【課題】電子銃における引出電極に設けた絞りで発生する二次電子の量を減らして、フレアの発生を抑制することにある。
【解決手段】電子銃における最も電子源１に近い引出電極５の絞り７Ａに炭素など二次電子放出率の小さい薄膜をコーティングすると、二次電子の発生量を減少させることができる。フレアの発生原因である引出電極で発生する二次電子が減少するので、結果的にフレアが減少する。また、引出電極５に２枚の絞り７Ａ，７Ｂを組み込み、この２枚の絞りに引出電極と等電位となる電位を与えることで、引出電極の下部から上部へ染み出す電界をなくすことができる。この結果、電子ビームが引出電極に衝突したときに発生する二次電子は引出電極から通過する方向の力をうけなくなり、結果的にフレアが減少する。 （もっと読む）

【課題】一次電子ビームのエネルギー幅を低減し、低電圧ＳＥＭの解像度を改善するモノクロメーターを実現する。
【解決手段】光軸Ｚに添って、標準エネルギー及びエネルギー偏差を有する荷電粒子ビームを偏向させるための第１の分散ユニット２００、第２の分散ユニット４００、それらの中間面３１０に配置されたエネルギー制限アパーチャ３００及び荷電粒子ビームの焦点を調整するためのビーム調整素子１００を備えるモノクロメーター５００を形成し、荷電粒子ビームの仮想的なクロスオーバーＳ６を第１の分散ユニット２００とエネルギー制限アパーチャ３００との間に形成する。 （もっと読む）

【課題】試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる光電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】光源からの光を試料に照射することにより前記試料から放出される光電子を対物レンズを介して結像し、拡大像を得る光電子顕微鏡において、前記対物レンズに、２以上の電極を備えさせ、２以上の前記電極を、前記光が２つの電極間を通るように設置する。このような構成をした光電子顕微鏡は、試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる。 （もっと読む）

【課題】 不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減する。
【解決手段】 レーザ光の照射によりイオンを発生させるレーザ・イオン源であって、真空排気される容器１０と、容器１０内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲット２１が収容された照射箱２０と、照射箱２０からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして容器１０の外部に導くイオンビーム引き出し部１２と、照射箱２０から引き出されたイオンビームを静電力により収束する静電レンズ５１と、静電レンズ５１の下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャ５２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いたイオン顕微鏡に於いて、試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。又、電極先端の移動機構２０８や絞り開口径２２４の選択によりビーム径と電流量を制御し、試料１８０上で１０ｎｍ以下のスポットを実現する。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ１０と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９より試料１３側に位置し、イオン銃部１９から放出されたイオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

透過型電子顕微鏡は、電子ビームを生成する電子ビーム源(20)を有する。前記電子ビームを収束させるようにビーム光学系が供されている。収差補正装置(90)は、少なくとも球面収差について前記電子ビームを補正する。前記電子ビームのビーム路中に試料(40)を保持する試料ホルダが供される。検出器(80)は、前記試料を透過する前記電子ビームを検出するのに用いられる。当該透過型電子顕微鏡は、前記電子ビームのゼロ次ビームが検出されない暗視野モードで動作する。当該透過型電子顕微鏡はまた、インコヒーレントな照射モードで動作することもできる。
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【課題】イオンビームの径と強度を制御できるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】イオンビームが通過する絞り開口５１が設けられた絞り装置２０を有するイオンビーム照射装置５であって、絞り装置２０は、絞り開口５１内に位置する一の配置中心を中心とした円の円周に沿って並べられている。三個以上の遮蔽羽根２２と、絞り開口５１を取り囲む枠体２１と、枠体２１に対して位置が固定された回転軸とを有している。絞り開口５１の外周は、各遮蔽羽根２２の一辺であって配置中心に対面する辺である縁取り辺の一部によって構成されている。絞り開口５１の外周と枠体２１の間は遮蔽羽根２２で遮蔽され、遮蔽羽根２２は回転軸を中心に所定角度回転可能に構成され、遮蔽羽根２２を同角度回転させ、絞り開口５１の大きさを変更させる制御部を有するイオンビーム照射装置５である。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームのビーム電流の正確な調整を良好に行い、粒子ビームのモジュールとは無関係のビーム経路を限定する絞りユニットおよび絞りユニットを備える粒子ビーム装置を提案する。
【解決手段】粒子ビーム装置は、粒子を生成する粒子ビーム発生器（２）と、試料（１６）に粒子ビームを集束する対物レンズ（１０）と、第１コンデンサレンズ（６，６ａ，６ｂ，６ｃ）および第２コンデンサレンズ（７，７ａ，７ｂ，７ｃ）と、粒子ビーム発生器（２）と第１コンデンサレンズとの間に配置した第１絞りユニット（８）と、第１コンデンサレンズと第２コンデンサレンズとの間に配置した第２絞りユニット（９）とを備える。第１コンデンサレンズ（６）は、相互に無関係に第２絞りユニットに対して調整可能な第１極および第２極片（６ａ，６ｂ）を備え、第２絞りユニットは、第１圧力を有する真空の第１領域と、第２圧力を有する真空の第２領域とを相互に分離する圧力段階絞りである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焦点深度の深い観察条件においても、高精度なフォーカス調整を実現する。
【解決手段】一次電子線の不要な領域を除去する絞り板に複数の穴径の絞り穴を配置し、絞り穴を変更することで絞り穴を通過する一次電子線の開き角を制御し、集束レンズ、対物レンズのレンズ条件を変化させずに、高分解能と焦点深度の浅い条件に設定することで、フォーカスの合わせ精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 プローブ電流の大小に拘わらず、差動排気絞りの汚染を抑止できる電子線装置を提供する。
【解決手段】 電子線装置１０１は、内部空間が超高真空に保たれ一次電子ビーム３を発生する電子銃部３１と、内部空間が電子銃部３１よりも低い真空度に保たれ、電子銃部３１で発生した一次電子ビーム３を試料１２上に集束させた電子プローブにより試料１２の走査を行う鏡体部３２と、電子銃部３１と鏡体部３２との内部空間を連通させるとともに、一次電子ビーム３を通過させる差動排気絞り３３と、電子線装置１０１内の各部を制御するための制御部４０とを具備している。さらに、第二陽極４と第一収束レンズ６の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構３４が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ６方向へ進行する一次電子ビーム３のプローブ電流Ｉｐの最大値が決定される。 （もっと読む）

