【課題】スピン注入書き込みに要する電流を低くすることを可能にする磁気抵抗効果素子及び磁気メモリの提供。
【解決手段】磁化の方向が固着された第１磁化固着層４と、磁化の方向が可変な磁化自由層６と、第１磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネルバリア層５と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられ磁化が固着された第２磁化固着層８と、磁化自由層と第２磁化固着層の間に設けられた非磁性層７とを備え、第１磁化固着層と第２磁化固着層間に電流を流すことにより磁化自由層の磁化の方向が可変となり、第２磁化固着層が、Ｃｏを含む場合には、非磁性層にＭｎ、Ｖ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｆｅを含む場合には、非磁性層にＩｒ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｎｉを含む場合には、非磁性層にＭｎを含む金属である。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の層、第２の層および第３の層が順に積層された複合構造を有する。第１の層は、Ｆｅ_100-X Ｃｏ_X （但し０≦Ｘ≦１００）で表される化合物または鉄コバルト含有合金からなる。第２の層は、（Ｃｏ_100-V Ｆｅ_V ）_100-Y Ｂ_Y （但し１０≦Ｖ≦７０，５≦Ｙ≦４０）で表わされる化合物またはコバルト鉄ボロン含有合金からなる。第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪、低ＲＡ値および高ＴＭＲ比と維持し、ノイズを低減する。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から硼素を含まないＮＢＣ層と、硼素を含有するＢＣ層とが交互に積層された複合構造を有する。ＮＢＣ層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＭ，またはＣｏＦｅＬＭなどからなり、トンネルバリア層と接している。ＢＣ層は、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＢＭ，ＣｏＢ，ＣｏＢＭ，またはＣｏＢＬＭなどからなり、ＮＢＣ層よりも大きな厚みを有する。ＭおよびＬは、Ｎｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＴｂおよびＮｂのうちのいずれか１種の元素を表す。ＭとＬとは互いに異なる元素である。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、画素の微小化による精細な光変調を可能とする光変調素子、この光変調素子を用いて構成される光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置及びホログラム記録装置を提供する。
【解決手段】光変調素子１１は、固定磁化膜層２２と、非磁性中間膜層２３と、自由磁化膜層２４とがこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有し、固定磁化膜層２２と自由磁化膜層２４における磁気の方向が膜面に垂直な方向であり、自由磁化膜層２４における磁化状態を変化させることによって自由磁化膜層２４へ入射する光の偏光方向に対してその反射光または透過光の偏光方向を変化させる光変調素子１１であって、固定磁化膜層２２は、コバルト膜層と白金膜層とが交互に積層された構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来には望むことの出来ない高いスピン偏極率を持つＣｏ基ホイスラー合金を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明のＣｏ基ホイスラー合金は、組成式 Ｃｏ_２Ｍｎ_１−ＸＦｅ_ＸＳｎ（ただし、0＜Ｘ＜0.2）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L1₁型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金（前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。）を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが１０〜３５（ａｔ％）、Niが２０〜５５（ａｔ％）、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ＭＥＭＳデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が可能な磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体を搭載した情報記憶装置とを提供する。
【解決手段】非磁性基板２０１と、非磁性基板２０１上に形成された軟磁性裏打ち層２１０と、軟磁性裏打ち層２１０上に非磁性で非晶質のＣｏ−Ｃｒ−Ｗで形成された非磁性シード層２０２と、非磁性シード層２０２上に非磁性材料で形成された、六方最密充填構造でｃ軸が非磁性シード層２０２の厚さ方向を向いた結晶構造を有する非磁性中間層２２０と、非磁性中間層２２０上に磁性材料を主成分として形成された、情報が磁気的に記録される記録層２０３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記録媒体を簡易な製造方法にて実現する。
