【課題】半導体ウェーハの金属汚染を防止し、かつ半導体ウェーハの内外において損傷を防止する。
【解決手段】気相成長装置１００は、加熱した半導体ウェーハ１を金属製の円板状の冷却プレート１１に近接して、半導体ウェーハ１を冷却する冷却チャンバ１０を備える。冷却チャンバ１０は、冷却プレート１１に取り付けて、半導体ウェーハ１の周縁を周方向に間隔をあけて支持する複数の支持部材１３を備える。支持部材１３は、半導体ウェーハ１が載置される円弧状の頂部が冷却プレート１１の中心に向かう支持面１３１と、支持面１３１から突出して半導体ウェーハ１の外周を部分的に囲う段差１３２を有する。円弧状の頂部は、半導体ウェーハ１が冷却プレート１１に接触しない所定の高さを設けると共に、冷却プレート１１の中心に向かって下り傾斜している。 （もっと読む）

【課題】試料を載置するステージを内蔵する描画室と、ステージに載置した試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、描画室に隣接する位置に配置されたロボット室と、ロボット室に収納された搬送ロボットと、ロボット室の温度を所定温度に維持する恒温手段とを備える荷電粒子ビーム照射装置において、搬送ロボットのエンドエフェクタ４４の温度を所定温度に維持し、エンドエフェクタ４４からの伝熱による試料の温度上昇を防止できるようにする。
【解決手段】ロボット室３の室壁３１に、搬送ロボットの駆動源からロボットアームを介してエンドエフェクタ４４に伝わる熱を奪って、エンドエフェクタ４４の温度を所定温度に維持するエンドエフェクタ専用の温度調節手段たる扁平のポケット部３３を設け、このポケット部３３にエンドエフェクタ４４を挿入自在とする。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制でき、真空ポンプを有効に活用することが可能な成膜システムおよび真空ポンプの制御システムを提供する。
【解決手段】一定の時間間隔で連続的に基板Ｗが投入されるローディング室１１と、基板が取り出されるアンローディング室１５と、を備えた成膜装置１０Ａ，１０Ｂが並行して二組配置され、一方の成膜装置１０Ａのローディング室と他方の成膜装置１０Ｂのローディング室とが対向配置されるとともに、一方の成膜装置のアンローディング室と他方の成膜装置のアンローディング室とが対向配置され、一方の成膜装置のローディング室と他方の成膜装置のローディング室との間に、ローディング室内を真空状態にすることができる真空ポンプ３１が設けられ、真空ポンプと一方のローディング室とが接続されるとともに、真空ポンプと他方のローディング室とが接続され、真空ポンプで排気する系統を切替可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数のウエハーを搬送し、真空処理するための手段を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置によれば、複数の指１５６を有するハンド部１５５を搬入用真空槽１１２ａ内に設けておき、大気雰囲気中で各指１５６上に複数の基板３１を両端をはみ出した状態で配置し、搬入用真空槽１１２ａ内を真空排気し、処理用真空槽１１３と接続してハンド部１５５を処理用真空槽内に移動させる。処理用真空槽１１３内には複数の横棒１６２を有する昇降機構１６１を設けておき、横棒１６２を上方に移動させ、一本の指上の基板の両端を二本の横棒に載せて降下させ、載置台１６５に載せて真空処理を行う。ピンやトレイを使用せずに搬出入できる。 （もっと読む）

搬送装置の駆動システムは、搬送装置に接続されている複数の永久マグネット、複数の永久マグネットの少なくとも１つの磁界に曝されている複数の固定巻線、固定巻線に電圧を加えて搬送装置に磁力をもたらす制御システム、及び搬送装置の浮揚、ピッチ及びロールの受動的安定化を提供するための搬送装置の少なくとも一側部に近接している強磁性コンポーネントの配列を含んでいる。
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【課題】 半導体ウエハの熱処理を一枚ずつ順次開始することができる提供する。
【解決手段】 半導体ウエハの熱処理装置は、管状の加熱炉と、その加熱炉内を伸びる複数の搬送シャフトと、複数の搬送シャフトをそれぞれ回転させるアクチュエータを備えている。管状の加熱炉は、半導体ウエハを搬入可能な搬入口から、半導体ウエハを搬出可能な搬出口まで伸びている。複数の搬送シャフトは、搬入口から加熱炉内を通って搬出口まで伸びているとともに、半導体ウエハの外周縁に当接可能な位置関係で配設されている。各々の搬送シャフトには、軸方向に沿って螺旋状に伸びるとともに、半導体ウエハの外周縁を受入可能な螺旋溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送効率を高め、基板処理工程の生産性を向上させる。
