【課題】磁性部と非磁性部との境界を磁気的に判別しやすく、磁性部の磁気特性劣化を防ぐことができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板１０上に軟磁性層１１を形成する工程と、軟磁性層１１上に磁性材料からなる記録層１４’を形成する工程と、記録層１４’上にマスクパターン２０’を形成する工程と、マスクパターン２０’上から記録層１４’に対してイオン照射を行う工程とを含んでおり、イオン照射を行う工程においては、Ｎｅイオンより重いＸｅイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高密度の磁気情報を記録することができ、磁気情報の誤記録を防止できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１は、基板２上に、磁気が印加される磁気層３０を備え、磁気層３０は、磁気層３０の膜面に対する平行方向と比較して、磁気層３０の膜面に対する垂直方向の磁気異方性が相対的に大きい磁性体からなり、上記印加される磁気により情報が記録される複数の磁気記録部３と、磁気層３０の膜面に対する垂直方向と比較して、磁気層３０の膜面に対する平行方向の磁気異方性が相対的に大きい磁性体からなる第一の応力付与部４とを備え、少なくとも、情報が記録されるトラックに沿って、複数の磁気記録部３と、第一の応力付与部４とが交互に配置されるように形成されており、磁気記録部３および第１の応力付与部４の磁歪定数が正である。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体１００の製造方法であって、上層の結晶方位を制御する下地層１１８を成膜する下地層成膜工程と、下地層１１８の結晶方位に応じた方向に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子３０６が非磁性物質３０８のマトリックス中に分散するグラニュラ構造の磁気記録層である主記録層１２０を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、下地層成膜工程は、希ガスと多原子分子ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用いるスパッタリング法により、下地層１１８の少なくとも最上層部を成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内の基板８に、マグネトロンスパッタリングにより磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材のターゲット２１を保持するカソード２を、前記ターゲット２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係とすると共に、前記基板８を回転するための第１回転機構、前記カソード２の背後に位置するマグネット２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための第２回転駆動手段を有し、前記第１回転機構による前記基板８の回転の下及び第２回転機構による前記磁界発生装置７の回転の下で、前記基板８の上に磁性膜を成膜するように構成したマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＳＮＲ（ＳＮ比）を向上させた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成された第一下地層と、前記第一下地層上に形成された第二下地層と、前記第二下地層上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層がＣｏを主成分とする合金からなり、前記第一下地層がＲｕと体心立方構造を形成する金属を主成分とし、Ｒｕを６０ａｔ．％以上含む合金または化合物からなり、前記第二下地層がＲｕであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基板と複合磁性膜の間に優れた密着性を有するバッファ層を具備する磁性材料、この磁性材料を用いたアンテナデバイス、およびその磁性材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
表面を有する基板と、長手方向が前記基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体、およびこの柱状体の間隙に形成された無機絶縁体を有する複合磁性膜と、前記基板と前記複合磁性膜の間に形成され、前記複合磁性膜と同一の構成元素を有するバッファ層と、を具備することを特徴とする磁性材料、およびこの磁性材料を含むアンテナ基板とこのアンテナ基板の主面近傍に配置されたアンテナを有するアンテナデバイス、ならびに前記磁性材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特定の強磁性層の膜厚および磁気特性を選択的に評価する手法を提供し、それを用いた評価結果を製膜工程にフィードバックすることで、量産時に安定した磁気特性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性基板上に軟磁性層と、酸化物を含有する第１強磁性層と、第２強磁性層と、保護層を製膜して媒体を形成する工程（１０４）と、前記媒体をサンプリングし、カー効果測定により磁気特性を評価する第１評価工程（１０８）と、第１評価工程において、磁気特性が目標値の範囲外となった場合、当該媒体をホール効果測定による評価を行い、第２強磁性層の膜厚および磁気特性を選択的に評価する第２評価工程（１１２）と、を有し、第２評価工程の評価結果を媒体形成工程（１０４）にフィードバックし、媒体の磁気特性が仕様範囲になるように第２強磁性層の製膜条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の作成において、良質の磁性膜を成膜できるようにする。
