【課題】グラニュラー構造の磁性層の結晶配向性を改善して、高記録密度化を達成可能な高Ｓ／Ｎ比の垂直磁気記録媒体を製造すること。
【解決手段】ガラス基板１と、ガラス基板１上に形成された六方晶金属を含む下地層５と、この下地層５上に形成され、六方晶金属を含む柱状の磁性結晶粒子および、酸化物を含み磁性結晶粒子を区画する粒界部を有する磁性層６とを含む垂直磁気記録媒体１０の製造方法は、加熱された下地層５の上に磁性層６を成膜することを特徴としている。六方晶下地層が熱処理を受けていることにより、下地層５の垂直配向性が向上しているので、六方晶下地層（０００２）面のΔθ５０（結晶配向の程度を示す指標）は狭くなり、六方晶下地層の少なくとも六方晶磁性結晶粒子との境界部分についての膜応力を緩和することができ、大きな内部応力の発生を伴うことなく、磁性層６、下地層５を成膜でき、それらの結晶配向性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高出力でかつ外部磁界に対する感度が良好な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＧＭＲ膜３０は、下地層３１、反強磁性層３２、固定磁化積層体３３、非磁性金属層３７、拡散防止層３８、自由磁化層３９、保護層４０が順次積層された構成からなる。自由磁化層３９はＭｎ系ホイスラー合金からなり、拡散防止層３８はＣｏＦｅＡｌからなる。ＣｏＦｅＡｌの組成は、三元系の組成図において、各組成の座標を（Ｃｏ含有量，Ｆｅ含有量，Ａｌ含有量）として表すと、点Ａ（５５，１０，３５）、点Ｂ（５０，１５，３５）、点Ｃ（５０，２０，３０）、点Ｄ（５５，２５，２０）、点Ｅ（６０，２５，１５）、点Ｆ（７０，１５，１５）として、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、および点Ａをこの順にそれぞれ直線で結んだ領域内に設定されてもよい。 （もっと読む）

【課題】グラニュラー構造の磁気記録層を備えた磁気記録媒体の表面粗さを低くして、低浮上量化および高記録密度化を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体１の非磁性ガラス基板として表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層５を、ＣｏＣｒＰｔ合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−８００ｋＪ／ｍｏｌより大きなＴａ₂Ｏ₅を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体１の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下の磁気記録媒体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高Ｓ／Ｎ比の実現に適した粒径分布を持ち、互いに孤立して一様に分布する磁性粒子を有する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。下地層の上に、中間層が配置されている。中間層は、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕで形成され、面内に分布する複数の結晶粒で構成されている。結晶粒の各々の上面は、上方に向かって凸状の形状を有する。中間層の上に、磁気記録層が配置されている。磁気記録層内では、磁性材料からなる複数の磁性粒子が面内に分布し、相互に隣り合う磁性粒子同士が、両者の間に配置された非磁性材料からなる非磁性領域によって磁気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】高密度に記録可能で、Ｓ／Ｎ比が高い磁気記録媒体及びその効率的な製造方法、並びに情報記録再生能に優れた磁気記録再生装置の提供。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、化学合成により作製した磁性ナノ粒子を少なくとも含む分散液を、被加工面上に塗布して磁性膜を形成する磁性膜形成工程と、該磁性膜に対し、磁場中にて熱処理を行う第１熱処理工程と、該第１熱処理工程の後、前記磁性膜上に磁性材料をスパッタ法により堆積させる磁性材料堆積工程と、該磁性材料が堆積された前記磁性膜に対し、非磁場中にて熱処理を行う第２熱処理工程とを、少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書き込みヘッドに高い飽和磁束密度を有する磁気コアを用いてある場合でも、電磁変換特性（特にOW特性）を悪化させることなく、熱揺らぎ問題を解決し、SNRの改善およびPW50の狭小化により、高記録密度を達成する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、磁気記録膜３と、軟磁性膜４と保護膜５とが備えられてなる磁気記録媒体であって、磁気記録膜３の保磁力が2500Oe以上であり、かつ軟磁性膜４の膜厚が0.2〜0.5nmの範囲であり、前記軟磁性膜４の飽和磁束密度が1.5Ｔ以上であることを特徴とする磁気記録媒体を採用する。 （もっと読む）

