改良されたウェハー・ツー・ウェハーボンディング方法は、上側ウェハー及び下側ウェハーを位置合わせすること、及び単一の点において終端するポートを通して加圧ガスを流すことにより上側ウェハーの単一の点に圧力を加えることによって、その単一の点において結合を開始することを含む。ガス圧を制御することによって、かつ／又は下側ウェハーが上側ウェハーに向かって上方に動く速度を制御することによって、結合フロントが、位置合わせされた、向かい合って配向されたウェーハウェハー表面にわたって、設定された径方向速度で径方向に伝搬し、２つのウェハー表面を完全に原子接触させる。 （もっと読む）

【課題】液浸流体の損失が許容レベルまで最小化されることを十分に確信できる最高相対速度を割り出すことができ、その速度を超えないように液浸リソグラフィ装置を然るべく構成する。
【解決手段】露光される基板の特性に基づいて、液浸流体を制御する流体閉じ込め構造に対する基板の最高許容速度が割り出され、露光プロセス中に、流体閉じ込め構造に対する基板の速度がこの最高許容速度未満に制限される、液浸リソグラフィ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】同一軸で連続動作を行う際に、速度変更が必要な場合でも上位コントローラから１回のコマンドにより、モーションコントローラ側で途中停止しないで速度変更を実施できる機能を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め上位コントローラ７０１からダウンロードされた速度や位置を設定するためのパラメータを保持しておき、搬送ユニットの動作時に、該搬送ユニットの位置を監視し、所定の位置に達したら速度を変更するモーションコントローラ７０６を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば泡が生成され、及び／又は液浸空間内に侵入する可能性が低減される流体ハンドリングシステムを提供する。
【解決手段】特に流体ハンドリング構造の底面の開口のアレイの寸法と間隔とに関して、液浸液内の泡の形成を処理し、及び／又は防止する手段が講じられた流体ハンドリング構造及びリソグラフィ装置を開示する。 （もっと読む）

【課題】ロータディスクおよびワークピース（例えば半導体ウェハ）の摩耗と損傷の危険性を最小にすることのできる装置を提供することである。
【解決手段】一つの案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つのショルダ（５０）によって形成され、該ショルダの直径はピン構成体の第１の比較的大きな直径と第２の比較的小さな直径との間にあり、
別の案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つの溝（１５）の側面（５６，５８）によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の位置合わせ精度を迅速に評価する。
【解決手段】位置合わせして接合された一対の基板の位置合わせ精度を評価する接合評価ゲージであって、少なくとも一方が検査光に対して透過性を有する一対の基板と、繰り返しパターンの一部をなして、一対の基板の一方に形成された第１部分パターンと、繰り返しパターンから第１部分パターンを除いたパターンを有し、一対の基板の他方に形成された第２部分パターンとを備え、一対の基板が位置合わせされて接合された場合に、第１部分パターンおよび第２部分パターンにより形成された繰り返しパターンに照射した検査光が回折光を生じる。 （もっと読む）

【課題】基板とマスクとを高精度且つ高速に同期移動させること。
【解決手段】プレートステージＰＳＴの位置を制御するフィードフォワード制御部１０２及びフィードバック制御部１０３からなる第１の２自由度制御系１００と、マスクステージＭＳＴの位置を制御するフィードフォワード制御部２０２及びフィードバック制御部２０３からなる第２の２自由度制御系２００と、を備え、第２の２自由度制御系２００は、プレートステージＰＳＴの位置に基づいて制御を行い、フィードフォワード制御部１０２及び２０２は、完全追従制御を行う。 （もっと読む）

