Fターム[5E319GG11]の内容
印刷回路に対する電気部品等の電気的接続 (35,455) | 目的、効果 (6,986) | 熱ストレス防止 (448)
Fターム[5E319GG11]に分類される特許
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接着剤組成物、その製造方法、これを用いた接着フィルム、半導体搭載用基板及び半導体装置
加熱抵抗体を組み込んだ電子基板
【課題】BGA型構成部品が、これまでプリント回路上にはんだ付けされていた温度より高い融解温度で、はんだを使用可能にする。
【解決手段】本発明は、BGA型電子構成部品のバッキング10を形成する領域20と、前記領域と直角の電気加熱抵抗体25Aとを含む電子基板1に関し、前記電気抵抗体は、板に電子構成部品をはんだ付けするための熱量を供給することができ、電子基板は、電気絶縁層22、24、26と交互の複数の導電層21、23、25、…を含み、前記電気加熱抵抗体25Aは、表面層21のすぐ下の導電層の1つを形成することを特徴とする。基板は、必要に応じて熱ドレインを含む。本発明は、また方法を実現するための設備に関する。また本発明によって、はんだ剥がれまたは隣接する部材に損傷を与える危険なしに、欠陥部材を交換することにより電子基板を修理できる。
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導電性フィラー、及びはんだペースト
半田付け方法及び装置
レーザリフロー装置
リフロー半田付け方法及びリフロー半田付け装置
【課題】本発明は、基材としてPET等の合成樹脂を用いたFPCにおいて、半田にレーザを照射することにより溶融させるリフロー半田付けを行う場合においても、基材に損傷を与えることなく部品を実装することのできるリフロー半田付け方法及びリフロー半田付け装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、PET等の合成樹脂を基材1Aとして用いたフレキシブルプリント配線板1において、FPC1上の半田2を加熱装置12によって予熱した後に半田2に対してレーザを照射することによって、レーザ照射時間が短くなり、PET等の合成樹脂を用いた基材1Aに損傷を与えることなくリフロー半田付けを行うことができる。
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レーザー式はんだ付け装置
電子部品の実装方法および電子部品モジュールの製造方法
接合材料およびモジュール構造体
【課題】本発明は、従来の高温鉛―錫はんだの代替え材料として、鉛フリー高温はんだ材料を提供すること。
【解決手段】本発明は、ビスマス−銅−ゲルマニウムからなるはんだ合金に銅粒子を添加することで、モジュール部品内の電子部品や半導体素子等とモジュール基板をリフロー実装し、その後、モジュール部品をマザーボードに更にリフロー実装する場合において、リフロー実装時の熱で再溶融することがない接合材料であり、0.2〜0.8重量%の銅と0.02〜0.2重量%のゲルマニウムと69〜84.78重量%のビスマスからなるはんだボールと、15〜30重量%の銅粒子からなる接合材料。
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クラックを生じにくい半田接合部、該半田接続部を備える回路基板などの電子部品、半導体装置、及び電子部品の製造方法
電子部品固定用反応性接着剤組成物及びその接着シート
電子部品の接続方法
プリント配線板、プリント回路板、および電子機器
プリント板、及び、プリント板の製造方法
電子部品
プリント配線板、プリント配線板の電極形成方法およびハードディスク装置
【課題】フリップチップ実装される半導体素子接合用の電極を、ソルダーレジスト被膜により規定した配線パターンの露出部分により形成したプリント配線板に於いて、強固なはんだ接合を可能にするとともに、接合部の高密度化が図れるプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板11は、フリップチップ実装される半導体素子の実装面部に所定の間隔を存して配列された、半導体素子接合用の電極形成部分を有する多数本の配線パターン12p,12P,…と、部品実装面部を電極形成部分を残しソルダーレジスト(SR)で被覆することにより電極形成部分に露出形成された多数の電極12,12,…と、各電極12,12,…に一体に設けられ、半導体素子の電極に接合する部分の電極幅を他の部分より広幅に形成し、この広幅の部分が上記電極の配列方向に隣接しないように該電極の延長方向に位置的にずらせて配置した電極拡張部12a,12a,…とを有して構成される。
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半導体装置用基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
【課題】従来、半導体装置用基板と半導体素子との間に供給される応力緩和用の樹脂が内部まで充分に浸透しにくいという問題があった。
【解決手段】半導体装置用基板1は、支持基材10、配線20、マスク30、および絶縁層40を備えている。支持基材10上の半導体素子と対向する領域には、マスク30が設けられている。また、支持基材10上には、絶縁層40が設けられている。この絶縁層40は、マスク30と所定の間隔を置いてマスク30を包囲している。ここで、マスク30は、絶縁層40に対して選択的に除去可能である。支持基材10上には、配線20も設けられている。この配線20は、半導体素子と接続される基板配線である。配線20は、その一部がマスク30と絶縁層40との間の領域に露出している。
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高周波装置の製造方法
電子部品の接合方法及び電子機器の製造方法
電子デバイスの製造方法及びその製造装置
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