【課題】ビーム制限アパーチャの寿命を延ばし、エミッションを長時間安定に維持することができ、再現良く安定な状態に回復することができる液体金属イオン銃を提供する。
【解決手段】タングステン（Ｗ）により形成され、液体金属ガリウム（Ｇａ）を保持するリザーバ３６と、Ｗにより形成されたエミッタ３５とを有する液体金属イオン源３１と、Ｗにより形成されたベース４６にＧａよりなる液体金属材４４を載せて形成され、液体金属イオン源３１から引き出されたイオンビーム２の通過を許容する開口４１を有し、イオンビーム２の径を制限するビーム制限アパーチャ３３とを備えた液体金属イオン銃３において、ビーム制限アパーチャ３３は、液体金属４４を開口４１の周囲に集める溝構造４５を備える。 （もっと読む）

【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】高倍率観察でも収差補正が容易な電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡において、球面収差補正装置１４と、前記球面収差補正装置１４と対物レンズ１７との間に設けられる伝達レンズ系１５と、前記球面収差補正装置１４の前段に、光軸２に対して移動可能に設けられる開口絞り１３と、前記伝達レンズ系１５の主面又はその近傍に前記光軸２に対して移動可能に設けられ、電子線の開口角を調整する開口角絞り１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】不連続的放出パターンを有する荷電粒子エミッタによる荷電粒子装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置及び方法。装置は、少なくとも２つの放出ピークを含む放出パターンを有するエミッタ（１０２）と、ガンレンズ（１１９、５１９、９１９）と、ダイヤフラム（１２０）とを含み、ガンレンズは、デフレクタ・ユニット（１１０）を含み、デフレクタ・ユニットは、少なくとも２つの放出ピークのうちの放出ピークをダイヤフラムの開口部に向け、それによって少なくとも２つの放出パターンから放出ピークのうちの放出ピークを選択するようになっている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ液体金属イオン源(LMIS)のイオン放射(エミッション)を安定に、かつ、長寿命にする。
【解決手段】Ｇａ液体金属イオン源２−１のエミッタ２−１１は、構成材料として母材のＷ１２と、表面を覆うイオン源材料のＧａ９を含んで構成されている。スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置内部部品、例えば、フライトチューブ、各種スリット、電極、電極カバー、ガイドチューブ、ビームストップ等に使用される黒鉛部材から黒鉛粒子が脱落したり、該部材上に堆積した熱分解炭素が剥離したりするのを防止し、イオン注入装置内の発塵を低減する。
【解決手段】イオン注入装置用黒鉛部材の耐熱衝撃係数を５４〜９６ｋＷ／ｍにする。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーの荷電粒子の静電偏向器への流入を減らすことができ、描画精度の向上をはかる。
【解決手段】荷電粒子源から放出された荷電ビームを試料上の所望の位置に照射することでパターン形成を行う荷電ビーム描画装置であって、荷電粒子源１０と試料５０との間に設けられ、偏向を受けない荷電ビームの軌道である光軸方向に沿って２段以上の小偏向器を設置して構成され、荷電ビームを電場によって偏向するための静電偏向器３２と、静電偏向器３２の光軸方向に隣接する小偏向器の間に設けられ、光軸方向の下流側の小偏向器の光軸方向と直交する方向の対向距離よりも開口径が短いアパーチャを有し、静電偏向器３２で偏向すべき荷電ビームよりも低いエネルギーの荷電粒子を取り除くためのアパーチャマスク６０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、剥離膜等の異物がビーム通過穴を塞ぐ事による不具合を解決し、装置のスループット低下を防止することに関する。
【解決手段】
本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。ガスを当該部に照射する方法として、ガスノズルを用いることが望ましい。または、不活性ガスの通路を、ビーム通過穴を有する部品の周囲の構造物内部に形成し、その照射口よりガスを照射する。本発明により、荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）