説明

Fターム[5E049GC01]の内容

磁性薄膜 (4,742) | スパッタリング法 (344) | スパッタリング法 (338)

Fターム[5E049GC01]の下位に属するFターム

Fターム[5E049GC01]に分類される特許

61 - 80 / 238


【課題】 補助記録層の膜厚を保ち、OW特性を良好な状態に保持しつつ、トラック幅を狭小化してSNRを向上させるという、トラック幅とSNRとの両立を図り、高記録密度化の達成が可能な垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の構成は、基体上に少なくとも、柱状に連続して成長したCoCrPtからなる磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラ構造を有し信号を記録する磁気記録層122と、補助記録層126とを、この順に備える垂直磁気記録媒体において、補助記録層は、基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である非グラニュラ補助記録層126bと、非グラニュラ補助記録層の下に設けられ、非グラニュラ補助記録層に比較して保磁力が高く、グラニュラ構造を有するグラニュラ補助記録層126aと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上110に少なくとも、磁気記録層122と、保護層126とを、この順に備える垂直磁気記録媒体100において、保護層126は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるGピークの高さをGhとし、Dピークの高さをDhとし、Gピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をBとし、Gピークの蛍光を除いたピーク強度をAとした場合、保護層126のラマン分光法による測定結果は、Dh/Ghが0.78〜0.96であり、B/Aが1.31〜1.34であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 (もっと読む)


【課題】軟磁性下地層の密度を高め、また表面粗度を低下させることによって、更なる高記録密度化に対応することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板1の上に、複数の軟磁性層2aを反強磁性結合させた軟磁性下地層2と、磁化容易軸が非磁性基板1に対して主に垂直に配向した垂直磁性層4とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、軟磁性層2aをスパッタリング法で形成し、スパッタリングガスとしてKr又はXeを用い、このスパッタリングガスの圧力を0.3Pa以下とする。これにより、高エネルギーのスパッタリング粒子を生成することが可能となり、また、膜中に混入するガス粒子も減少し、密度が高く緻密且つ平坦性の高い軟磁性下地層2が形成可能となる。 (もっと読む)


【課題】 磁性記録部と非記録部とからなる磁性パターンの形成にイオン注入を用いた場合においても、非記録部に起因するノイズが低減され、高い品質を確保することが可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、基体上に少なくとも、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部134とを有する磁気記録層122を備えた磁気記録媒体100において、磁気記録層は、4×10erg/cc以上の垂直磁気異方性定数Kuを有する材料からなり、非記録部は、磁気記録層にイオンを注入することにより形成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜を2つのチャンバーを使用して行い、まず1つ目のチャンバーにおいて、連続または非連続の成膜の間に少なくとも1回のガス圧変更を含み、そのうち少なくとも1回は、変更後のガス圧が変更前よりも高くなるようにして成膜を行い、次いで2つ目のチャンバーにおいて、1つ目のチャンバーにおいて最も低い成膜圧力よりも高い圧力に設定して成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】 第1軟磁性層と第2軟磁性層の結晶性を略等しくし、軟磁性層の面内磁気異方性を大きくすることにより、OW特性およびSNRを向上させた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の構成は、ディスク基体110上に少なくとも、軟磁性層114と、磁気記録層122を備える垂直磁気記録媒体100であって、軟磁性層114は、第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dと、第1軟磁性層114bの下に設けられた結晶調整層114aと、第1軟磁性層114bと前記第2軟磁性層114dの間に第1軟磁性層114bおよび第2軟磁性層114dが反強磁性交換結合相互作用を及ぼすように設けられたスペーサ層114cとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来は必須とされてきたシード層を設けなくてもRu下地層の好適な配向制御を可能とし、シード層を省けることで製造工程の短縮、コスト低減を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録に用いる磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層を成膜した後、該軟磁性層の上に他の層を介さずに直接、バイアスを印加しながらルテニウム(Ru)又はその化合物からなる下地層を成膜する。 (もっと読む)


【課題】高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】ホイスラー合金材料は、Co2(FexMn1-x)Si合金(x=0.1〜0.9)の組成比を有している。酸化マグネシウムまたはクロムから成る下地層を介して形成された後、熱処理プロセスを施して形成されている。 (もっと読む)


【課題】配向性改善による媒体特性の向上を図るとともに媒体の保磁力の向上を実現できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に少なくとも、非晶質の軟磁性層と、下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記軟磁性層の上に、あるいは、該軟磁性層の上に形成した非晶質のシード層の上に、結晶性のシード層を、まずバイアスを印加せずに成膜し、引き続いてバイアスを印加しながら成膜する多段階成膜により形成する。 (もっと読む)


