【課題】本発明は、従来の装置に大きな変更を加えることなく高いスループットと高い保磁力およびＳ／Ｎ比を両立させることが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の代表的な構成は、基板上に配向制御層１６、非磁性の下地層１８、磁気記録層２２を備える磁気記録媒体において、配向制御層１６は、ニッケルまたはニッケルよりもイオン化傾向が小さい元素を主成分とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボン保護層に対する潤滑剤の付着率を向上させ、マイクロスクラッチや磁気ヘッドへの潤滑剤の移着が生じない、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、カーボン保護層２６、潤滑層２８をこの順序で備える磁気記録媒体１００の製造方法において、カーボン保護層２６の表層に、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法によって、水酸基（ＯＨ⁻）と結合可能な窒素を添加する添加工程と、潤滑層２８を、水酸基を含むパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）で成膜する潤滑層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＩｒとＭｎとを含む反強磁性のピニング層の表面の平坦度を高めることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 基板の主表面上に、ＮｉＦｅＮで形成されている下地層(2)が配置されている。その上に、ＩｒとＭｎとを含む反強磁性材料で形成されているピニング層(3)が配置されている。その上に、ピニング層と、直接または他の強磁性材料層を介して交換結合することにより磁化方向が固定される強磁性材料からなるレファレンス層(4ｃ)が配置されている。その上に、非磁性材料からなる非磁性層(7)が配置されている。その上に、外部磁場の影響によって磁化方向が変化する強磁性材料からなるフリー層(8)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を発現すると共に製造に伴う欠陥の少ないＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。ＳｙＡＦピンド層２７におけるＡＰ１層は、反強磁性層２６の側から順に積層された非晶質ＣｏＦｅＢ層と結晶質ＣｏＦｅ層との２層構造を含む。キャップ層３０は酸素原子に対する高い吸着能力を有するので、隣接するフリー層２９における酸素原子の含有率が低減される。また、キャップ層３０の構成原子がフリー層２９へ拡散する現象は抑制される。さらに、結晶質ＣｏＦｅ層の存在により、ピンホールなどの欠陥の少ない、均質化されたトンネルバリア層が得られる。 （もっと読む）

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なＭＲＡＭ実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 渦巻き形状の薄膜誘導素子を備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子の渦電流損を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１と薄膜誘導素子１３との間には、熱硬化性樹脂６ａ中に軟磁性体粉末６ｂを混入したものからなる磁性膜６が設けられている。これにより、シリコン基板１に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子１３の渦電流損を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】微細構造、面内配向性を両立させて低ノイズ化を図ると共に、良好な被ライト性能を実現した高出力の磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】磁気記録媒体において、CoCrPtB合金からなる記録磁性層を上下二層に別け、下層を高Cr、低Bとし、上層を低Cr、高Bとすることで、低ノイズ化と高出力化を図り、さらに、上層を上下二層に別け、中間層(低Cr、高B層の下層)を高Ptとし、最上層(低Cr、高B層の上層)を低Ptとすることで、膜全体の異方性磁界を増大させずに、面内配向性を改善することができ、低ノイズ化と良好な被ライト性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】レジストの残存溶剤の濃度分布に起因する金属薄膜の寸法精度の悪化を防止する。
【解決手段】基層の上にシード層を形成し（Ｓ４）、シード層の上に、上部の残存溶媒濃度が低く下部の残存溶媒濃度が高い第１のフォトレジスト層を形成し（Ｓ６）、第１のフォトレジスト層の上に、第１のフォトレジスト層まで到達する第１の開口を有するマスクパターン層を形成し（Ｓ７〜１０）、マスクパターン層をマスクとして第１のフォトレジスト層をエッチングし、第１のフォトレジスト層に、第１の開口と連通し、かつシード層まで達する第２の開口を形成し（Ｓ１１）、第１のフォトレジスト層をフォトレジストフレームとして、かつシード層を電極として、電気めっき法により、第２の開口内に金属層を形成し（Ｓ１２）、第２の開口内に金属層を形成した後に第１のフォトレジスト層およびマスクパターン層を除去する（Ｓ１3）。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子に設けられるピン層の磁化方向をより確実に固定することができる磁気抵抗効果素子の磁性薄膜構造を提供する。
【解決手段】下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】磁界の印加角度に依存せずに磁気センサを動作させる。
【解決手段】互いに直交するＸ方向及びＹ方向について、それぞれの方向を向いて配置された磁気抵抗素子を２つずつ備え、これら４つの磁気抵抗素子がブリッジ回路を構成してなる磁気センサの動作方法であって、Ｙ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１１，１４に対してＸ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１１，１４の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｘを測定する第１工程、Ｘ方向を向いて配置された２つの磁気抵抗素子１２，１３に対してＹ方向にバイアス磁界を印加することにより当該磁気抵抗素子１２，１３の抵抗を飽和させてからブリッジ回路１０のブリッジ電圧Ｖｙを測定する第２工程、第１工程によるブリッジ電圧Ｖｘと第２工程によるブリッジ電圧Ｖｙとの和から磁気センサの出力を得る第３工程を行う。 （もっと読む）

