【課題】磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層２３０と、磁化方向が変化する磁化自由層２５０と、磁化固定層と磁化自由層との間に配置された絶縁体を用いて形成されているバリア層２４０と、を備え、磁化固定層または磁化自由層の少なくとも一方は、バリア層側から順に、結晶層２３３ａ，２３３ｃとアモルファス磁性層２３３ｂとの積層構造として、バリア層の反対側にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】低スパッタリング圧力にすることなく、簡便に平坦性の高い膜が得られるスパッタリング膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング膜の成膜方法は、基材上へのスパッタリング膜の成膜方法であって、スパッタリングターゲットのエロージョン位置における前記スパッタリング表面に対して垂直な方向の磁場強度（単位；ガウス［Ｇ］）が下記関係式（１）を満足することを特徴とする。
磁場強度［Ｇ］≧スパッタリングターゲット表面の面積［ｃｍ^２]×１４…式（１） （もっと読む）

【課題】保磁力Ｈｃと逆磁区核形成磁界Ｈｎ、およびＳＮＲを総合的に向上することにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、軟磁性層１３０と、Ｎｉを主成分とし、Ｗ、Ｂを含有し、さらにＺｒ、ＡＬ、ＳｉからなるＡ群の元素のうち１つ以上の元素を含有する前下地層１４０と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、ＣｏＣｒＰｔ系の磁性粒子と非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保磁力[Ｈｃ]とＳＮＲを両立して向上させることにより、さらなる高記録密度化を実現可能にした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の代表的な構成は、基板１１０上に少なくとも、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、下地層１５０の上に積層され、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備え、グラニュラ磁性層１６０は少なくとも、下記録層１６１と、該下記録層１６１の上に積層され該下記録層１６１よりも膜厚が厚い主記録層１６２とを有し、該主記録層１６２の磁性粒子にのみＲｕが５原子％以下含有され、かつ、磁性粒子のＰｔの含有率は、下記録層１６１の方が主記録層１６２よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の連続膜媒体の作製プロセスに近い簡便な方法を用い、磁気記録層において配向分散を抑制しつつ磁気クラスターサイズを減少させることができる下地層の分離構造を形成し、かつ下地層の薄膜化による記録性能の高性能化が可能な垂直媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体上に少なくとも下地層および磁気記録層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記下地層は結晶粒子と非晶質結晶粒界とからなり、該結晶粒子が、（成長初期の底面積）＞（上部の面積）である形状を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上とＳＮＲの向上の両立を図り、ＴＰＩを高めて高記録密度化を可能とした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、基板１１０上に少なくとも、ｆｃｃ結晶構造を有する合金を主成分とする前下地層１４０と、Ｒｕ合金からなる第１下地層１５２と、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金からなる第２下地層１５４と、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に金属酸化物を主成分とする非磁性の粒界部が偏析して形成されるグラニュラ磁性層１６０と、をこの順に備え、磁性粒子の粒径は７ｎｍ以下であり、第１下地層１５２は、ｈｃｐ結晶構造を有し、かつ融点がＲｕの融点未満の元素を少なくとも１種類含有するＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】高保磁力の希土類磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の希土類磁石の製造方法は、希土類元素（Ｒ１）を含む磁性合金の表面にその共晶点よりも低温で液相を生じ得る浸透材（Ｎｄ−Ｃｕ合金）を付着させる付着工程と、この付着工程後に加熱して磁性合金の結晶粒の粒界へ浸透材を浸透拡散させる浸透工程とを備えてなる。これにより、結晶粒が少なくとも浸透材の構成元素で被包された希土類磁石が得られ、希土類磁石の保磁力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】磁性層のパターン形状を精度よく形成できる、歩留まりの高い磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１に、磁性層２と、炭素により構成される炭素マスク層３と、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、Ｔａのいずれかを主として構成される膜厚０．５ｎｍ〜２ｎｍの薄膜１０と、レジスト層４とを順次積層して、前記レジスト層４に前記磁気記録パターンを転写する工程と、前記レジスト層４をマスクにして前記炭素マスク層３を酸素を用いたイオンエッチングによりパターニングする工程と、前記レジスト層４と前記薄膜１０及び前記炭素マスク層３を除去する工程を有することを特徴とする、磁気記録媒体の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い希土類磁性薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の希土類高配向磁性薄膜の製造方法は、基材の被覆面上に第１組成の第１被覆層を形成する第１被覆工程と、その第１被覆層上に第１組成とは異なる第２組成の第２被覆層を形成する第２被覆工程とを少なくとも備えてなり、希土類磁性薄膜全体としての合金組成が所望する希土類磁石合金の組成に調整される。これにより、磁化容易軸方向に結晶配向した高配向の希土類磁性薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＡＲＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキがあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】高周波成分カットフィルターにより高周波成分をカットした直流電力印加の下で、強磁性体ターゲットをDCスパッタリングすることによってアモルファス状態の強磁性体膜を成膜し、そして酸化マグネシウムターゲットを高周波スパッタリングすることによって結晶酸化マグネシウム膜を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置２００。 （もっと読む）