【課題】RTでの熱揺らぎ耐性と高温での書き込みやすさの相克を図れ、記録温度直下での保磁力の温度に対する変化を急峻にでき、低温形成、特定異方性軸配向、グラニュラー化が可能である熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に、T_B＜T_Wの高K_AFの下層反強磁性膜300、T_W＜T_Cの高K_Fの記録再生層である上層強磁性膜400を順次積層した交換結合膜を含み、反強磁性体をT_B＜＜T_N、T_B＜T_C＜T_Nの関係を満たすよう構成し、T_B、及びT_B＜＜T_Nの特質を利用し、保磁力H_C対温度の特性を、T_W直下T_Bの温度で階段状に変化させる〔T_W：記録温度、T_C：キュリー温度、T_N：ネール温度、T_B：ブロッキング温度、K_F：強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数、K_AF：反強磁性体の結晶磁気異方性エネルギー定数〕。 （もっと読む）

【課題】低抵抗領域（1平方ミクロンあたり１オーム以下の領域）において、巨大な磁気
抵抗比を持つＣＣＰ（current confined path: 電流狭窄）−ＣＰＰ（current perpendicular to plane: 電流が面直に流れる形状）型の巨大磁気抵抗素子、および当該巨大式抵
抗素子を用いた磁気センサを提供する。
【解決手段】ＣＣＰ−ＣＰＰ型巨大磁気抵抗素子Ａは、反強磁性層１と、磁化固定層３と、中間層７ａと、磁化自由層５による積層構造を有し、膜面に対して垂直に電流が流れる構造に形成されている。このとき、中間層７ａとして微小孔を有する（００１）方位に優先配向した極薄酸化マグネシウム層を使用することにより、磁化自由層５から磁化固定層３（あるいはその反対方向）に流れる電流が微小孔中の金属により狭窄され、電極層の寄生抵抗の影響が相対的に減少するため磁気抵抗比が増大する。 （もっと読む）

本発明は、カソードスプレイングによって堆積された複合アセンブリを基板上に含み、かつ、垂直磁気異方性が大きい材料から作られる磁気層(2)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でも該層の平面の外部に配置される磁気層(2)と、先の磁気層(2)と直接接触し、スピン分極の比率が高い強磁性材料から作られる磁気層(3)であって、その磁化が、どのような電気的または磁気的な相互作用がない場合でもこの層の平面内に配置され、この層の該磁気層(2)との直接的な磁気結合が、2つの磁気層(2)および(3)を含むアセンブリの有効な消磁磁場の低減を誘起する磁気層(3)と、先の磁気層(3)と直接接触し、デバイスを通過する電子には分極性でない材料から作られる非磁気層(4)と、を含む薄層磁気デバイスに関する。本デバイスは、層の平面に対して実質的に垂直な方向でそれ自体中を電流が通過するようにさせる手段を含む。
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【課題】 高い磁気異方性エネルギーと微細な結晶粒を両立する、高密度磁気記録に適した情報記録媒体及びそれを装着した情報記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明による情報記録媒体は、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、ＰｔあるいはＹ、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｐｔを主成分とする合金層で構成された非晶質の下地層上にＣｏを主成分とする層とＰｄを主成分とする層を交互に積層する積層膜からなる記録層及び保護層を具備する。 （もっと読む）

