【課題】 二酸化クロム単独ではキュリー点が低く、それに伴い電子素子等の材料として、室温付近での使用が不可能であった。又、所望の形、適所に成膜するには高価な装置を使う必要があり困難を伴っていたため、もっと安価で容易な製造技術が求められていた。
【解決手段】 キュリー点が低く、電子材料として使用することが不可能に近いというという課題は、二酸化クロムと酸化物状態で同一結晶構造を形成できる元素を添加することで問題を解決できた。又、成膜方法として、一般的な真空蒸着でマスクを使うことにより、安価で容易に所望の形、適所に材料提供を実現可能とした。場合によっては、スパッタリング法やレーザーアブレーション法などの蒸着技術などでも対応可能である。 （もっと読む）

【課題】 ナノ狭窄スペーサを有する磁気抵抗（ＭＲ）センサのスピンバルブ内に使用する薄膜の生成方法を提供する。
【解決手段】 スピンバルブのボトムをピン層まで蒸着し、蒸着室を用意し、スペーサ層をその上にスパッタリングする。主イオンビームが磁性チップと絶縁材を含む合成面上にイオンを生成する。同時に、支援イオンビームが基板に直接イオンを供給し、かくしてスペーサ層の柔軟度と平滑度を改善する。中和器もまた配設し、イオン反発を防止し、イオンビーム合焦を改善する。その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 （もっと読む）

【課題】 簡単なメモリ構成を有し、製造コストが安い、不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】 十字状パターンを有するホール素子３上に絶縁膜２を介して形成された磁性薄膜１からなる不揮発性メモリにおいて、磁性薄膜１を容易軸が前記十字状パターンの電圧出力方向に沿い、かつ前記十字状パターン上に形成し、磁性薄膜1は、矩形状の一軸異方性を有し、少なくともＣｏとＳｍとを含有するアモルファス合金からなる不揮発性メモリである。 （もっと読む）

【課題】 高い保磁力、高い最大エネルギー積、良好な角形性等のすぐれた磁石特性を有し、使用環境を広く選べ、薄膜磁石として好適に利用することができるナノコンポジット磁石を提供する。
【解決手段】 この出願の発明によるナノコンポジット磁石の製造方法は、Ｓｍ（Ｃｏ，Ｃｕ）₅の組成を有する硬磁性相と、ＦｅないしＦｅ_1-yＣｏ_y［ｙは原子比で０＜ｙ＜０
．４］よりなる軟磁性相とで実質的に構成されるナノコンポジット磁石の製造にあたって、基板上に、ＳｍＣｏ_x［ｘは原子比で４．５＜ｘ＜６．５］の組成を有する層とＦｅ層
ないしを、Ｃｕ層を介して、スパッタ法により、交互に繰り返し積層して多層膜を形成した後、熱処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 記録層中への書き込み磁界の強度と勾配を高める裏打ち層を備える情報記録媒体において、信号再生時、ノイズ発生を抑制できる情報記録媒体、その製造方法および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。上記構成では、信号再生時、ノイズの原因となる各裏打ち層３、４からの漏洩磁束を抑制し、かつ、信号記録時、各裏打ち層３、４により磁気ヘッドから発生する記録磁界を記録層８中に集中させることが可能となる。よって、各裏打ち層３、４を有する情報記録媒体においても、信号再生時、各裏打ち層３、４に起因したノイズを抑制できる情報記憶装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 媒体Ｓ／Ｎが高く、かつ耐食性に優れた媒体を実現する。
【解決手段】 基板１１上に少なくとも軟磁性層１３、シード層１４、中間層１５、磁気記録層１６、保護層１７が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、磁気記録層をＣｏＣｒＰｔ合金からなる多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラ構造とし、シード層をＴａＮｉ合金又はＴａＴｉ合金で構成し、中間層をＲｕあるいはＲｕを８０at.％以上含有したＲｕ合金によって構成する。 （もっと読む）

【課題】高い磁界感度を有し、かつその直線性が良好な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、かかる薄膜磁気抵抗素子を安価且つ容易に製造する方法を提供すること、前記薄膜磁気抵抗素子を用いた実用的な磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子１Ａを、絶縁基板２と、絶縁基板２上に形成され、一端が所要のギャップｇを介して対向に配置された帯状の第１軟磁性膜３及び第２軟磁性膜４と、第１軟磁性膜３の上面のギャップｇ寄りの部分及び第２軟磁性膜４の上面のギャップｇ寄りの部分にそれぞれ形成された非磁性絶縁膜５と、ギャップｇ内の絶縁基板２上、ギャップｇを臨む第１及び第２の軟磁性膜３，４の端面、並びにこれに続く非磁性絶縁膜５の端面と上面の一部に形成された巨大磁気抵抗薄膜６とから構成する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度の磁気記録媒体を提供し、その磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる組成の異なる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さい磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】 高い共鳴周波数を有し、高周波特性に優れた磁性薄膜を提供する。
【解決手段】 基板２の上に、斜め成長磁性層３を形成する。その際、斜め成長磁性層３を、基板２の表面に対して斜め方向に柱状に結晶成長させる（斜め成長磁性体４）。また、この斜め成長磁性層３において、斜め成長磁性体４を軟磁性化させるため、この斜め成長磁性体４に絶縁体５を混入する。斜め成長磁性層３が面内結晶磁気異方性を示すようなると共にこの面内結晶磁気異方性が強まり、異方性磁界Ｈｋが増加する。磁性薄膜１の組成を変化させることなく、斜め成長磁性層３の結晶成長方向のみで異方性磁界Ｈｋを変化させることができるので、飽和磁化４πＭｓを減少させることなく異方性磁界Ｈｋを増加させることができ、磁性薄膜１の共鳴周波数ｆｒを高めることができる。よって、高周波特性に優れた磁性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 磁性層の形成に先立って絶縁障壁層となる絶縁層を形成することができる構成としつつ、トンネル電流の通過断面積の増大を図る。
【解決手段】 基板１１上に形成された絶縁層１２が絶縁障壁層２０と同一体となっている。絶縁障壁層２０を挟み込む２つの磁性層１７、１８は、絶縁障壁層２０に対して基板１１の主面１１ａ方向に配置されている。磁性層１７、１８及び絶縁障壁層２０からなるトンネル接合部２１を流れるトンネル電流は、基板１１の主面１１ａと平行に流れる。 （もっと読む）