【課題】 強磁性層における磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスク１０であって、基体１２と、下地層１８と、グラニュラー構造の微細化促進層２０（非磁性グラニュラー層）と、グラニュラー構造の強磁性層３２を有する磁気記録層２２とを備え、微細化促進層２０は、無機酸化物のマトリックスと、非磁性の金属結晶粒子とを有し、強磁性層３２は、無機酸化物のマトリックスと、金属結晶粒子の結晶方位に応じた所定の方位に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子とを有する。 （もっと読む）

【課題】高精度の磁気記録用読み取りヘッドに最適な電流垂直型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ）素子を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ−ＧＭＲ素子は、ホイスラー合金薄膜４，６間にスペーサ層５を配した構造を持つＣＰＰ−ＧＭＲ素子であって、前記ホイスラー合金薄膜４，６が、Ｂ２規則構造を持つホイスラー強磁性合金からなり、スペーサ層５がＢ２規則構造を持つ金属間化合物からなることを特徴とし、また、前記ＣＰＰ−ＧＭＲ素子において、前記ホイスラー強磁性合金が、ＣｏＦｅＡｌＳｉホイスラー強磁性合金であり、前記金属間化合物が、ＮｉＡｌ金属間化合物である。 （もっと読む）

【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】ＳＮ比が改善された高密度で記録可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくともグラニュラ磁気記録層１２２と、グラニュラ記録層１２２中の磁性結晶粒子と交換結合をする垂直磁気異方性を示す磁性粒子を有する補助記録層１２４とを含む垂直磁気記録媒体１００である。補助記録層１２４には補助記録層１２４を構成する磁性粒子とは非固溶である非固溶物質が含まれる。この補助記録層には、例えば、コバルト（Ｃｏ）に対して非固溶である銀（Ａｇ）を非固溶物質として含むＣｏ系合金が磁性粒子の主体として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性下地膜２と、配向制御膜３と、垂直磁性膜４と、保護膜５とが設けられ、軟磁性下地膜２が、以下の組成で表される材料を含む。
ａＦｅ−ｂＣｏ−ｃＭ−ｅＸ2−ｆＮ（Ｍ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏのうち１種または２種以上、Ｘ2＝Ｐ、Ｃ、Ｂ、Ｏのうち１種または２種以上。ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆは百分率で表された原子比であり、６０≦ａ＋ｂ≦９０、３０≦ａ≦９０、５≦ｃ≦２０、０．１≦ｅ≦１０、３≦ｆ≦３０である。） （もっと読む）

【課題】熱処理後の電気比抵抗の増加率が相対的に小さく、かつ、電気比抵抗の増加率が均一な金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】（１）式で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填されたＭｇ−Ｆ系化合物からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサ。
(Ｆｅ_1-xＣｏ_x)_100-z(Ｂ_1-yＳｉ_y)_z ・・・（１）
但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦２０。 （もっと読む）

【課題】比較的に低い温度で結晶格子の規則化を実現することができるホイスラー金属の製造方法を提供する。
【解決手段】ホイスラー金属の製造方法の一具体例は、ホイスラー金属の全ての構成元素を含有する積層体６８を形成する工程と、積層体６８に加熱処理を施す工程とを備える。積層体６８の各層は、ホイスラー金属の構成元素から選択される少なくとも１以上の構成元素で形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電圧と漏れ電流特性の改善された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサの第一電極２と、その反対側の第二電極３と、第一電極と第二電極の間に配置され、ドープされた誘電体層４１を有する誘電体層構造４を含む。ドープされた誘電体層は、ドープ剤をその中に含み、０原子／ｃｍ³より大きく、１０¹⁰原子／ｃｍ³より大きくないドーピング濃度を有する。誘電体層構造には、ドープされていない誘電体層を有してもよい。誘電体層はＳｉＯ２などの酸化物、ドープ剤はＡｌやＣｏなどを含む。電極はＦｅＣｏＮｉを含む強磁性合金からなる。 （もっと読む）