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Fターム[5E315BB04]の内容

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Fターム[5E315BB04]に分類される特許

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【課題】自由な回路配置を可能にするとともに、大電流を流しても不測のショートが発生しないようにする。
【解決手段】絶縁層31と該絶縁層31に挟まれるコア板41を有し、前記コア板41に、後段の加工で除去される分割用接続部と厚み方向に貫通するスリット45とで形成される分割線で区切られて前記分割用接続部を除去するコア分割によって電気的に独立される島部42が形成されたメタルコア基板11において、前記島部42を面方向の端部に設けるべく、後段の外形加工で形成される外形線の一部と該外形線の一部の両端を当該メタルコア基板11の面方向の内側で結ぶ前記分割線で囲んで前記島部42を形成する。そして、コア板41における前記分割線の端部に相当する部位に、前記外形線から内側に入り込んで前記絶縁層31を構成する樹脂31aが充填される切欠部47を設けたメタルコア基板11。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性および電気絶縁性に優れる絶縁フィルムの原料となる液状組成物と、優れた放熱性および信頼性を発現する金属ベース回路基板とを提供する。
【解決手段】この液状組成物は、液晶ポリエステルと溶媒と窒化ホウ素とを含む。この窒化ホウ素は、純水:エタノール=8:2(容量比)の溶液に窒化ホウ素を添加して調製した5質量%のスラリーを50℃に維持して1時間後に溶出するホウ素量が300ppm以下である。不純物の少ない窒化ホウ素が熱伝導充填材として液晶ポリエステルに配合されているため、熱伝導性および信頼性に優れる絶縁フィルム3の原料となりうる。この液状組成物の流延物から溶媒を除去して絶縁フィルム3を形成し、この絶縁フィルム3を介して金属基板2上に銅箔4を積層して金属ベース回路基板1を構成する。これにより、金属ベース回路基板1の放熱性および信頼性が高まる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、配線端子部の平面サイズが縮小化されても、スライダ端子部との電気的接続の信頼性を確保できるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とするものである。
【解決手段】 平坦なベース絶縁層の上に形成される第1導体端子パターンの上に、平面視上重複するように第2導体端子パターンを形成し、前記第2導体端子パターンの面積を、前記第1導体端子パターンの面積よりも小さくすることにより、配線端子部に段差を形成することにで、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】放熱性、絶縁耐圧、光反射性に優れた実装基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】実装基板10a−1の製造方法は、陽極酸化処理により陽極酸化層35(多孔質層40、バリア層30)を、アルミニウム基材20の第1の面に形成する第1の工程と、多孔質層上にシード層50を形成した後、所定の形状の開口部を有するレジストパタンをシード層上に形成して、開口部のシード層上に第1の導電層60、第2の導電層70をこの順に形成し配線領域を形成する第2の工程と、配線領域をマスクとして配線領域を除いた領域における多孔質層の少なくとも表面側の一部分を除去する第3の工程を有する。また、第3の工程に続いて、バリア層を除去し、アルミニウム基材が露出した領域を形成する第4の工程を有する。 (もっと読む)


【課題】下孔内に絶縁材を充填する際の垂下を防止するプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板の製造方法は、低熱膨張率の導電性の基材2の面部に下孔3を形成する工程と、下孔3の底面側の基材2の面部2Cに剥離フィルム12を張り合わせることで、張り合わされたフィルム12で下孔3の底面側を閉塞する底部8を形成する工程とを実行する。更に、製造方法は、下孔3に絶縁材4を充填する工程と、絶縁材4が充填された下孔3内に複数のスルーホール5を形成する工程と実行する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層を挟んで第1配線層上に設けられた第2配線層の断線を防止し、電気的特性を向上させることができるサスペンション用基板を提供する。
【解決手段】サスペンション用基板は、金属基板と、金属基板上に設けられた第1絶縁層と、第1絶縁層上に設けられた第1配線層10と、第1配線層10上に設けられた第2絶縁層と、第2絶縁層上に設けられた第2配線層12と、を備える。第2配線層12が第1配線層10の上方に位置する重なり部14において、第2配線層12は、線幅W1が第2配線層12の他の部分の線幅W2よりも広い幅広部16を有する。 (もっと読む)