【課題】面内方向の磁場に対して等方性の高い応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供する。また、この素子を用いた実用的な薄膜磁気センサを提供する。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間に形成された一定間隔の間隙６内に磁気抵抗効果膜４を形成するという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を組むという構成にする。外側軟磁性膜３には、半径方向に延びるスリット状の切欠部８を形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能な薄膜磁気デバイス、を提供する。
【解決手段】磁性膜１４のうちの複数のスリット１６に挟まれた帯状領域において、磁区１４Ｄｈ（９０°ドメイン）を帯状領域の幅方向（Ｘ軸方向）の両端に対配置させつつ、帯状領域の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って並んでいるようにする。一対の磁区１４Ｄｈに挟まれた磁区１４Ｄｅにおける反磁場Ｈｄに起因した共鳴周波数ｆｒの増加作用が、効果的に促進される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れているとともに、高い記録再生特性を有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくともバリア層２、裏打ち層１１、下地膜６、中間膜７及び垂直磁気記録膜８をこの順で有する垂直磁気記録媒体であって、裏打ち層１１は少なくとも１以上の軟磁性膜を有しており、該軟磁性膜が、非晶質構造であって飽和磁束密度Ｂｓが１．１（Ｔ）以上であるＣｏＡｌＣｒ合金あるいはＣｏＦｅＡｌＣｒ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくし、且つ特性のばらつきを少なくする。
【解決手段】ＭＲ素子５において、固定層２３とフリー層２５は、それぞれホイスラー合金層３３２，５２を含んでいる。ホイスラー合金層３３２，５２は、それぞれ、互いに反対側を向く２つの四角形の面を有している。また、ホイスラー合金層３３２，５２は、一方の面における４つの辺に接する１つの結晶粒を含んでいる。ＭＲ素子５の製造方法では、ＭＲ素子５となる積層膜を形成し、この積層膜をパターニングした後、積層膜中のホイスラー合金層となる膜に含まれる結晶粒が成長して、ホイスラー合金層となる膜の一方の面における４つの辺に接する１つの結晶粒が形成されるように、パターニング後の積層膜を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】十分に高い強磁性層との交換結合を確保し、磁気抵抗効果ヘッドの歩留まりや信頼性を向上する。
【解決手段】斜め入射法により作製した傾斜結晶粒構造反強磁性膜２３を用いることにより、強磁性膜２４との高い交換結合磁界が得られる。それを適用した磁気抵抗効果ヘッドは歩留まり、信頼性に優れ、高い出力が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板のテクスチャ効果を引き出し、円周方向に高い磁気異方性を持たせ、かつCr系下地層とCo系磁気記録層の格子定数を一致させると共に、２層以上の下地層の格子間隔の歪みに着目することにより、Co系磁気記録層の配向性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板１（非磁性基板）上に、Ｃｒを主成分とする体心立方構造下地層３と、Ｃｏを主成分とする六方最密充填構造の磁性層４（磁気記録層）とがこの順に積層された磁気ディスクであって、体心立方構造下地層３は、ガラス基板１側にＭｎを含む第１の体心立方構造下地層３ａ（下部下地層）と、磁性層４側にＭｏ又はＴｉを含む第２の体心立方構造下地層３ｂ（上部下地層）との積層として構成され、体心立方構造下地層３の（００２）面の平均格子面間隔に基いて求められる体心立方構造下地層３の平均格子定数は、第１の体心立方構造下地層３ａの格子定数に比べて大きく、かつ、第２の体心立方構造下地層３ｂの格子定数に比べて小さく構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】 高密度記録が可能な磁性ドットを有する磁気記録媒体及びその磁気記録媒体の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性基体１上に、少なくとも下地層３、磁気記録層４及び保護層５が順次積層されてなる磁気記録媒体において、下地層３は、Ｒｕ又はＲｕを主成分とする合金からなり、かつその表面に頭頂部が複数のライン状に所定間隔で形成されてなるライン状起伏構造を有しており、磁気記録層４は、少なくとも強磁性を有する結晶粒子と非磁性成分を含み、磁気記録層４中の粒径４ｎｍ以上の結晶粒子からなる磁性ドット４−１が頭頂部のラインに沿って下地層３の表面上に配列し、かつ磁性ドット４−１の各々は非磁性成分４−２で隔てられている。 （もっと読む）

【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度記録が可能であると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、シード層１３、下地層１４、記録層１５、保護膜１６、および潤滑層１８を順次積層した構成とし、下地層１４は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる複数の結晶粒子１４ａからなり、結晶粒子１４ａ同士を互い離隔する空隙部１４ｂを介して基板面内方向に配置され、記録層１５は下地層１４の結晶粒子１４ａ上に堆積した複数の磁性粒子１５ａからなり、磁性粒子１５ａ同士を互い離隔する空隙部１５ｂを介して基板面内方向に配置される。記録層１５の磁性粒子１５ａは、下地層１４の結晶粒子１４ａ上に成長した構成を有する。 （もっと読む）