【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１（基板）の一方の面１１ａに配された電極層１２と、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように半導体基板１１内に開けられた貫通孔２０と、貫通孔２０の内側面２０ａを覆い、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層１５と、第一絶縁層１５を介して、貫通孔２０の内側面２０ａ及び電極層１２の露呈部を覆うように配され、電極層１２と電気的に接続された導電層５と、導電層５を覆うように配された第二絶縁層１６と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板１０であって、第二絶縁層１６は、導電層５の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層７ａ、ソース配線１３ａｓ、ドレイン電極１３ａｄを備えた薄膜トランジスタと、第１接続部３ｃ、第２接続部１３ｃおよび第２接続部上に形成された第３接続部１９ｃを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第２接続部は、第１および第２絶縁膜５，９に設けられた第１開口部内で第１接続部と接し、第３接続部１９ｃは、保護膜に設けられた第２開口部内で第２接続部と接する。第１開口部は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜９を同時にエッチングすることによって形成、第２開口部は、保護膜１５を前記第１および第２絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第２接続部１３ｃは、第１開口部における第１および第２絶縁膜の端面を覆い、かつ、第２開口部における保護膜１５の端面を覆っていない。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を製造することはできないから、高抵抗の拡散抵抗は実現できなかった。
【解決手段】一組の薄膜構造体の対向する間隔に、サイドウォール形成用の絶縁膜を形成する際に生じる空隙を利用して露光光源として真空紫外光を用いるホトリソ技術のパターン解像限界より微細な拡散抵抗を形成する。薄膜構造体を配線抵抗として利用すれば、これらを接続して設けることにより温度特性に優れる抵抗素子を構成することもできる。 （もっと読む）

【課題】高品質な配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域１００及び第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層１０と、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層１１ａと、第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層上に形成され、第２の絶縁層と略同一の高さを有する第３の絶縁層１１ｃと、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上及び第２の絶縁層の両方の側壁に形成された第１の配線層１３ａと、第２の領域に設けられた第１の絶縁層上、及び第３の絶縁層の上面及び側壁上に形成された第２の配線層１３ｂと、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の配線層、及び第２の配線層を覆う第４の絶縁層１５と、第１の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第１の配線層に接続された第１のコンタクトプラグ１７ａと、第２の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第２の配線層に接続された第２のコンタクトプラグ１７ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子において、周辺の電界強度を緩和する構造を小さな面積で実現する。
【解決手段】周辺領域Ｑにおいては、半導体層との間に周辺層間絶縁層（絶縁層）を介して複数の多結晶シリコン層７０が、ソース電極３０から端部ドレイン電極４１の間にかけて設けられる。多結晶シリコン層７０には、その長手方向が水平方向から傾斜した（傾斜角θ、０＜θ＜９０°）傾斜部が設けられている。多結晶シリコン層７０の傾斜部においては、ｐ型領域７１と、ｎ型領域７２とが長手方向に交互に多数形成されている。 （もっと読む）

【課題】超音波振動を利用したワイヤーボンディングの際に、ｐ型オーミック電極がｐ型不純物拡散領域の面上から剥離することを防止する。
【解決手段】パッド電極７にボンディングワイヤー８を接合する際に、ボンディングツール１００を用いて、ボンディングワイヤー８をパッド電極７に接触させた状態で、ボンディングワイヤー８に荷重を加えながら、ｐ型オーミック電極５の長手方向に沿って超音波振動を印加する。 （もっと読む）

【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合部４０と第２接合部６０とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第１接合部４０の絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接合電極４１と、絶縁層５１表面に形成され、絶縁層５１を介して接合電極４１の周囲を囲む保護層４４とを備える。さらに第２接合部６０の絶縁層７１と、絶縁層７１の表面に形成された接合電極６１と、絶縁層７１表面に形成され、絶縁層７１を介して接合電極６１の周囲を囲む保護層６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の溝内にカバレッジ性良く絶縁膜を埋め込むと表面にスリット状の空孔が形成され、ＣＭＰで平坦化すると、ＣＭＰで用いた組成物や、研磨された除去物、その他の残渣が空孔内に残り易く、この残渣は後の工程での発塵の一原因となり得る。
【解決手段】基板１の第１の主面に、俯瞰形状が環状となる第１の溝部２Ｔを形成し、第１の主面全面に第１の絶縁膜２ａを形成し、第１の絶縁膜２ａの表面から前記第１の溝部の内部まで達する深さの空孔を残しつつ、前記第１の絶縁膜を第１の溝部に埋め込み、空孔内を埋め込むように第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、第１の溝部内に第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を残しつつ、基板表面高さまで化学機械研磨法により平坦化する。 （もっと読む）