【解決手段】 複数枚の基板を保持するロードロック室と、ロードロック室内に連通可能な第１搬送室と、第１搬送室内に連通可能で基板を処理する第１処理室と、第１搬送室内に連通可能な中継室と、中継室内に連通可能な第２搬送室と、第２搬送室内に連通可能で基板を処理する第２処理室と、ロードロック室、第１処理室、中継室間での基板の搬送を行う第１搬送ロボットと、中継室、第２処理室間での基板の搬送を行う第２搬送ロボットと、第１搬送ロボットによる第１処理室内外への基板の搬送時間帯が、第２搬送ロボットによる第２処理室内外への基板の搬送時間帯と少しでも重なり合うように、第１搬送ロボット及び第２搬送ロボットを制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料搬送中に、試料に付着した異物の除去を行う試料搬送機構、及び試料搬送機構を備えた走査電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料を裏面から支持する試料搬送用ハンドを備えた試料搬送機構であって、前記試料を吸着して保持する吸着機構と、当該吸着された試料と、前記試料搬送ハンド間に形成される閉空間内で、試料に気体を吸着する吸着機構と、当該閉空間内の気体を吸引する吸引機構を備えた試料搬送機構を提案する。更に走査電子顕微鏡内で発生した異物を、試料カセット等に持ち込まないように、走査電子顕微鏡鏡体と試料カセットとの間に設けられた試料搬送用ハンドに設けられた異物除去機構によって、異物を回収する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】板状部材を厚み方向に沿った線を中心として回動させる場合にもタクトを短縮できる板状部材の搬送装置および板状部材の搬送方法を提供する。
【解決手段】搬送装置１０は、上方に向かって複数の噴射口から気体を噴射することによりガラス基板１１を浮上させる浮上部材２１を有する浮上手段２０と、浮上手段２０によりガラス基板１１が浮上部材２１から浮上した状態でガラス基板１１を保持するとともに搬送方向に沿って下流側に向かってガラス基板１１を搬送する搬送手段３０とを備える。搬送手段３０は、搬送方向に沿って移動可能であるとともにガラス基板１１の厚み方向に沿った線を中心として軸回転可能な吸着パッド３４を有する。パッド３４は、ガラス基板１１の平面中央部に吸着する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理を効率良く実行可能な真空処理装置の圧力制御方法を提供する。
【解決手段】ロードロック室５０、ＣＯＲ処理室１０、熱処理室３０及び大気搬送モジュール７０を有する真空処理装置１００において、熱処理室３０の真空引き中にロードロック室５０を大気状態にしてＣＯＲ処理前の被処理体を大気搬送モジュール７０からロードロック室５０に搬入し、熱処理室３０の真空引きを終了してロードロック室５０を設定圧力まで真空引きし、ロードロック室５０が設定圧力に到達したら真空引きを終了し、“ロードロック室内圧力＞熱処理室内圧力”となるように熱処理室３０を真空引きし、圧力条件が満たされた後にロードロック室５０と熱処理室３０とを連通させる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内に収納されている基板の一部のみを搬出する場合に残りの基板が処理チャンバの内壁に干渉することを防止し、処理チャンバを十分に小型化できるようにする。
【解決手段】自由端１２２が基軸１６を通過することなく基準線１７に接近するようにアーム機構１０の前段用モータ１２Ａ及び後段用モータ１２Ｂを駆動しつつ、搬出される基板４Ａを保持した保持端２１２Ａが基準線１７上を移動するようにハンド用モータ２２Ａを駆動する。これと同時に、搬出されない基板４Ｂを保持した保持端２１２Ｂが保持端２１２Ａから離間するようにハンド用モータ２２Ｂを駆動する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送装置、基板検査装置及び基板搬送方法において、基板との不要な接触を防ぐ。
【解決手段】ウエハ搬送装置１は、ウエハＷが載置されるウエハ載置面２ａ，３ａを有し互いに平行に設置された２本のアーム部２，３と、ウエハ載置面２ａ，３ａ（アーム部２，３）をアーム部２，３の長手方向を回動軸Ａ２，Ａ３として水平面に対し傾斜させる傾斜手段としてのバランサ（錘）４，５と、アーム支持部６と、吸引用チューブとしてのアーム側吸引用チューブ７，８と、支持部側吸引用チューブ９と、傾き検出手段としての透過型センサ１０，１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】クリーンルームにおいて光起電性モジュールをスパッタシステムへ輸送する際に、該モジュールの容易な回転、先のスパッタプロセスの検査、及び同じスパッタシステム又は生産システムの他の部位への該モジュールの新たな供給を可能にする。
