【課題】半導体ウエハ等の被着体に塵が落下して半導体チップ生産の歩留まりが低下することを抑制できるようにすること。
【解決手段】シート剥離装置１０は、半導体ウエハＷに貼付された保護シートＳに剥離用テープＰＴを貼付する貼付手段１５と、保護シートＳに貼付された剥離用テープＰＴを介して保護シートＳを半導体ウエハＷから剥離する剥離手段１６とを備えている。剥離手段１６は、半導体ウエハＷの保護シートＳ貼付面を下向きとした状態で、保護シートＳを半導体ウエハＷから剥離可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板のステージ載置後の相対位置を求めて簡単に精密な位置決めを行う。
【解決手段】 基板位置決め装置は、ステージ５とステージ移動機構５１とカメラ６より構成され、カメラ６に基板Ｗの表面が撮像される。低倍率でアライメントマーク２０４を撮像した基板回転中心位置情報を用いるセンタリング処理によって基板Ｗの回転中心位置を位置補正する。次に、ステップＳ１８において、低倍率で撮像したアライメントマーク２０５とスクライブライン領域２０３を用いた基板端部位置情報から基板Ｗの位置を計測し、その計測結果に基づいてステップＳ２０において基板Ｗの回転角度補正を行う。つづいて、ステップＳ２１において傾斜角度補正を行う。そして、ステップＳ２２において、セットされた高倍率にてアライメントマーク２０４を撮像し、アライメントマーク２０４の重心位置を計算して基板の位置を補正して、基板の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】エッジグリップ方式チャックにおいては、定期的なメンテナンス（清掃等）が不可欠となる。しかし、清掃等のメンテナンスを行う場合、人が作業を行う以上作業にムラが生じる可能性を否定できない。また、人を介することで新たな塵を付着させたり傷を付けたり、部品を破壊したりといったリスクも考慮しなければならない。
【解決手段】本発明は上記課題を解決するためにウエハチャックを検査光学系より後方に移動し、前記検査光学系より後方で、前記ウエハチャックを清掃することを特徴とする。また、本発明は、ウエハチャックヘ供給される空気の流量と、前記ウエハチャックへ供給される空気の排気量を制御することを他の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、基板載置部に載置した基板を処理する処理室と、処理用ガスを処理室に供給する供給部と、供給された処理用ガスを励起する励起部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、基板載置部を支持する支持部と、支持部を水平回転させる回転駆動部と、接続部を介して支持部の下端接続される冷媒供給/排出部とを有するよう構成し、前記基板載置部は、その内部に冷媒循環通路を有しており、前記支持部は、前記冷媒循環通路に冷媒を流通させる第１の冷媒流路を有し、前記冷媒供給/排出部は、第２の冷媒流路を有し、前記接続部は、前記第１の冷媒流路と第２の冷媒流路とを接続するものであり、前記接続部を前記処理室の外部に設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップの割れや欠けの発生を抑制することができるチップ加工装置およびチップ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】載置される基板２の分割線に対応して形成された分割溝と、吸着孔１４を有し前記分離溝で画されたチップ吸着部と、を有する基板載置治具３と、前記吸着孔を減圧して前記基板を基板載置治具に真空吸着可能とするとともに、前記基板載置治具に載置された前記基板が前記分割線で分割されて形成されるチップごとに前記チップ吸着部への真空吸着を解除可能とする圧力制御部４と、前記チップごとに前記圧力制御部による前記真空吸着を解除させ、前記真空吸着が解除されたチップのピックアップを可能とする加工制御部５と、を備えたことを特徴とするチップ加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】基板が使用されている時に、保護カバーの内面が汚染されることを容易、かつ確実に防止する。
【解決手段】露光装置は、チャンバ１３内に配置されるレチクル３７を保持するレチクルステージ１１を備え、レチクル３７に形成されたパターンの像をウエハに露光する。第1搬送部は、レチクル３７が収納される第１カバー部材を保護する第２カバー部材を開いて第１カバー部材を取り出すとともに、第１カバー部材をチャンバ１３内に搬送する。