【課題】基材、軟磁性下地層、シード層、非磁性ＦＣＣ ＮｉＷ合金下地層、非磁性ＨＣＰ下地層、及び磁気層を含む、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明者は、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金下地層との組み合わせが、薄い下部磁気記録層の高い飽和保磁力と狭いＣ軸配向分布とを達成することによって、媒体記録性能及び熱安定性を大幅に改善することを発見した。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、信頼性及び機能の高い磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】
基板と、前記基板の一主面側に形成された軟磁性下地膜と、非磁性膜と、中間膜と、記録層と、前記記録層に接触して形成された第一保護膜と、前記第一保護膜に接触して形成された第二保護膜と、前記第二保護膜に接触して形成された第三保護膜を備え、前記記録層が非磁性材料の凹凸パターンに磁性膜が接触して形成されたパターン構造を持つパターンドメディアにおいて、前記第一保護膜および前記第三保護膜の主構成材料をカーボンとし、前記第二保護膜を塗布膜とする。
【効果】
カーボンと塗布膜の密着性が高いので剥離を防止ができ、塗布膜が緩衝材として衝撃を吸収する。 （もっと読む）

【課題】高密度記録再生用の微細構造においても、再生波形の非対称性を低減することのできる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子（１０）は、反強磁性層（１１）と、前記反強磁性層により磁化の方向が固定される第１ピンド層（１２）と、前記第１ピンド層と反強磁性結合し、かつ、前記第１ピンド層と反平行をなす基準ピンド層（１４）と、外部磁界により、前記基準ピンド層に対する磁化の方向が変化するフリー層（１６）とを備え、前記第１ピンド層のコア幅方向の長さは、前記基準ピンド層のコア幅方向の長さよりも長い。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置で磁化容易軸の制御を行いながら軟磁性薄膜を成膜する場合に、大面積基板内に高い精度で方向が揃えられた直交または任意角度で交差する２つの磁界を発生させる。
【解決手段】比較的大きな面積を有する基板表面に、スパッタ法を用いて、磁化容易軸が直交または任意角度で交差する少なくとも２つの磁性膜を積層成膜するとき、基板表面の近傍に当該表面に平行な方向の磁界を生成する磁界発生装置であって、基板表面を囲むように配置される環状の磁気ヨーク２１と、この磁気ヨークの周囲に巻かれ、第１の磁化容易軸の方向に磁界を生成する複数のコイルからなるコイルグループ２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂと、磁気ヨークの周囲に巻かれ、第２の磁化容易軸の方向に磁界を生成する複数のコイルからなるコイルグループ１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂから構成される。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性に優れたマグネトプランバイト型化合物から成る柱状構造体が均一に分散された磁性膜を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型基板１３上に形成されたマグネトプランバイト型化合物１１が柱状構造を有し、その長軸方向がマグネトプランバイト型化合物１１の磁化容易軸と一致し、かつ前記長軸方向がペロブスカイト型基板１３に対して垂直である磁性膜。 （もっと読む）

【課題】低周波域ノイズおよび孤立スパイクノイズの低減を可能とした構造の垂直磁気記録媒体とそれを実現するための基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板として多結晶のものを用いることによりＮｉまたはＮｉＰ合金膜等の下地メッキ膜なしに基板上に軟磁性膜をメッキ法で成膜することを可能としている。下地メッキ膜を設けないために顕著なスパイクノイズ低減効果が得られる。１０nm以上１０００ｎｍ以下の厚みの酸化珪素膜１０６を主面に有する直径９０ｍｍ以下の多結晶シリコン基板１０２上に、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚みのメッキ成膜された軟磁性裏打ち層１０２と磁気記録層１０３と保護層１０４と潤滑層１０５が順次積層されて記録媒体とされている。なお、酸化珪素膜１０６と軟磁性裏打ち層１０２との間に１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚みのＰｄ含有膜１０７を設けるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗を保持しつつ、スペーサー層を構成する半導体層の厚さを厚くすることができ、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗のばらつきを抑えることができ、膜特性の信頼性が格段と向上するＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 本発明のＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体層を有し、第１の非磁性金属層と半導体層との間、および／または、第２の非磁性金属層と半導体層との間に仕事関数調整層が形成されており、半導体層は、ｎ型半導体であり、仕事関数調整層は、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層よりも小さな仕事関数を有する材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】記録層の磁化容易軸の配向性を向上し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、第１下地層１２、第２下地層１３、第３下地層１４、第４下地層１５、熱安定化層１６、非磁性結合層１７、記録層１８等が順次形成され、基板表面にはテクスチャ１１ａが形成された構成からなる。第１下地層１２はＣｒまたはＣｒＭｎからなり、第２下地層１３はＣｒＭｎからなり、第２下地層１３が第１下地層１２よりもＭｎ含有量が多く設定され、第３下地層１４がＣｒ−Ｘ１合金（Ｘ１＝Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｔａ，およびＮｂからなる群のうち、少なくとも一つ）からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎを維持しつつ、耐衝撃性を高めることの可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、ディスク基体１上に少なくとも第１磁気記録層５、第２磁気記録層６を備える垂直磁気記録方式の磁気記録媒体の製造方法において、第１磁気記録層５および第２磁気記録層６は連続して成長した結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性領域を備えたグラニュラー構造の強磁性層であって、ディスク基体１側の第１磁気記録層は高圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜し、ディスク基体１から離れて形成する第２磁気記録層は低圧の雰囲気ガス圧でスパッタリング法を用いて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）