コーティングシステム１は、スイングモジュール及びチャンバ配列を含むスイングステーション２を含む。チャンバ配列は、ロックチャンバ３及び第１コーティングチャンバ４を含む。ロックチャンバ３は、結合されたロックイン／ロックアウトチャンバとして構成される。チャンバ配列は、破線で示される第１実質的直線搬送経路Ｔ１及び破線で示される第２実質的直線搬送経路Ｔ２を有する。経路Ｔ１、Ｔ２の配置は、デュアルトラックを確立する。システム１は、矢印で示されるように、チャンバ配列３、４を通って、第１搬送経路Ｔ１に沿って、及び／又は、第２搬送経路Ｔ２に沿って、基板を移動させるための搬送システムを含む。１又は特に両方のチャンバ３、４は、デュアル又はトリプルトラックセクションの横移動によって、第１経路Ｔ１から第２経路Ｔ２へ、及び／又は、第２経路Ｔ２から第１経路Ｔ１へ基板／キャリヤを移動させるための移動手段を含む。
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【課題】ステージと防振台とが相対変位しないようにステージを制御する。
【解決手段】ステージと、前記ステージが取り付けられた基準台に対して該ステージを並進駆動する第１駆動手段と、前記並進駆動の方向とは異なる回転軸の周りに前記ステージを回転駆動する第２駆動手段と、前記ステージの目標位置に基づいて前記第１及び第２駆動手段の駆動力を制御する第１制御手段と、を有するステージ装置において、前記ステージを前記目標位置へ駆動するための目標軌道に基づいて、前記ステージが加速駆動されることで前記基準台がその反作用を受けて変位する際の該ステージの位置における加速度を求め、該求めた加速度が更に前記ステージに加わるように前記第１及び第２駆動手段の駆動力を制御する第２制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】マスクの大型化を抑制できるステージ装置を提供する。
【解決手段】マスクを保持するステージ装置において、マスクＭＡ１を保持して走査方向へ移動する第１マスクステージＭＳＴ１と、マスクＭＡ２を保持し、第１マスクステージＭＳＴ１に移動可能に載置される第２マスクステージＭＳＴ２と、マスクＭＡ１とマスクＭＡ２との相対配置情報を検出するアライメント系３１Ａ，３１Ｂと、アライメント系３１Ａ，３１Ｂの検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴ１，ＭＳＴ２のステージ配置を調整し、マスクＭＡ１，ＭＡ２の相対配置を制御する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】
充填したＡｒガスの漏れ量を精度良くモニターして、基板温度異常を防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明による真空処理装置は、真空チャンバー内に、一対の電極を備え、上面に基板を吸着する静電チャックを配置し、静電チャックの表面にシール部材を設け、少なくとも一つの熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に熱媒体を導入し、基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力を圧力監視手段で監視し、熱媒体導入系を介して基板と静電チャックとの間に導入される熱媒体の圧力が予め設定されている所定圧力になるように圧力監視手段を制御する制御手段を設け、そしてシール部と基板との間から真空チャンバーへの熱媒体の漏洩を検知する検知手段を設けている。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡装置におけるステージの位置決め制御時において、ウェーハを搭載保持しているステージの振動やドリフトを抑えると共に、位置決め時間を短縮する。
【解決手段】
本発明は、電圧を印加することにより変位するアクチェータと、アクチェータの変位を拡大する機構と、変位を拡大する部分に制動部品を一体的に設けて構成された制動機構と、ベースに設けられ、制動機構の制動部品の上面又は側面と対向するように設けられた被制動レールとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を所望の状態で昇降し、特に基板の搬出時に基板の位置ずれを生ぜしめることなく確実な基板搬送に供する。
【解決手段】基板支持装置２２は、サセプタ１１と、複数のリフトピン１２と、リフトピン固定部材１３と、リフトピン支持部材１４と、第１の駆動部１５と、第２の駆動部１６とを備えて構成されており、リフトピン固定部材１３は、サセプタ１１の下方に設けられており、表面に各リフトピン１２の下端部が一体に固定されてリフトピン１２と共に昇降自在とされた環状体である。 （もっと読む）