【課題】メタルコア多層配線板において、放熱効果を向上し、配線板の繰返し熱応力による歪を抑制して信頼性を向上する。
【解決手段】メタルコアに複数の信号接続・放熱用スルーホールの形成領域に応じた開口を複数設けると共に該開口に充填した樹脂層を貫通して複数の放熱用及び/又は信号接続用スルーホールとこれに容量結合するアース用スルーホールを上記充填樹脂層を貫通して設け、これらのスルーホール内壁に導電層を形成して、該配線板の表裏及び内部の配線層と接続する。
開口を充填する樹脂は、予め無機フィラーを混合し熱膨張率を半分以下に低減し、配線層を形成したコア材を積層する前に硬化しておくことにより、充填樹脂の熱膨張によるメタルコアとの剥離、内部配線層の断線やクラック発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】導体薄膜と金属支持層との密着性を向上させることができ、金属接続部の金属支持層からの剥離を有効に防止することのできる配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持層2を用意し、ベース絶縁層3を、金属支持層2の上に、ベース開口部13が形成されるように形成し、導体薄膜4を、ベース絶縁層3の上と、ベース絶縁層のベース開口部13から露出する金属支持層2の上とに形成し、導体薄膜4を加熱し、導体パターン5を、ベース絶縁層3の上に形成される導体薄膜4の上に形成するとともに、グランド接続部12を、ベース絶縁層3のベース開口部13から露出する金属支持層2の上に形成される導体薄膜4の上に、グランド配線9に連続して形成する。 (もっと読む)


【課題】コールドスプレー法を用いてセラミックス基材に金属皮膜を形成させた場合に、セラミックスと金属皮膜との間の密着強度が高い積層体およびこの積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁性のセラミックス基材10と、金属を含む主成分金属層51、および金属または金属の酸化物もしくは水素化物からなる活性成分層52を有し、セラミックス基材10の表面に形成される中間層50と、中間層50の表面に、金属を含む粉体をガスと共に加速し、前記表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された金属皮膜40と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】積層品である配線基板を効率良く生産することが可能な配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】銅箔を有する絶縁層を金属コアに重ねたワークWを搬送用PET上フィルム50と搬送用PET下フィルム60との間に挟んで第1ステージ70及び第2ステージ80へ順に搬送し、第1ステージ70でワークWを真空下で加熱・加圧して金属コアに絶縁層を一体化させるラミネート処理を行い、第2ステージ80でラミネート処理を施したワークWを加熱・加圧して絶縁層の表面を平坦化させる平坦化処理を行う配線基板の製造方法であって、第1ステージ70のタクトタイムと第2ステージ80のタクトタイムとを整合させ、第2ステージでの処理と並行して第1ステージでの次のワークWの処理を実行させる。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム(Al)及び銅(Cu)からなったベースの向上された放熱機能により、電子部品の高集積化/高容量化による高出力用金属基板の提供が可能である放熱基板を提供する。
【解決手段】本発明は、放熱機能の向上のための放熱基板(陽極酸化多層金属基板)に関し、具体的には、一定厚さの銅層110と銅層110の上下表面に備えた陽極酸化絶縁層130と、銅層110及び陽極酸化絶縁層130の間に備えたアルミニウム(Al)層120をさらに含むものである。 (もっと読む)


【課題】積層された配線層間の絶縁層の表面の平坦性を向上させ、配線層におけるインピーダンスを安定させる。
【解決手段】サスペンション用基板1は、金属基板20と、金属基板20上に設けられた第1絶縁層22と、第1絶縁層22上に設けられた第1配線層10と、第1絶縁層22及び第1配線層10上に設けられた第2絶縁層24と、第2絶縁層24上に設けられた第2配線層12と、を備える。第2配線層12は保護層26で覆われている。第1配線層10の厚みと、第1配線層10上の第2絶縁層24の厚みとの合計をT1とし、第1配線層10から所定距離離れて第2絶縁層24の表面が平坦となる位置における第2絶縁層24の厚みをT2としたとき、T1−T2<4.5μmを満たす。 (もっと読む)