【課題】近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、また用途の多様化に伴う非常に厳しい環境耐性のもとで、良好な信頼性特性を有する磁気ディスクを提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と保護層が設けられた磁気ディスクであって、カーボン60(C60)をエッチング用のガスとして用いたESCA(エスカ)にて測定される磁性層中のアルゴン(Ar)含有量が許容値となるように磁性層の成膜条件、具体的には成膜時のガス圧を設定し、この設定した成膜条件により磁性層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 300℃以下の温度において、L10構造FePt規則合金が得られるFePt系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のTa層と、このTa層の上に形成された酸化亜鉛(ZnO)または酸化マグネシウム(MgO)からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたFePt系磁性層と、を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比(μ”/μ’)が小さく、かつ厚膜である、優れた高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、携帯電話を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の第1の磁性体層と、第1の磁性体層上の第1の磁性体層と異なる材料の中間層と、中間層上の第1の磁性体層と同じ材料の第2の磁性体層とを有し、磁性体層は、長手方向が基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する非晶質の磁性相と、柱状体の間隙を充填する絶縁体相とから成る複合磁性膜であり、基板の表面に平行な面内の最小異方性磁界をHk1、最大異方性磁界をHk2とする場合に、Hk2/Hk1≧3、Hk2≧3.98×10A/mの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ装置および携帯電話。 (もっと読む)


【課題】低保磁力と低い残留磁束密度をもつ軟磁性膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1に設けられたホール素子2と、このホール素子1上に設けられた軟磁性薄膜6とを備え、軟磁性薄膜6が、少なくともホウ素を含有している。半導体基板1上で、かつホール素子2上に設けられた有機絶縁膜4と、この有機絶縁膜4と軟磁性薄膜6との間に設けられた金属導電層5とを備え、軟磁性薄膜6が、金属導電層5上で少なくとも1個以上のホール素子2の感磁部を覆うように配置されている。 (もっと読む)


【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなMR比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子X1は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極1A,1Bと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層2と、一対の電極1A,1Bおよび低抵抗層2の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層2よりも高抵抗である高抵抗層3とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子X1とを備える。 (もっと読む)


【課題】磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード802と、回転可能なステージ801と、回転可能な遮蔽板805とを備える。上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット803aから発生したスパッタ粒子のうち、基板804の法線との成す角度が0°以上50°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板804に入射させるように、カソード802、ステージ801、および遮蔽板805の少なくとも1つの回転を制御する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波周波電磁界において高誘電率及び高透磁率の両方を備えた磁気−誘電素子を含むラジオ−周波数デバイスでを提供する。
【解決手段】1GHzにおいて10以上の透磁率を示す磁性材料(16,18)と1GHzにおいて10以上の誘電率を示す誘電材料(12,22)とを備えた複合薄膜(10)を含む磁気−誘電素子を使用するラジオ−周波数デバイスであり、前記磁性材料から形成された層が、交換結合を用いて反強磁性層(20)と結合された強磁性層によって構成される。前記誘電材料の層が、タンタル、チタン、ハフニウム、ストロンチウム及びニオビウムの酸化物、並びにペロブスカイトであって、特にバリウム及びストロンチウムのチタン酸塩を含む群から選択され、真空筐体内でのイオンビームスパッタリングによって蒸着される。 (もっと読む)


【課題】大きな一軸磁気異方性を有する磁性薄膜を提供することにある。
【解決手段】原子が規則的に配列したL11型のCo−Pt−C系合金を含有する。 (もっと読む)


【課題】軟磁性下地層の高い透磁率と反強磁性結合との両方を実現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、複数の軟磁性層を反強磁性結合させた軟磁性下地層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが積層されてなる磁気記録媒体であって、軟磁性層は、Feを第1の主成分、Coを第2の主成分として、さらにTaを含み、軟磁性下地層は、複数の軟磁性層の間に挟まれるスペーサ層の厚みによって変化する反強磁性結合力の2番目以降に現れるピークを用いて反強磁性結合されており、なお且つ、その透磁率が1000H/m以上である。 (もっと読む)


【課題】巨大磁気抵抗材料薄膜を製造する際に、生産性よく良質な結晶性を有する巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜することを可能にする。
【解決手段】対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも2段階のスパッタリング工程を用い、第1段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。第1の段階で良質なエピタキシャル薄膜を成膜でき、の後の段階で、成膜速度を大きくして生産性を高めた状態で良質の高結晶性薄膜を成膜できる。 (もっと読む)


61 - 80 / 238