半導体ダイをソートするためのダイソータが提供される。ダイソータは、ダイをソートするための割出し機構を備えた回転タレットモジュール（１９）を備え、回転タレットモジュール（１９）は回転動作を生成するためにモータにさらに結合される。フリッパーモジュール（２０）のフリップ工程を可能にするために、回転作動手段（７２）を備えた複数のフリッパーモジュール（２０）が回転タレットモジュール（１９）に結合される。一実施形態において、ダイのピックアンドプレース作業のためにキャビティシャトル（９３）を開放位置に移動させるために複数のシャッター開放装置（５５）がフリッパーモジュール（２０）に作動可能に結合される。好ましい一実施形態において、フリップ機構を始動させる前にキャビティホルダ（７４）のロックを解除するために複数のキャビティ解除手段（５７）がフリッパーモジュール（２０）に作動可能に結合され、それ故キャビティ解除手段（５７）は回転タレットモジュール（１９）上に設置されたカム機構である。フリッパーモジュール（２０）はさらに、フリッパーモジュール（２０）を水平位置に固定し、かつそれが横滑りしないようにするためにキャビティロック（７５）を備える。好ましい一実施形態において、シャッター開放装置（５５）はモータに作動可能に結合され、これによりモータの時計回りまたは反時計回りのいずれかの１回の回転動作によってキャビティシャトル（９３）が開放される。 （もっと読む）

物体（２１０）を保持するためにサポート構造（３００）を含むリソグラフィ装置が開示される。物体は露光されるパターニングデバイスまたは基板であってよい。サポート構造は、物体が上で支持されたチャック（３２１）と、チャックおよびステージ（２３０）に対して垂直の剪断コンプライアント細長要素のアレイ（３２５）とを含み、それによって細長要素の第１端はチャックの第２表面に接触し、細長要素の第２端はステージに接触する。細長要素のアレイを用いることによって、ステージとチャックとの間の応力の移動は実質的に均一になり、結果的に応力によるチャックの変形中におけるチャックの第１表面に対する物体のずれの最小化となる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理枚数に左右されることなく、基板吸着力を一定に制御するプラズマ処理装置、プラズマ処理装置における基板吸着力の制御方法を提供する。
【解決手段】予め、所定のプラズマ処理条件下において、一定の積算膜厚間隔で基板電位の変化を計測し（Ｓ１、Ｓ２）、計測した基板電位に所望の静電吸着力に対応する電位を加算して、一定の積算膜厚間隔に対する基準設定電圧を求め、求めた基準設定電圧に基づいて、静電チャックの単電極に印加する設定吸着電圧を処理枚数毎に算出しておき（Ｓ４）、所定のプラズマ処理条件下における基板のプラズマ処理時には、算出した設定吸着電圧を処理枚数毎に単電極に印加して、基板に対する静電吸着力を一定とする（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】大きさを抑えつつ、ステージ及び質量体の自重荷重、並びに、ステージと質量体との駆動時に生じる移動荷重による定盤の変形を抑制した位置決め装置を提供する。
【解決手段】 本発明の位置決め装置は、定盤01と、定盤01の上に支持され移動自在なステージ105と、ステージ105の移動に伴い定盤01に発生する反力を相殺する質量体06,09とを備える。定盤01は、ステージ105を支持する天板と、天板の両端縁から垂下する側板と、天板から鉛直方向下方に延びるリブ116とを有する。質量体06,09は、側板の内面及びリブの側面の少なくとも一方に取り付けられる。定盤01は、側板の底部及びリブの底部を含む少なくとも３点05で支持される。 （もっと読む）

【課題】安定性の低下を抑制し、不測の挙動を抑制できる流体軸受を提供する。
【解決手段】流体軸受は、第１部材の第１面に形成された第１凹部と、第１凹部の内側に形成された第２凹部と、第２凹部の内側に配置された流体吹出口とを備える。 （もっと読む）

【課題】ブラシにより基板を洗浄処理する基板処理装置の高さを低減すること。
【解決手段】シーソー部材９１は、支持部材９０を支点として揺動可能であって、支点９３に対して一方側に力点部９６を有し、支点９３に対して他方側に作用点部９７を有している。押圧用アクチュエータ９２は、力点部９６の下方に配置されており、ブラシ２０を基板に押し付けるための押し付け力を当該力点部９６に与えて、シーソー部材９１を揺動させる。前記押し付け力は、作用点部９７からブラケット８２および回転シャフト４５等を介してブラシ２０に伝達される。
【効果】押圧用アクチュエータ９２をシーソー部材９１の下方に配置することにより、ハウジング３２の高さが低減されており、これによって、基板処理装置の高さが低減されている。 （もっと読む）