【課題】精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。
【解決手段】本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 記憶素子に流す電流の極性を変えなくても情報の記録を可能にすることにより、構造を簡素化することができるメモリを提供する。
【解決手段】 記憶層５に対して中間層４を介して磁化固定層３が設けられ、記憶層５に対して、非磁性層６を介して、磁化の向きが積層方向にほぼ固定されている駆動層７が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層５の磁化Ｍ２の向きが変化して記憶層５に対して情報の記録が行われる記憶素子１０と、この記憶素子１０に対して積層方向の電流を流す電流供給手段とを備え、電流供給手段から記憶素子１０に電流が供給される時間の長さにより、記録される情報の内容が変わるメモリを構成する。 （もっと読む）

【課題】半選択セルの誤書き込み防止とスイッチング磁場の低減を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、第１及び第２強磁性層とこれらの間に配置される非磁性層とからなる積層構造を有し、第１及び第２強磁性層のうちの少なくとも１つは、第１方向に磁気異方性を有する第１部分と、第１部分に結合され、第１方向及びこれと逆向きの第２方向とは異なる第３方向に磁気異方性を有する第２部分とから構成される。 （もっと読む）

【課題】搬送時にも基板を清浄に保つことができる技術を提供する。
【解決手段】
搬送槽１１０とゲートバルブ３３の間に二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂを配置し、二重オーリング１１５ｂ、１１６ｂの間の密閉空間８０ｂに真空排気系３３９を接続し、密閉空間８０ｂを真空排気する。密閉空間８０ｂ内に大気が浸入しても真空排気によって除去されるので搬送槽１１０内に大気が浸入せず、搬送槽１１０内を高真空状態に置ける。ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】 非磁性中間層との界面に存在する磁性材料に見合ったＭＲ変化率を実現しながら、磁化自由層の磁歪を抑制して単磁区化を妨げないことによって、低ノイズで良好な検出動作を示すＭＲ効果素子及びこのＭＲ効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定されている磁化固定層と、この磁化固定層上に積層された非磁性中間層と、この非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを有するＭＲ積層体を備えており、磁化自由層が、非磁性中間層に接する側とは反対側に、ＣｏＦｅを含む磁歪調整膜を備えているＭＲ効果素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能で、且つスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録媒体を高生産性で得る。
【解決手段】アルミニウム板またはアルミニウム合金板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを設けた基板１に、下から順に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層３、Ｎｉ−Ｆｅ合金とＣｏ−Ｆｅの２層からなる軟磁性バッファー層４、反強磁性層５、下地層６、垂直磁気記録層７を順次形成して垂直磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層が多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有する垂直磁気記録媒体において、ヘッドの浮上性や耐摺動性を確保しつつ、高い媒体Ｓ／Ｎを得ること。
【解決手段】磁気記録層が多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラー構造を有し、その柱状粒子が柱状粒子を膜厚方向に２等分した場合の保護層側部分の直径が中間層側部分の直径より大きい形状を有する垂直磁気記録媒体とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌパッドとＡｕスタッドバンプおよびＡｕスタッドバンプと端子電極との密着強度を高くし、耐温度サイクル性を向上させた高信頼性の超小型電力変換装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１のＡｌパッド１２上に形成されるＵＢＭ膜１３の最上層を０．１μｍ以上のＡｕ膜１３ｂで形成し、このＵＢＭ膜１３上にＡｕスタッドバンプ１４を形成し、フェライト基板２の端子電極５の最上層を０．１μｍ以上のＡｕ膜５ｄで形成し、Ａｕ膜１３ｂとＡｕスタッドバンプ１４を超音波接合で固着する。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】一般式［（Ｃｏ_1-mＰｔ_m）_1-nＣｒ_n］_100-x-yＴｉ_xＯ_y
（ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｘは９ａｔ．％以上１３ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．８以上２．３以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁性粒子間の磁気的結合を小さくして、高い垂直抗磁力を発現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】一般式［（Ｃｏ_1-mＰｔ_m）_1-nＣｒ_n］_100-x-yＴａ_xＯ_y
（ここで、ｍ、ｎは原子比で、ｍは０．２以上０．４以下、ｎは０以上０．１以下、ｙは１６ａｔ．％以上２６ａｔ．％以下、ｙ／ｘは１．７以上２．３以下である）
で表される強磁性体からなる記録層を有することを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）