【課題】 簡易な構成により効果的に、カー回転角の増大と記録密度および記録感度の向上を図り得る光磁気記録媒体および層構造を提供する。
【解決手段】 基板１０上に微細な凹凸構造を形成し、その上に磁性層２０を形成する。凹凸構造１０ａは、磁性層２０に反映される。反映された凹凸構造によって、再生レーザ光に多重反射が生じる。再生レーザ光に多重反射が生じると、磁性層２０にて反射が繰り返される度に、カー回転作用が重畳される。これにより、再生レーザ光に対するカー回転角の増大効果が見込まれる。また、磁性層２０に反映された凹凸構造によって、磁性層２０の表面積が増大する。このため、レーザ光照射による磁性層２０の温度上昇が促進される。さらに、印加磁界は凹凸構造の先端部に集中するため、凹凸構造部分の磁界強度を高めることができる。よって、レーザ光および印加磁界に対する磁性層２０の記録感度が増大する。 （もっと読む）

高感度な再生ヘッドを有する磁気ディスク装置及びの製造方法を提供する。再生ヘッドの磁気抵抗効果素子として、反強磁性層、強磁性層、非磁性層、自由磁性層で構成されたスピンバルブ型の多層膜を用いる。反強磁性層と強磁性層との間には反強磁性反応層を設ける。反強磁性層は酸素を含有する金属化合物にて形成する。
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【課題】酸化物グラニュラ媒体の結晶粒間の交換結合を低減し、高い媒体S/Nを得て、1平方センチあたり23ギガビット以上の面記録密度を実現する。
【解決手段】基板上に、軟磁性層、Ruを含有する下部中間層、Ru結晶粒と酸化物からなる結晶粒界とを有する上部中間層、結晶粒と酸化物からなる結晶粒界とを有する磁気記録層を順次積層した構造を有し、磁気記録層の結晶粒は上部中間層のRu結晶粒上にエピタキシャル成長し、磁気記録層の結晶粒界は上部中間層の結晶粒界上に成長している。 （もっと読む）

【課題】
磁性薄膜内部の磁区構造の最適化により、高い共振周波数を有し、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１２上に、磁性粒子１６を絶縁体１４Ａで包み込んだグラニュラ層１８と絶縁層を積層する際に、前記絶縁層の厚みを周期的に変化させて、前記グラニュラ層１８と薄い絶縁層１４Ｂとの積層構造よりなる強磁性領域２０と、厚い絶縁層１４Ｃからなる非磁性領域２２とを交互に形成し、前記非磁性領域２２中に磁壁２４を配置して、磁性薄膜１０の内部の磁区構造を最適化する。磁区構造を任意に変更できるため、磁壁を介して磁気的相互作用が制御可能となり、異方性磁界の値を増大させて共振周波数を高め、ＧＨｚ帯域で有効に動作する磁性薄膜１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い媒体S/Nを有し、オーバーライト特性に問題なく、ビットエラーレートに優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な面内磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１０上に、第１の下地層１１、第２の下地層１２、第３の下地層１３を形成し、さらに第１の磁性層１４と、Ruを主成分とするスペーサ層１５と、第２の磁性層１６と、第３の磁性層１７をこの順に接して形成ずる。第２の磁性層１６が第３の磁性層１７より厚く、第２の磁性層１６に含まれるコバルトと白金の濃度の和が第３の磁性層１７に含まれるコバルトと白金の濃度の和以下にする。 （もっと読む）

【課題】 磁気的白色雑音を可及的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 磁化の向きが膜面に実質的に平行な第１磁性層９と、磁化の向きが膜面に実質的に垂直な第２磁性層５と、第１および第２磁性層の間に設けられた非磁性層７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は，高密度磁気記録媒体の作製において従来技術が抱えてきた本質的な問題点を解消することを目的とするものであり，磁気記録媒体に活用できる磁性微粒子の作製技術に関わり，更に詳しくは磁性粒子のサイズならびに配列の制御，ならびに磁性粒子の磁気特性の改善に関わる磁性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】イオンエッチングを用いることにより磁気特性の制御と微粒子形成をそれぞれ独立に制御可能な磁性微粒子の製造方法であることを特徴とする。強磁性薄膜，若しくは非磁性層
/ 強磁性層の積層薄膜に高エネルギーイオンを照射することにより磁性微粒子を作製する。強磁性薄膜作製時において製膜条件を調整することにより所望の磁気特性を発現させ，その後のイオンエッチングによって微粒子形成ならびにその組織制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 （もっと読む）