【解決手段】基板と、基板上に複数設けられた、各々が、該基板上に複数種類の原子層が交互に積層されてなる人工格子構造を有する、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットと、磁性ドットの相互間に設けられた、磁性ドットの人工格子構造と連続した人工格子構造を有し、人工格子構造にイオンが注入されてなる、磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備える。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の成膜時の表面粗さを低減し、上部磁極等を高精度に形成することを可能にする磁性積層膜およびその製造方法、ならびに磁性積層膜を用いた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】FeとCoを含む磁性膜１０ａ、１０ｂを成膜する工程と、該磁性膜１０ａ、１０ｂの表面に平滑化処理を施す工程と、平滑化処理が施された磁性膜の表面に、不連続膜となる膜厚に磁性材１２ａあるいは絶縁材を成膜する工程とを繰り返して、磁性膜を複数層に積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成膜時においてシャドウエリアの少ない基板ホルダーを備える成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜装置の基板ホルダーは、開口部を有する導電性の基板ホルダー本体と、開口部の内周から開口部内に向けて突出して形成されており、絶縁性基板の一端部を支持するための挟持部材を備える第１の支持部材と、絶縁性基板の他の端部を支持するための狭持部材を備え、開口部内に向けて突出し、または開口部内から退避するように移動可能な第２の支持部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】媒体の製造を同一のインライン式装置を用いて行い、これによりハンドリングによる汚染を低減し、生産性を高めることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】記録磁性層と前記記録磁性層をパターニングするためのマスク層とが少なくとも積層された非磁性基板をキャリアに装着する装着工程と、前記記録磁性層のうち、前記マスク層に覆われていない箇所に対し、反応性プラズマ処理またはイオン照射処理を行って磁気特性を改質することで、残存した磁性体からなる磁気記録パターンを形成する改質工程と、前記マスク層を除去する除去工程と、前記記録磁性層上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記キャリアから前記非磁性基板を取り外す取外し工程とをこの順で有し、前記改質工程、前記除去工程または前記保護膜形成工程の何れか一つ以上の工程を複数のチャンバに分けて連続処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】結晶配向を劣化させず、かつ結晶粒の密度を下げずに、下地層及び磁性層の結晶粒を微細化した垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】ディスク基体１１上に軟磁性層１３、配向制御層１４、下地層１５及び主記録層１７を備える垂直磁気記録媒体１０であって、前記配向制御層１４は、ＮｉＷ、ＮｉＰｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴａ、ＮｉＶ、ＮｉＮｂ、ＮｉＺｒ、ＮｉＨｆ、ＮｉＣｕから選択される少なくとも一つに酸化物を添加してなる合金を主材料とし、配向制御層１４上に成長する下地層１５、主記録層１７の結晶粒を微細化する。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、媒体保護層の成膜時に加熱しても、保磁力Ｈｃと信頼性の両方を、より高いレベルで両立させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】ディスク基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層１２２ｂと、水素化カーボンを主成分とする媒体保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００の製造方法において、磁気記録層１２２ｂを、粒界部が複数の種類の酸化物を含有するように成膜する磁気記録層成膜工程（ステップＳ３１０）と、磁気記録層１２２ｂが成膜されたディスク基体１１０を１６０〜２００℃に加熱した状態で媒体保護層１２６を成膜する媒体保護層成膜工程（ステップＳ３３０）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、および携帯電話を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上の複数の平板体を形成する磁性相１４と、磁性相の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８とを備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内における、絶縁体相１６の伸長方向の平均をＸ軸方向、同面内においてＸ軸と直交する方向をＹ軸方向、基板１２の法線方向をＺ軸方向とする直交座標系の、Ｙ−Ｚ平面において、平板体の長手方向がＺ軸方向から傾斜し、Ｘ−Ｙ平面において、面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０、この高周波用磁性材料１０の製造方法、この高周波用磁性材料１０を用いたアンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直磁気記録に適した磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、交換結合力制御層材料としてルテニウムのみからなる層を用いても量産性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２、非磁性中間層３、垂直磁気異方性を有する第１記録磁性層４、Ｒｕよりなる交換結合力制御層５、及び垂直磁気異方性を有する第２記録磁性層６を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記交換結合力制御層５を形成するときのプロセスガスのガス圧を、2Ｐａ以上5Ｐａ以下に設定する。 （もっと読む）