【課題】トリミングヒューズの上の絶縁膜が、トリミングヒューズの機能を高めるために適正な状態を維持することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】表面を有する絶縁膜ＩＩＩ上のヒューズ配線Ｆ１と、ヒューズ配線Ｆ１上の層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩと、層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの内部に位置する、ヒューズ配線Ｆ１と平面視において重ならない領域に形成された電極部ＰＤとを備える。上記ヒューズ配線Ｆ１の真上のうち少なくとも一部の第１の領域において、層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの厚みが、第１の領域以外の第２の領域における層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの厚みより薄くなるようにトリミング開口部ＬＴＣが形成される。トリミング開口部ＬＴＣの内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部ＳＡＬを備える。アルミニウム薄膜部ＳＡＬは、側壁の少なくとも一部から、底面より上側において上記表面に沿う方向に連なる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイ上に相互接続部又はボンドパッドなどのフィーチャ構造を電気めっきする方法を提供する。
【解決手段】方法は半導体基板の上方に複数のヒューズ（２０８）を形成する工程と、半導体基板の上方の複数の相互接続層（４００〜４０８）と、該複数の相互接続層の上面の複数の相互接続パッド（５０２）とを形成する工程と、を含む。シールリング（２０２）が、半導体基板（３０２）と、前記複数の相互接続パッド（５０２）と、前記複数のヒューズ（２０８，３２０）とに形成された能動回路を包囲する。各ヒューズ（２０８，３２０）は、対応する相互接続パッド（５０２）とシールリング（２０２）とに電気的に接続される。各ヒューズ（２０８）が導通状態にあるとき、該ヒューズは対応する相互接続パッド（５０２）をシールリング（２０２）に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の基板等との熱膨張率差に起因する変形を抑えるにあたり、製造プロセスの工程数を増加させることなく貫通電極の側面形状に起因するデバイス特性の劣化を抑止する、信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の表面上方に形成された配線１８と、基板１の裏面から基板１を貫通しており、基板１の深さ方向において、第１の開孔１Ａａと、第１の開孔１Ａａよりも開口総面積が小さい第２の開孔１Ａｂとが接続された貫通孔１Ａに形成されてなる貫通ビア３０とを含み、貫通ビア３０は、第１の開孔１Ａａに形成された第１の電極部３０ａと、第２の開孔１Ａｂに形成された第２の電極部３０ｂとが、最外側面が一体形成される。 （もっと読む）

【課題】大電流を流す第１ビアおよび第１配線を有し、且つ、当該第１ビアおよび第１配線が形成された第１面が平坦な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１基板１００と、第１基板１００の第１面側から、当該第１基板１００を貫通する第１ビア４２０と、第１基板１００の第１面に埋設され、少なくとも一つ以上の第１ビア４２０の一端と接続する第１配線４４０と、を備えている。また、第１ビア４２０は、当該第１ビア４２０の側面と当該第１ビア４２０の底面とのなす角θ_１が、第１配線４４０の側面と第１配線４４０の底面とのなす角θ_２より大きい傾斜部を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】より小さな単位に切り離しも可能なマルチコア半導装置において、前記より小さな単位に切り離した場合に相互接続配線を伝って生じる可能性のある水の侵入を阻止する。
【解決手段】半導体装置は、素子領域を有する半導体基板と、前記素子領域に形成され、第１の開口部を有する内側シールリングと、前記素子領域に形成され、第２の開口部を有する外側シールリングと、前記半導体基板上に形成された、各々配線層を含む複数の層間絶縁膜を積層した積層体よりなる多層配線構造と、前記多層配線構造に含まれる第１の層間絶縁膜とその上の第２の層間絶縁膜の間に形成された耐湿膜と、前記耐湿膜の下側および上側のいずれか一方である第１の側を延在し、前記第１の開口部を通過する第１の部分と、前記耐湿膜の下側および上側の他方である第２の側を延在し、前記第２の開口部を通過する第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分とを、前記耐湿膜を貫通して接続するビアプラグとを含む配線パターンと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基体上に成膜特性（反射率、及び密着性）に優れた膜状のアルミニウム体を形成することができるアルミニウム体を備えた基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物を塗布して、上記基体上に上記組成物からなる塗布層を形成させる塗布工程と、上記塗布層に加熱および光照射の少なくともいずれか一方を行うことにより、膜状のアルミニウム体を形成させるアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム体を備えた基体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）