【課題】ワイヤハーネス等との接続が可能な放熱性に優れた配線基板を低コストで容易に製造することができる配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属コア22となる金属板に、接続端子31の固定部32を形成する固定部形成工程と、金属板の端子部形成領域をマスキングテープで覆うマスキング工程と、絶縁層23を金属板に重ねて、真空下で加熱・加圧し、金属板に絶縁層23を一体化させる絶縁層積層工程と、端子部形成領域における絶縁層23と導電層24を除去して金属板を露出させる絶縁層除去工程と、露出させた金属板を加工して接続端子31の端子部33を形成する端子部形成工程と、を含む配線基板11の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】金属ベース回路基板を重ねて製品管理しても金属基板が白色レジスト層で擦られることを抑制することを可能とする。
【解決手段】金属基板3上に絶縁層5を介して設けられた回路部7と、金属基板3の絶縁層5及び回路部7上を、LEDのハンダ付けランド9a,9bを回路部7に対し形成して覆う無機フィラーを含んだ白色レジスト層9とを備えた金属ベース回路基板1であって、白色レジスト層9と金属基板3側の絶縁層5との間に、回路部7に対し離間した位置で高さを維持するダミー回路11a,11bを形成し、このダミー回路11a,11bで高さの維持された白色レジスト層9の表面に、基板最上部を構成するシンボル・パターン13a,13bをシンボル・インクにより形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、難接着金属との接着の際にも十分な接着強度を保つエポキシ樹脂組成物、及び、エポキシ樹脂組成物を絶縁層とした回路基板、発光装置を提供することを目的としたものである。
【解決手段】本発明は、分子量1000以上10000以下の高分子量エポキシ樹脂と、分子量300以上500以下の低分子量エポキシ樹脂、及び、エーテル結合を分子内に含む硬化剤を有するエポキシ樹脂組成物である。高分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂又はビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の共重合体のいずれかで、その骨格の末端にエポキシ基をもつエポキシ樹脂である。低分子量エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂の単体又は複合体である。 (もっと読む)


【課題】放熱特性が向上した放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板330、銅基板330の一面に形成されたアルミナ層320、アルミナ層320に形成された第1回路層340からなる放熱基板を用い、アルミナ層320を貫くように開口部390を形成し、開口部390を通じてアルミナ層320から露出された銅基板330にソルダパッド610を付着した後、これに発熱素子600を実装することにより、銅基板330の露出面に発熱素子600が直接実装されるパッケージ700を具現する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱伝導率が高く、かつ、近紫外領域の波長の光反射率が高い光半導体発光装置用樹脂成形体材料を提供することを課題とする。加えて、成形した際の成形性も高い光半導体発光装置用樹脂成形体を提供することを課題とする。
【解決手段】(A)ポリオルガノシロキサン、(B)無機充填剤、および(C)硬化触媒を含有し、前記(B)無機充填剤として、一次粒径が0.1μm以上7.0μm以下の、窒化ホウ素または窒化アルミニウムを含有する、半導体発光装置用樹脂成形体用材料により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】電子部品の熱エネルギーの伝達速度を高めることができる回路板を提供すること。
【解決手段】回路板は、金属パターン層と、熱伝導板部材と、電気絶縁層と、少なくとも1つの電気絶縁材料とを備えている。熱伝導板部材は平面を有する。電気絶縁層は金属パターン層と平面との間に配置され、かつ平面を局所的に覆っている。電気絶縁材料は電気絶縁層に覆われていない平面を覆うとともに、熱伝導板部材に接触している。電気絶縁層は電気絶縁材料を露出させ、電気絶縁材料の熱伝導率は電気絶縁層の熱伝導率より大きい。 (もっと読む)


【課題】高い熱伝導率と高い電気絶縁性を有する樹脂硬化物を形成可能な樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂組成物を、ビフェニル骨格を有する2官能エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、重量累積粒度分布の小粒径側からの累積50%に対応する粒子径D50が7μm以上25μm以下である第1のアルミナ群、粒子径D50が1μm以上7μm未満である第2のアルミナ群、及び、粒子径D50が1μm未満である第3のアルミナ群と、を含み、第1から第3のアルミナ群の総質量中の、第1のアルミナ群の含有率が60質量%以上70質量%以下、且つ第2のアルミナ群の含有率が15質量%以上30質量%以下、且つ第3のアルミナ群の含有率が1質量%以上25質量%以下であり、第3のアルミナ群に対する第2のアルミナ群の含有比率(第2のアルミナ群/第3のアルミナ群)が、質量基準で1.2以上1.7以下であるように構成する。 (もっと読む)


【課題】金属ベース基板の製造時に生じ得る反りを抑制し得るとともに、ヒートシンクへの熱伝導性を向上させることができる、金属ベース基板を提供する。
【解決手段】金属ベース基板1は、互いに対向する第1および第2の主面2および3を有する金属板4と、第1および第2の主面2および3上にそれぞれ形成された第1および第2のセラミック層5および6とを備える。第1および第2の主面2および3の双方に形成されるセラミック層5および6は、反りを抑制する。第2のセラミック層6は、第2の主面3上における枠状領域に沿って位置する枠状部分8を少なくとも含むとともに、枠状部分8に囲まれた領域において第2の主面3の一部を露出させる開口9を有する。開口9は、金属板4にヒートシンクを接合することを可能にし、金属ベース基板1の放熱性を向上させる。 (もっと読む)


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