【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第１の表面２１４及び対向する第２の表面２１６を有する基板２１２を設け、基板の第１の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも１つのブラインドビア２１８を形成する。酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 （もっと読む）

【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、コンタクトプラグの抵抗の低減を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板にコンタクトホール又はコンタクトトレンチを形成し、コンタクトホール又はコンタクトトレンチの底に、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を形成し、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を覆うように不純物を含むニッケル膜を形成し、加熱することによりニッケル膜とアモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層とを反応させて、ニッケルシリサイド膜を形成し、コンタクトホール又はコンタクトトレンチを埋め込むようにコンタクト金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】製造時間とコストの大幅な削減が可能な下地導電層付き基板および貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に複数の貫通孔２を有するガラス基板３の貫通孔２内に下地導電層４を有する基板の製造方法であって、前記ガラス基板３の貫通孔２内に、金属粒子と分散媒とを含有する流動性の導電性組成物（金属インク）の層を形成する工程と、この導電性組成物の層を加熱して、貫通孔２の内壁面に金属粒子の金属を主体とする下地導電層４を形成する工程とを備える方法である。貫通電極基板５の製造方法は、こうして形成された下地導電層４上に電解めっき等により導電性金属の層を形成して、貫通孔２内に充填された貫通電極６を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低減することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上にそれぞれ設けられた第１の領域及び第２の領域とを備える。第１の領域は、半導体基板上の第１配線層に形成され、所定の第１の幅を有する第１の金属配線と、第１配線層の上層の第２配線層に形成され第１の幅を有する第２の金属配線と、第１の金属配線と第２の金属配線とを接続し、第１の幅以下の第２の幅を有する第１のコンタクトとを有する。第２の領域は、第１配線層から第２配線層へと亘る膜厚を有し、所定の第３の幅を有する第３の金属配線を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２の全面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上にＰＶＤによりＣｕがマイグレーションする条件でトレンチ２０３内に第１のＣｕ膜２０６を形成する工程と、第１のＣｕ膜２０６の上に、第１のＣｕ膜２０６よりも大きな成膜速度でＰＶＤにより第２のＣｕ膜２０７を形成する工程と、ＣＭＰにより全面を研磨する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてＴｉ膜又はＴａ膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成した後、１００〜４００℃でアニール処理を行う。このようにＣｕ膜を形成することにより、バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン法を用いて層間絶縁膜内にＣｕ配線を形成する際、硬度が低い層間絶縁膜および硬度が高い層間絶縁膜のそれぞれに形成されたビアホール内に配線材料を良好に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】第２層間絶縁膜１７には、配線溝３０ａとビアホール２８ａとが形成されている。また、ビアホール２８ａの開口部には、第２層間絶縁膜１７を斜め下方に後退（リセス）させることによって、テーパ状の断面形状を有するリセス部３１が形成されている。これにより、ビアホール２８ａの開口部の直径は、開口部よりも下方の領域の直径に比べて大きくなり、ビアホール２８ａの直径が微細な場合であっても、ビアホール２８ａの内部に配線材料を良好に埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】デバイスの損傷を防ぎ、保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に配線層３が形成された第１の積層体１０と、第１の積層体１０の主面上にその主面を重ねて配設され、基板上１１に配線層１３が形成された第２の積層体２０と、第１の積層体１０または第２の積層体２０の少なくとも一方の基板上に形成された機能素子とによって構成された半導体装置１００に対して、第１の積層体１０及び第２の積層体２０の主面に垂直な方向から見て、機能素子２，１２の周囲に配設され、第１の積層体１０と第２の積層体２０の界面を貫通する貫通金属部材２９を設ける。また、この貫通金属部材２９は、第１の積層体１０と第２の積層体２０を接合した後に、第１の積層体１０と第２の積層体２０を貫通する貫通孔を設け、貫通孔内に金属を埋め込むことで形成できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、下部バリア膜を形成する。下部バリア膜の上にシード膜を形成する。シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する。導電部材をエッチングマスクとして、シード膜をエッチングし、導電部材の形成されていない領域において、下部バリア膜を露出させる。下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる。上部バリア膜をエッチングマスクとして、下部バリア膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第１の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第１の埋め込み膜よりも高密度のである第２の埋め込み膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が可及的に少なく、従来よりも抵抗率の低い高質のグラフェンを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられた配線とを具備する。前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の（１１１）面もしくは前記六方最密構造の（００２）面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向しているか、または、前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、アモルファス構造もしくは微結晶構造を有する。前記触媒層は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の（１１１）面もしくは前記六方最密構造の（００２）面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向する。 （もっと読む）

【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が３μｍ以下で、かつ、アスペクト比が１以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第１の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第２の電極と、前記第２の電極の外側に配置されて当該第２の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にＮｅを含む処理ガスを導入し、前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第２の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】微細配線においてボイドの発生を確実に防ぐ。
【解決手段】層間絶縁膜１０２、１０３に形成された開口部１２の底面及び側壁、並びに、開口部１２以外の層間絶縁膜１０３上にあるフィールド部に、第一の金属を含むシード膜を形成し、シード膜上にレジストを形成して、開口部１２をレジストで埋め込んだ後、開口部１２の底面上に形成されたシード膜にレジストを残しつつレジストの一部を除去して、開口部１２の側壁２０２Ａ、Ｂの上部からフィールド部２０３にわたって形成されたシード膜を露出させ、開口部１２の側壁の上部、及び、フィールド部２０３に位置するシード膜上に、第一の金属よりも抵抗率が高い第二の金属を含むカバー膜を形成した後、レジストを除去してシード膜を露出させ、露出させたシード膜に、第一の金属を含むめっき膜を形成するものである。 （もっと読む）