬化性の環状オレフィン樹脂（Ａ）、光または熱により酸を発生する酸発生剤（Ｂ）を適用することにより解決することができる。 （もっと読む）

【課題】揮発分の少ない均一な乾燥状態の厚い電子部品封止用シート状エポキシ樹脂組成物材料を短時間で作製することが可能な電子部品封止用シート状エポキシ樹脂組成物材料の製造方法とそれにより得られる電子部品を提供する。
【解決手段】溶剤に希釈したエポキシ樹脂組成物をキャリア材に塗布、乾燥して得た半硬化状態のキャリア材付きシート状エポキシ樹脂組成物材料を少なくとも２枚用意する工程と、これらのキャリア材付きシート状エポキシ樹脂組成物材料のうち２枚をシート状エポキシ樹脂組成物材料同士が接するように重ね合わせ、必要に応じてこの重ね合わせを複数回行うことにより、最終的にシート状エポキシ樹脂組成物材料を２枚のキャリア材の内側に全て重ね合わせてシート状エポキシ樹脂組成物材料の合計厚みが１５０〜５００μｍとなるように厚膜化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って０．０５〜１０μｍ厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。
【効果】本発明によれば、ガス透過性を大幅に改善することでリフレクターの反射率低下を防止し、腐食性ガスの侵入による腐食を防止することができ、これにより長期の信頼性を確保した発光半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の封止加工が可能な半硬化状態を形成でき、かつ、耐光性、耐熱性に加えて、機械的強度及び接着性にも優れるシリコーン樹脂組成物を提供できる熱硬化性シリコーン樹脂用組成物、該組成物の半硬化物であるシリコーン樹脂シート、該シートをさらに硬化させた樹脂硬化物、ならびに該シートにより封止されている光半導体装置を提供すること。
【解決手段】(１)末端にシラノール基を有するオルガノポリシロキサン、(２)アルケニル基含有ケイ素化合物、(３)エポキシ基含有ケイ素化合物、(４)オルガノハイドロジェンシロキサン、(５)縮合触媒、(６)ヒドロシリル化触媒、及び(７)シリカ粒子を含有してなる熱硬化性シリコーン樹脂用組成物であって、前記シリカ粒子が、体積中位粒径が2〜50μm、粒径が1μm以下の粒子の含有量が15個数％以下、かつ、粒径が60μm以上の粒子の含有量が15個数％以下のシリカ粒子である、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物。 （もっと読む）

【課題】光透過率の温度依存性が低く、温度に対する光透過率の変動を低減することのできる光学用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）硬化剤を含有するとともに、硬化物の屈折率よりも高い屈折率を有する無機質充填剤と、硬化物の屈折率未満の低い屈折率を有する無機質充填剤を含む無機質充填剤（Ｃ）を含有する光学用エポキシ樹脂組成物であり、該樹脂組成物を硬化して得られる光学部品、光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子の封止加工が可能な半硬化状態を形成でき、その状態を維持し、さらには、耐光性及び耐熱性に優れるシリコーン樹脂組成物を提供できるシリコーン樹脂用組成物、該組成物の半硬化物であるシリコーン樹脂シート、該シートをさらに硬化させた樹脂硬化物、及び該シートにより封止されている光半導体装置を提供すること。
【解決手段】(１)末端にシラノール基を有するオルガノポリシロキサン、(２)１分子中に少なくとも１個のアルケニルシリル基と少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、(３)縮合触媒、及び(４)ヒドロシリル化触媒を含有してなる、シリコーン樹脂用組成物。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器を小型化した場合にも、電子部品の実装面積を確保するとともに放熱効果を高めることのできる圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電発振器１は、圧電振動片２６をパッケージ２２に収納した圧電振動子２と、パッケージ２２下面外周の３辺上に立設された壁部４と、パッケージ２２の下面に実装された電子部品６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】リンフェノールノボラック樹脂を硬化剤とした新規な難燃性エポキシ樹脂組成物、並びに難燃剤のブリードアウト等を防止でき、さらに難燃性、電気特性や耐吸水性に優れたエポキシ樹脂硬化物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂架橋基にビス（メチルフェニル）ホスフィンオキシド基を含むことを特徴とするフェノールノボラック樹脂。該フェノールノボラック樹脂を硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物、並びに該エポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。 （もっと読む）

【課題】配線の剥離、クラック等を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に形成された弾性波素子４と、弾性波素子４と電気的に接続され、少なくとも一部の領域がＩＤＴ５を形成する形成する金属からなるＡｌ層１３上に別の金属層１４を積層した複数の金属層により形成される配線６と、弾性波素子４と配線６とにおける、ＩＤＴ５を形成するＡｌ層１３により形成され、かつ金属層１４を含まない領域と、複数の金属層からなる領域との境界１５に接触しないように、弾性波素子４及び配線６を覆う絶縁層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板に実装した後にアンダーフィル樹脂を充填する必要がなく、耐落下衝撃性を向上できる半導体部品の実装方法を提供する。
【解決手段】はんだ粒子及びフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物１を用いて半導体部品２と回路基板４とを接合する接合部６を設ける半導体部品２の実装方法に関する。熱硬化性樹脂組成物１を回路基板４の電極５ごとに塗布する。熱硬化性樹脂組成物１を被覆するように、フラックス成分を含有しない封止材９を塗布する。熱硬化性樹脂組成物１及び封止材９が共に未硬化状態のまま、半導体部品２の端子３と回路基板４の電極５とが対向するように半導体部品２と回路基板４とを重ねて加熱する。熱硬化性樹脂組成物１を硬化させて、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部７と、はんだ部７の周囲を被覆する樹脂硬化部８とで形成される接合部６を設ける。封止材９を硬化させて、接合部６の周囲を封止する。 （もっと読む）

【課題】電子部品内蔵モジュールを実装する際の加熱により、電子部品内蔵モジュール内のはんだが溶融することに起因して発生するはんだの移動や飛散を抑制すること。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、電子部品２及び基板３を覆う第１樹脂１０と、第１樹脂１０の表面を覆う第２樹脂４とを含む。第１樹脂１０は、空隙を有する樹脂で構成される。そして、第１樹脂１０は、基板３の表面の電子部品２が実装されている部分の厚さよりも電子部品２が実装されていない部分の厚さの方が大きくなるように構成される。第２樹脂４は、第１樹脂１０よりも空隙率が低い。 （もっと読む）