第２搬送部は、チャンバ１３内で、第１カバー部材を開いてレチクル３７を取り出し、レチクル３７をレチクルステージ１１に搬送するとともに、レチクル３７が取り出された第１カバー部材を閉じた状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】基板のずれや落下を防止すると共に、露光装置のスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンを基板に転写する露光装置であって、前記基板の下面を吸着して保持しながら前記基板を搬送する搬送部と、前記搬送部によって前記基板を鉛直下方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度が前記搬送部によって前記基板を鉛直上方向の加速をともない搬送する場合の搬送加速度よりも小さくなるように、前記搬送部の搬送条件を制御する制御部と、を有することを特徴とする露光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応炉11と、反応炉11にプロセスガスを供給するためのガス供給機構12と、反応炉11よりガスを排出するためのガス排出機構13と、スリットを有し、ウェーハwを所定の温度に加熱するためのヒータ19aと、上昇させた状態でウェーハwが載置され、下降させた状態でスリット内に収納される突き上げベース22と、突き上げベース22を、上昇、下降させるとともに、上昇させた状態で回転させる上下回転駆動制御機構24と、ウェーハwを所定の位置で回転させるための回転部材17およびこの回転部材と接続される回転駆動制御機構18と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転機構部への反応ガスの侵入を確実に阻止する。また、成膜室内で迅速にウェハを加熱および冷却するとともに、ヒータから発生したガスが速やかに成膜室の外部に排出されるようにする。
【解決手段】回転胴１０４ａは、第１の回転胴１０４ａ_１と、第２の回転胴１０４ａ_２と、第３の回転胴１０４ａ_３とを有する。第２の回転胴１０４ａ_２は、第１の回転胴１０４ａ_１を構成する材料よりも熱膨張率の小さい材料を用いて構成される。第３の回転胴１０４ａ_３は、第２の回転胴１０４ａ_２を構成する材料よりも熱膨張率の大きい材料を用いて構成される。ヒータ１２０の加熱により第３の回転胴１０４ａ_３が伸びた状態で、第３の回転胴１０４ａ_３の高さｈ_３と第２の回転胴１０４ａ_２の高さｈ_２とが同じとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】互いのウェハを位置合わせして重ね合わせるときに、ステージの回転量が所定量を超えてしまうと、ステージの正確な位置を把握することが困難となる。ステージの回転量が所定量を超えないように制御するには、そもそも最初にステージに置かれるウェハの位置を厳密に管理する必要がある。
【解決手段】位置検出装置は、第１基板に設けられた少なくとも２個の第１基板指標を一度の撮像動作により撮像する第１撮像ユニットと、第１撮像ユニットにより撮像された画像に基づいて第１基板指標の位置を計測することにより、第１基板の姿勢を測定する測定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】レチクルを交換する時間を削減しつつ、露光処理を精度良く行うための計測、補正時間をも削減する露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】原版３を載置及び保持する原版ステージ４と、基板６を載置及び保持する少なくとも２つの基板ステージ７、８とを有し、原版３のパターンを基板６に対して多重露光する露光装置１であって、更に、原版ステージ４及び各基板ステージ７、８の動作と、露光処理を制御する制御部９を有し、制御部９は、第１の原版のパターンを、露光処理部に位置する第１の基板ステージ７に載置された第１の基板に対して投影転写させ、次に、各基板ステージ７、８を移動させて基板６を交換し、第１の原版のパターンを、第２の基板ステージ８に載置された第２の基板に対して投影転写させ、更に、投影転写に使用する原版３を、第１の原版から第２の原版へと交換した場合は、原版３の交換前後で同一の基板ステージに載置された同一の基板６に対して投影転写させる。 （もっと読む）

【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、再現可能かつ正確な基板処理を維持しながら、システム処理量を増大させ、システム稼働時間を改善し、かつデバイス歩留り性能を改善した処理システム内で基板を処理する装置および方法を提供する。システムは、システム制御装置によって制御される複数の平面の移動子を介して平面のモータを使用することによって横方向に位置決めできる複数の処理ネストを含むことができる。各処理ネストによって支持される基板は、回転アクチュエータによってその角度を決定できる。システムは、とりわけ、スクリーン印刷、インクジェット印刷、熱処理、デバイス試験、および材料除去プロセスに使用することができる。