【解決手段】本発明は、特に、クリーンルームにおいて光起電性モジュールをコーティングする際に、スパッタコーティングシステムへの基板ウエハ供給を反転する装置及び方法に関する。本装置及び方法は、ａ）光起電性モジュールの基板ウエハ（１９）を保持する輸送フレーム（１１）と、ｂ）輸送フレーム（１１）をマウントし、回転させ、輸送する手段を有する回転装置と、ｃ）回転装置をスパッタコーティングシステムに対して正確に整列させる手段と、ｄ）スパッタプロセスを検査する検知装置（１８）と、上記ステップを遂行するためのプログラムコードを有するコンピュータプログラムと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
段取り替えに要する時間を短くして生産性を向上させた切断装置を提供する。
【解決手段】
本発明の切断装置は、ワーク１０を切断する切断装置１であって、ワーク１０を供給する供給部１００と、切断刃７１〜７４によりワーク１０を切断して、ワーク１０を複数の個片化ワーク１１に分割する加工部２００と、複数の個片化ワーク１１を収納する収納部３００と、ワーク１０を供給部１００から加工部２００へ搬送するローダ４０と、複数の個片化ワーク１１を加工部２００から収納部３００へ搬送するアンローダ４１とを有し、供給部１００、加工部２００及び収納部３００は着脱可能に直列に配置されており、ローダ４０は第１接続部材によりワーク保持動作用の駆動源に接続されており、第１接続部材の長さを変えることによりローダ４０の搬送範囲Ｒ１は可変である。 （もっと読む）

【課題】清浄な表面処理を実行可能な基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボット室１１、第１ロードロック室２１、予熱チャンバ３１、処理チャンバ４１、冷却チャンバ５１および第２ロードロック室６１のいずれにおいても、その内部圧力が大気圧以上に調整される。また、予熱チャンバ３１内の圧力が搬送ロボット室１１内の圧力よりも低くなるように圧力調整が実行される。したがって、プリベーク処理時に発生した酸素や水分などが予熱チャンバ３１から搬送ロボット室１１に流入するのを効果的に防止することができ、プリベーク処理後の基板Ｗに対する酸素や水分の再付着が抑制される。その結果、酸素や水分が処理チャンバ４１に入り込むのを抑制することができ、各電子ビームキュアユニット４Ａ、４Ｂにおいて清浄なキュア処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】載置ずれや変形を生じさせることなく、基板保持部に基板を受け渡すこと。
【解決手段】基板Ｐを保持する基板保持部としてのプレートホルダ９に基板Ｐを搬送する搬送装置は、基板Ｐを支持する支持装置としての搬送ハンド１２と、搬送ハンド１２を駆動し、プレートホルダ９からの搬送ハンド１２の一部の高さと他部の高さとを相対的に変化させ、かつその一部の高さ及び他部の高さを減少させて、搬送ハンド１２が支持する基板Ｐをプレートホルダ９に受け渡す駆動装置１３，１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】今日使用されているシステムと比較して改善されたスループットを妥当なコストで効率的に実現する、ウェーハを含む基板搬送処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】重要となる要素は、処理チャンバの各側に沿って配置された搬送チャンバの使用である。この搬送チャンバを使用することにより、基板がロードロックを介して制御された雰囲気中にフィードされ、次いで処理チャンバに到達する手段として、基板が搬送チャンバに沿ってフィードされ、次いで制御された雰囲気外にフィードされた後、処理チャンバ内での基板処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置により薄膜を成膜する基板を、昇温してある成膜プレート上に載置した時の基板の反りを防止することにより、膜質や歩留りの低下を防ぐ。
【解決手段】連続式平行平板型ＣＶＤ装置に用いる成膜プレートへの基板載置方法において、基板を前記成膜プレート上に載置する前および／または載置した後に、基板の略中央部に対し加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた真空処理装置を提供する。
【解決手段】減圧された内部のプラズマを用いて試料が処理される複数の真空処理容器と、真空処理容器がその周囲に連結されその内部が減圧されて前記試料が搬送される搬送室と、該搬送室と連通され真空側と大気側とで前記試料がやりとりされる複数のロック室と、前記搬送室内に配置され前記ロック室と前記複数の真空処理容器内の処理室との間で前記試料を搬送する真空搬送手段と、前記ロック室の大気側で内部に大気圧下で前記試料を搬送する空間を有した大気搬送容器と、該大気搬送容器内の空間に配置されカセットから前記試料を搬送する大気搬送手段と、複数の前記試料を定められた滞留時間を含み前記カセットから搬出し前記処理室で処理された後該カセットに戻すまでの複数の動作の予定情報に基づいて前記動作を調節する制御装置とを備えた真空処理装置。 （もっと読む）