【解決手段】スパッタチャンバー１内に基板８を配置し、マグネトロンスパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成するマグネトロンスパッタリング装置であって、磁性材および該磁性材とは異種材料のターゲット２１，２１をそれぞれ保持するためのカソード２，２を、前記ターゲット２１，２１の中心軸と前記基板８の中心軸とが角度θで交差するように設置し、前記基板８の直径ｄと前記ターゲット２１，２１の直径Ｄとをｄ≧Ｄの関係を持つように設置すると共に、前記基板８を回転するための回転機構、前記カソード２，２の背後に位置するマグネット２２，２２、前記基板８の外周領域に位置する磁界発生装置７及び該磁界発生装置７を前記基板８の周囲に回転させるための回転駆動手段を有するマグネトロンスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を含む磁性材料からなる磁性薄膜であって、前記磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配列された島状構造が形成されており、前記島粒子の粒径が十分に小さく、膜の厚みが十分に薄く、しかも十分に高い保磁力を有することが可能な島状磁性薄膜を提供すること。
【解決手段】磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配置された島状磁性薄膜であって、前記磁性材料が希土類元素を含有するものであり、前記島粒子の面内直径の平均値が４０〜１４０ｎｍの範囲にあり、且つ、前記薄膜の厚みが２〜２５ｎｍの範囲にあることを特徴とする島状磁性薄膜。 （もっと読む）

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を実現し、かつ小型化を図ることが可能な高周波受動素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高周波受動素子１０１は、第１の凹部９が主表面に形成された基板１と、第１の凹部９の底面に形成され、かつ上面が基板１の主表面と略平行になるように形成された第１巻き線導体２と、第１巻き線導体２および基板１の主表面上に平坦に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３上に形成された第２巻き線導体４とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱揺らぎ耐性を有し、且つ記録感度の高い構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に対して垂直な複数の凸構造部材からなる構造体であり、該凸構造部材の先端部分が曲面形状を有し、且つ該先端部分に連続して磁性体が配置されている構造体。基板上に下地金属層及び被陽極酸化層を順次配置する工程と、該被陽極酸化層を陽極酸化して基板に対して垂直方向に形成された孔を有する多孔質皮膜とする工程と、該多孔質皮膜の孔の底部から該多孔質皮膜露出面を超える高さまで、該下地金属層の元素を含む酸化物を成長させ、柱状構造部分と曲面形状を有する先端部分からなる凸構造部材を形成する工程と、該多孔質皮膜の一部または全部を除去する工程と、該凸構造部材の先端部に磁性体を配置する工程とを含む構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】体積縮小による特性劣化を抑制し、薄膜形状で永久磁石として有効に動作するとともに、微細加工も容易な薄膜磁石及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜磁石は、シリコンなどの基板上に、スパッタ法などを利用してＣｕを添加元素として含むＳｍ−Ｃｏ合金系薄膜が直接積層した構造となっている。前記Ｃｕは、Ｓｍ−Ｃｏ合金系薄膜の結晶配向性を高めるために添加されている。前記Ｓｍ−Ｃｏ合金系薄膜中のＣｕ及びＳｍを、２at.％≦Ｃｕ≦１３at.％，Ｓｍ≧７at.％，１１Ｓｍ−８Ｃｕ≦９４at.％，を満たす範囲内に設定することにより、体積減少に伴う特性劣化を最小限に抑制するとともに、結晶配向性を高めて結晶磁気異方性を最大限に高めることができる。また、スパッタ法などの薄膜プロセスを用いた成膜により、他の薄膜プロセスとの親和性が高くなり微細加工が容易になる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に下地層１２、反強磁性層１３、ピンド層１４、非磁性結合層１５、リファレンス層１６、トンネルバリア層１７、フリー強磁性層１８、及びキャップ層１９が順に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）において、トンネルバリア層１７を、ＭｇＯ膜等の結晶性酸化物膜を低酸素分圧（例えば１０^-7Ｐａ程度の高真空下）下で形成し、その後結晶性酸化物膜を酸素ガス又は酸素を含むガスと接触させる。このようにして形成された結晶性酸化物膜を備えたＴＭＲ素子１０によれば、従来よりも高いＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）