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【課題】蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることがない、被成膜物載置台上の塵埃除去を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とから構成されたチャンバー１と、チャンバー１内に配置された基板トレイ載置台９と、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、基板トレイ載置台９を回転させる回転機構１１と、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する掃除手段２とを備えている。掃除手段２は、基板トレイ載置台９へ延びたアーム２２と、アーム２２の一方の端部に設けられた吸引ノズル２１と、中心軸Ｏと平行な第１の方向に延びた第１の回転軸シャフト部２５をチャンバー１外部に有し、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてアーム２２を回転させることにより、吸引ノズル２１を上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ガス流量調節器検定処理に伴う生産性低下の虞のないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室１０３に、処理ガス供給源２０８からガス流量計測器２１０により計測した処理用ガスを供給して試料のプラズマ処理を行ない、処理室１０３に、パージガス供給源２０１からパージ用ガスを供給してガス流量計測器２１０の流量検定を行うようにしたプラズマ処理装置において、ガス流量調節ユニット２００の下流側からバルブ２１３を介して処理室１０３に連通するガス供給ラインに、真空排気ポンプ２１５の吸入側に連通したバルブ２１２を設けて処理室１０３を迂回する分岐ラインとし、ガス流量調節器検定を行うとき、このバルブ２１２を開くことにより、ガス流量計測器２１０を流れたパージ用ガスが、処理室１０３を通らずに排気されるようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】搬送室の剛性を高くすることができる搬送モジュールを提供する。
【解決手段】内部を真空にすることが可能な搬送室１４に開閉可能に蓋２２を設ける。搬送室１４内にロボット１２を搭載する。ロボット１２は、被処理体Ｗを搬送する機構の一部に中空の回転軸３６，３７を有する。ロボット１２の中空の回転軸３６，３７内には、閉じた状態の蓋２２を支える柱２８が配置される。大気圧によって蓋２２に作用する荷重を柱２８が負荷するので、蓋２２の肉厚を薄くすることができ、製造コストの削減を図れる。しかも、ロボットが被処理体Ｗを回転軸３６，３７の回りを旋回させたり、放射方向に移動させたりする際、柱２８が邪魔になることもない。 （もっと読む）

【課題】ベローズの腐食、ベローズからの発塵を抑制すると共に、被駆動部分の体積、重量を小さくした基板支持台の構造及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０において、円筒状の内筒１２、ベローズ１３、外筒１４及び覆設部材１５を、順次、内側から同心円状に配置すると共に、駆動機構２４により駆動される駆動部材２１を、開口部１１ｂ及び内筒１２の内部を通って、載置台１６の裏面に取り付けた基板支持台の構造とした。 （もっと読む）

【課題】高精度なフォーカス制御を実現する。
【解決手段】第１基板が載置されたステージを所定方向に走査し、該所定方向に沿って設けられた第１及び第２投影光学ユニットを介して第１基板のパターンを第２基板に露光する。ステージに第３基板を載置してステージを所定方向に走査する第１ステップと、第３基板上に所定方向に沿って配置された複数のマークを第１投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第１投影光学ユニットの第１フォーカス位置情報を計測する第２ステップと、複数のマークを第２投影光学ユニットを介して検出し、複数のマークに対応する第２投影光学ユニットの第２フォーカス位置情報を計測する第３ステップと、第１及び第２フォーカス位置情報に基づいて、前記パターンに対応する第１及び第２投影光学ユニットの各フォーカス位置と第２基板との相対位置を調整する第４ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
真空処理チャンバ内の寸法を真空処理に必要な寸法まで縮小でき、しかも基板や基板を載せるトレーを操作しやすく、基板又は基板を載せたトレーを制御可能に保持できる真空処理装置用基板クランプ装置を提供する。
【解決手段】
真空処理チャンバ内で処理されることになる基板又は基板を載せたトレーを基板又は基板を載せたトレーの周縁部の少なくとも二つの相対した部位に対して係合する少なくとも二つのクランプ本体を設け、各クランプ本体に接続されて該クランプ本体を昇降させる少なくとも一つの昇降ピンンにより基板又は基板を装着したトレーを基板ホルダー上に独立して調整可能な押圧力で保持する構成される。 （もっと読む）