【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】シリコン絶縁層とシリコン基板とを貫通する孔の加工の精度を配線が含まれる領域にて高めることのできるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】ダミー配線１３ｄ，１５ｄの埋め込まれた凹部を有して該凹部の内面にはバリアメタル層１３ｂ，１５ｂが形成されたシリコン絶縁層１３ａ，１５ａを有するシリコン基板１１に対して、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａとシリコン基板１１とを貫通する孔をダミー配線１３ｄ，１５ｄが含まれる領域に形成する。ダミー配線１３ｄ，１５ｄ、バリアメタル層１３ｂ，１５ｂ、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａをエッチングした後にシリコン基板１１をエッチングする。加えて、シリコン基板１１のエッチングを終了する前に、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａ及びシリコン基板１１の少なくとも１つを希ガスでスパッタする。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工により高アスペクト比の構造体の形成が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異なる材料からなる複数の膜を積層して少なくとも酸化シリコン膜を含む積層膜を形成する工程と、前記積層膜上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記積層膜を異方性エッチングして所定の形状の積層膜パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を含み、前記ハードマスクパターンは、第１ハードマスク層と第２ハードマスク層とが少なくとも１層ずつ以上積層されて構成され、前記第１ハードマスク層は、前記第２ハードマスク層よりもウェットエッチングによる剥離性が良い材料からなり、前記積層膜の直上には前記第１ハードマスク層が配置される。 （もっと読む）

【課題】酸化膜へ高アスペクト比のホール又はトレンチを形成する際にエッチングレートが低下するのを防止することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】開口部３９を有するシリコンからなるハードマスク膜３８を用いてウエハＷに形成された酸化膜３６をエッチングして該酸化膜３６に高アスペクト比のホール４６を形成する際に、Ｃ_４Ｆ_６ガス及びメタンガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで開口部３９に対応する酸化膜３６をエッチングし、次いで、酸素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマで上記エッチングにおいて生成され且つ酸化膜３６のホール４６の内面に堆積した反応性生成物４５をアッシングし、上記エッチング及び上記アッシングをこの順で繰り返す。 （もっと読む）

【課題】イットリア部品の製造方法を提供する。
【解決手段】固形イットリアサンプルが処理開始時に用意される。固形イットリアサンプルを高温環境に曝露することでイットリアサンプルを焼結し、機械加工して部品を形成し、部品を既定の加熱速度で加熱してアニーリングする。部品を一定のアニーリング温度で維持し、部品を既定の冷却速度で冷却することを含む。この方法を用いて製造したバルクイットリア部品は、例えば応力の軽減や強化された耐化学薬品性を含む、特性の改善を示すことが判明した。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０２，１９０３，１９０４を有するマスク１９００を半導体１８０１表面に形成すると共に、マスク１９００の周辺にマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための周辺窓を有する周辺マスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ラインの増設・変更に容易に対応できる集積化流体制御装置およびこのような流体制御装置を備えたガス処理装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置は、各ラインA1,A2,A3,A4,A5,B1,B2,B3が複数のブラケット8,9,18,19,20を介して基板1に着脱可能に取り付けられ、通路接続手段47,48が上方に取り外し可能とされている。複数の継手部材11,12,13,14,15,16,17として、複数の管状継手部材13,15,17と複数のブロック状継手部材11,12,14,16とが使用されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、径が大きい第１穴部２１と、第１穴部２１より径が小さい第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第１穴部２１は被処理基板側の放射面３ａに開口し、電極板３の中央部に配置される通気孔１１の第２穴部２２の長さＢは、電極板３の外周部に配置される通気孔１１の第２穴部２２に比べて短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の表面にダメージを与えることなく、異物を除去する技術が望まれている。
【解決手段】 半導体ウエハのチップ領域に、複数の反射電極を形成する。反射電極の表面を覆うように、半導体ウエハの上に絶縁膜を形成する。反射電極が絶縁膜で覆われた状態で、チップ領域とは異なるナンバリング領域に、凹凸による識別標識を形成する。識別標識を形成した後、反射電極の上面が露出するまで絶縁膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】ボーイングの発生を抑制し、側壁形状を垂直に維持しつつ高アスペクト比のコンタクトホールを形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】炭素とフッ素の比率（Ｃ／Ｆ）が第１の値である第１処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングにより、マスク層の残量と、ホールのボーイングＣＤとの相関関係を調べ、ボーイングＣＤの変化量が増大する変化点に相当するマスク層の残量を求める準備工程と、第１処理ガスを含む処理ガスを用い、マスク層の残量が変化点となるまでプラズマエッチングを行う第１プラズマエッチング工程と、第１プラズマエッチング工程の後に行う、第２プラズマエッチング工程とを具備し、第２プラズマエッチング工程は、少なくとも、第１の値よりＣ／Ｆが小さい第２処理ガスを含む処理ガスを用いたプラズマエッチングを行う期間を含む。 （もっと読む）

【課題】効率良く多段の良好な形状の階段状の構造を形成することのできる半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体を提供する。
【解決手段】第１の誘電率の第１の膜と、第１の誘電率とは異なる第２の誘電率の第２の膜とが交互に積層された多層膜と、多層膜の上層に位置しエッチングマスクとして機能するフォトレジスト層とを有する基板をエッチングして、階段状の構造を形成する半導体装置の製造方法であって、フォトレジスト層をマスクとして第１の膜をプラズマエッチングする第１工程と、水素含有プラズマにフォトレジスト層を晒す第２工程と、フォトレジスト層をトリミングする第３工程と、第３工程によってトリミングしたフォトレジスト層及び第１工程でプラズマエッチングした第１の膜をマスクとして第２の膜をエッチングする第４工程とを有し、第１工程乃至第４工程を繰り返して行うことにより、多層膜を階段状の構造とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】 多層構造体中にあるシリコン膜であっても、レジスト膜や有機膜をマスクに用いてエッチングすることが可能であり、かつ、シリコン膜、及びこのシリコン膜の下に存在するシリコン酸化物膜を一括してエッチングすることも可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン酸化物膜２、及びこのシリコン酸化物膜２上に形成されたシリコン膜３を含む多層構造体をエッチングするエッチング方法であって、多層構造体中のシリコン膜３及びシリコン酸化物膜２をエッチングするとき、レジスト膜６又は有機膜をエッチングのマスクに用い、エッチングガスとしてＣＨ_２Ｆ_２ガスを含むエッチングガスを用いて、多層構造体中のシリコン膜３及びシリコン酸化物膜２を一括してエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理後のパターンの出来映え形状を高精度で予測することのできる技術を提供する。
【解決手段】各反応生成物の量をそれぞれプラズマ発光強度によって表し、これらを規格化する。そして、規格化された各反応生成物のプラズマ発光強度をそれぞれ予測値補正データに変換し、これら予測値補正データのなかから開口率に応じた最適な予測値補正データを選択し、この最適な予測値補正データを、モニタリング信号から得られた予測値データに加えることにより、パターンの出来映え形状を予測する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜の上に積層された、有機膜と、その有機膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える、被エッチング膜のエッチングマスクとなる複数層レジストの前記有機膜に、高い垂直性を有するマスクパターンを形成すること。
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。 （もっと読む）