【課題】温度補償型の圧力センサモジュールにおいて、温度測定部および温度補償部を備えた温度補償装置と、圧力検出部を備えた圧力センサ装置とが互いに別々の半導体基板に形成された場合であっても、温度測定部が圧力センサ装置の温度を正確に測定することができ、適切に温度補償された圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異なる厚さを有する少なくとも２つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第１の基板と異なる厚さの第１及び第２の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、ａ）第１の基板の前面を加工して第１の基板よりも薄い第１の厚さの少なくとも１つの第１の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、ｂ）懸架領域下部の第１の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第１の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、ｃ）第１の基板の前面上に犠牲層を形成し、ｄ）第１の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも１つの第２の懸架領域を形成し、第１の懸架領域の停止層に到達させ、ｅ）第１及び第２の懸架領域をリリースする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲（指向性の範囲）を広げることが可能なマイクロホン装置を提供する。
【解決手段】このＭＥＭＳマイク１０（マイクロホン装置）は、音波により振動するダイアフラム１４１を含み、ダイアフラム１４１の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部１４と、内部に振動部１４を収容するとともに、ダイアフラム１４１の下面に音波を導く第１音道１７１と、ダイアフラム１４１の上面に音波を導く第２音道１７２とを含むマイクロホン筐体１７とを備え、第１音道１７１には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第２音道１７２に対して音波を遅延させる音波遅延部１２１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】流体の大気導入口への干渉を効果的に防止した半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、ケース１０と、ケース１０内に被測定対象の流体を導入する圧力導入口１１と、大気を導入する大気導入口１２と、大気圧に対する流体の圧力を測定するセンサチップ２０と、を備えている。圧力導入口１１及び大気導入口１２は、ケース１０の同一面側に配設されており、圧力導入口１１はケース１０の表面に立設された管状の圧力導入部１０ｂに連通しており、大気導入口１２は圧力導入部１０ｂに並置された管状の大気圧導入部１０ｃおよびケース１０内に連通している。そして、大気圧導入部１０ｃにおける大気導入口１２から離間した位置に複数の凹部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンチップの一部をモールド樹脂で封止し、他部をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置の製造方法において、シリコンチップの露出部分と封止部分との境界を封止するための封止部材を、シリコンチップに取り付けるときの応力を低減し、シリコンチップへの損傷を極力抑制する。
【解決手段】封止部材として熱印加により収縮する材料よりなる環状の収縮シール部材６０を用意し、この収縮シール部材６０にシリコンチップ１０を挿入して上記境界１３に設けた後、収縮シール部材６０に熱を印加して収縮を完了させ、その後、モールド工程では、収縮シール部材６０を介して金型１００にてシリコンチップ１０を押さえ付けた状態で、モールド樹脂２０を注入する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の物理量を測定するセンサに好適な計測装置のインタフェース装置を提供する。
【解決手段】複数の容量型センサの各出力が供給されるべき入力部(10)と、供給される切替指令信号に応じて上記入力部に供給される複数の容量型センサのいずれかの出力を選択するセンサ選択部(21)と、選択された容量型センサの出力をデジタル値に変換する信号変換部(22)と、デジタル値を含む伝送可能な電気信号を形成する出力部(23)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第１エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第２エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第２エッチングマスクを使用して、層および第１エッチングマスクをエッチングする。第１エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 （もっと読む）

【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板１の上に第一の絶縁層２を形成し、第一の絶縁層２の一部を第一の基板１まで除去して隔壁３を形成し、第一の絶縁層２の一部が除去された第一の基板１の領域上に第二の絶縁層１０を形成する。次に、第二の基板１８を隔壁３の上に接合して間隙２４を形成し、第二の基板１８から、間隙２４を介して第二の絶縁層１０と対向する振動膜２３を形成する。隔壁３を形成する工程では、第一の基板１に垂直な方向において間隙２４側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁３を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの小さい電気機械変換装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】電気機械変換装置１は、第１電極４と、間隙５を隔てて第１電極４と対向して設けられた第２電極６を備える振動膜７と、振動膜７を支持する支持部８と、で構成されるセルを複数有する。間隙５の外周部に、間隙５との間で支持部８の一部を介在させて、振動膜７と支持部８との間の段差を小さくするための構造物１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサウェハ１００にセンシング部１を複数形成するとともに、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の一方のウェハに凹部２を形成する工程と、凹部２の側面に封止用材料３０を配置する工程と、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と、封止用材料３０を加熱して溶かし、溶けた封止用材料３０をセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面の端部に流動させる工程と、封止用材料３０を硬化させて、接合界面の端部を封止用材料３０で覆う工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】セルを配置した基板を支持する支持部材に進入する弾性波を低減して、支持部材内で反射する弾性波による送受信特性の劣化を抑制することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、第２の電極１０５と間隙１０４を介して対向して設けられた第１の電極１０２を含む振動膜１０１を夫々有する複数のセル２００を基板１０６上に備え、送信動作及び受信動作の少なくとも一方を行う。基板１０６は、支持部材１１０との間にスペーサー間隙１１２が形成されるように、スペーサー手段１１１を介して支持部材１１１により支持される。セルを備えた基板１０６の面とは逆側の基板１０６の裏面と、この裏面に対向した支持部材１１０の面と、の間にスペーサー間隙１１２が形成され、スペーサー間隙内は、均一の気体または液体で満たされた状態に保たれている。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板４２には、その表面から裏面へ貫通するように空洞４４を設ける。空洞４４の上方において、基板４２の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム４３を設ける。空洞４４の少なくとも１つの壁面は、基板４２の表面とその厚み方向中間部との間において、基板４２の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板４２の外側へ向かって広がった第１の斜面４７ａと、前記中間部と基板４２の裏面との間において、前記中間部から基板４２の裏面へ向かうにつれて次第に基板４２の内側へ向かって狭まった第２の斜面４７ｂとで構成される。また、空洞４４の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】容量性トランスデューサとその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】第１ドーピング領域２０と、該第１ドーピング領域２０と反対の型のドーピング領域であり、第１振動部分３２を含む第２ドーピング領域３０と、該第１ドーピング領域と該第１振動部分３２との間に備えられた、空間６０と、を備えるトランスデューサ。第１及び第２ドーピング領域２０，３０は、一体である。第１振動部分は複数の貫通ホール４０を含み、振動部分上に貫通ホール４０を密封する物質膜５０が備えられる。 （もっと読む）