改良型の新規デバイス及び磁性素子（１００）の形成方法に関し、特に、後続層のナノ結晶成長のシード層となる、結晶構造が不規則配列化されたシード層（１２０）及び／テンプレート層（１２２）を備える磁性素子に関するものであり、この磁性素子は固着化層（１２４）、固着層（１２５）、及び固定層（１２６）を含む。
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【課題】外部磁界による着磁外れの発生が抑制され、かつ媒体ノイズを低減した垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】基板上に、面内硬磁性層、中間層、面内軟磁性層、及び磁気記録層を積層した磁気記録媒体であって、中間層として、面内硬磁性層よりも小さい飽和磁化を有する磁性層、コバルトを主に含むか、ルテニウムを主に含むか、あるいは０．５ｎｍ以下の厚さを有する非磁性層、または面内硬磁性層の酸化層を用いる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ用途に適合した可変抵抗特性を有するＣＭＲ薄膜を形成する。
【解決手段】 ＣＭＯＳデバイス作製における使用に適したＣＭＲ薄膜の形成方法であって、その上に初期デバイス構造の形成工程を含む基板を準備する工程と、ＣＭＲターゲットを備えるＲＦスパッタリング堆積チャンバー内のウェハチャックに基板を設置する工程１２と、ＲＦスパッタリング工程の間にナノサイズのＣＭＲ結晶を形成するために４５０℃未満の温度にウェハを加熱する工程１４と、所定のチャンバー圧でスパッタリングガスを堆積チャンバー内に導入する工程１６と、ＣＭＲ材料を基板上に堆積させるためにＣＭＲターゲットにＲＦパワーを印加する工程１８と、デバイス作製を完成させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 低ノイズ化と耐熱擾乱性の向上を両立させる磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 非磁性の基板と、その上に順次堆積された、ＣｒもしくはＣｒ基合金からなる少なくとも１層の下地層、Ｃｏ基合金からなる少なくとも１層の中間層及びＣｏＣｒ基合金からなる少なくとも１層の磁気記録層とを含んでなり、かつ前記下地層及び（又は）前記中間層が、それぞれ、クリプトンガス及び（又は）キセノンガスの存在においてスパッタリング法によって成膜された薄膜であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。
【解決手段】基板上に下地層、MnPtからなる反強磁性層、CoFeからなる第１強磁性層、Ruからなる反強磁性結合層、CoFeからなる第２強磁性層、Cuからなる中間非磁性層、CoFe及びNiFeの積層膜からなる自由層及び保護層を積層したMnPt反強磁性ボトム型の積層フェリ型スピンバルブ膜において、第１強磁性層のCoFexのFe組成ｘを20 < x <= 50at%とする。
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【課題】 磁気抵抗効果素子の単位面積あたりの磁気抵抗変化量ΔＲＡの増加を図り、優れた磁気抵抗変化率を有するＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 ＣＰＰ構造のシングルスピンバルブ構造を有し、下地層４１、反強磁性層４２、固定磁化層４３、非磁性中間層４４、自由磁化層４５、保護層４６が順次積層された構造とし、固定磁化層４３は、第１固定磁化層４８、非磁性結合層４９、第２固定磁化層５０の順に形成した積層体とする。第１固定磁化層４８をＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ及びこれらの元素からなる合金とＲｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｖ等の添加元素を有する強磁性材料からなる抵抗制御層として、スピン依存バルク散乱の散乱非対称項βを第２固定磁化層よりも小さくすることで、素子の単位面積あたりの磁気抵抗変化量ΔＲＡの向上を図る。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料、材料の製造方法、材料の実装方法に関する。その材料は、Ｃｕ又はＣｕＯがドーピングされて、−５５℃〜１２５℃の範囲における少なくとも１つの温度において強磁性を示す。典型的には、その材料は、ＧａＰ又はＧａＮを含む。
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非晶質状態の強磁性金属とこの強磁性金属とは異なる非晶質金属とにより形成されたＤＭ（ディスコンティニュアス・マルチレイヤ）構造の採用により、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し且つ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜を実現した。このとき、（ｉ）強磁性金属が、Ｆｅ又はＦｅＣｏを主成分とし、Ｃ、ＢおよびＮから選ばれる１又は２以上の元素を含む金属であり、非晶質金属がＣｏ系非結晶質合金であること、（ｉｉ）非晶質金属がＣｏＺｒＮｂであること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）