【課題】銅埋め込み配線を主要な配線層とする半導体集積回路装置に於いても、通常、ワイヤボンディング特性を確保するために、最上層配線層をアルミニウム系パッド層とすることが多い。このアルミニウム系パッド層は、一般に、配線層（電源配線、信号配線等の一般相互接続配線）としても使用されている。しかし、このような一般相互接続配線は、配線長が比較的長いためアンテナ効果により、プラズマ処理時にデバイスにダメージが入り易い等のデメリットがある。
【解決手段】本願発明は、メタル多層配線系が、下層の埋め込み型多層配線層と上層の非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層を有する半導体集積回路装置に於いて、前記非埋め込み型アルミニウム系パッドメタル層は、実質的に電源リング配線を有しないものである。 （もっと読む）

【課題】容量素子埋設用凹部上端部の肩落ちによるキャパシタ特性のバラツキが低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、保護層８０は、凹部（孔２３）の上端部の周囲に設けられている。この保護層８０は、保護層８０と同一層に位置しており、論理回路領域に位置している多層配線層を構成する絶縁層よりも誘電率が高い材料で構成されており、機械強度に優れた部材となる。これにより、凹部（孔２３）上端部の肩落ちを抑制し、キャパシタ高さのバラツキを抑制する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１（基板）の一方の面１１ａに配された電極層１２と、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように半導体基板１１内に開けられた貫通孔２０と、貫通孔２０の内側面２０ａを覆い、電極層１２の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層１５と、第一絶縁層１５を介して、貫通孔２０の内側面２０ａ及び電極層１２の露呈部を覆うように配され、電極層１２と電気的に接続された導電層５と、導電層５を覆うように配された第二絶縁層１６と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板１０であって、第二絶縁層１６は、導電層５の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面コンタクト構造体及びその構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】表面及び対向する裏面を有する基板１００の表面上に第１誘電体層１０５を形成することと、第１誘電体層を貫通して前記基板の表面にまで延びる導電性の第１スタッド・コンタクト１４０Ｂを第１誘電体層内に形成することと、基板の裏面から基板を薄くして基板の新しい裏面を形成することと、基板の新しい裏面から前記第１誘電体層まで延びるトレンチ１６５を基板内に形成して第１スタッド・コンタクトの底面をトレンチ内に露出させることと、基板の新しい裏面、トレンチの側壁、第１誘電体層の露出面、及び第１スタッド・コンタクトの露出面の上に、トレンチを完全に充填するのに十分には厚くない共形導電層１７０、１７５を形成することと、を含む前記方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域１００及び第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層１０と、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層１１ａと、第２の領域２００に設けられた第１の絶縁層上に形成され、第２の絶縁層と略同一の高さを有する第３の絶縁層１１ｃと、第１の領域に設けられた第１の絶縁層上及び第２の絶縁層の両方の側壁に形成された第１の配線層１３ａと、第２の領域に設けられた第１の絶縁層上、及び第３の絶縁層の上面及び側壁上に形成された第２の配線層１３ｂと、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の配線層、及び第２の配線層を覆う第４の絶縁層１５と、第１の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第１の配線層に接続された第１のコンタクトプラグ１７ａと、第２の領域に設けられた第４の絶縁層内に形成され、第２の配線層に接続された第２のコンタクトプラグ１７ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合部４０と第２接合部６０とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第１接合部４０の絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接合電極４１と、絶縁層５１表面に形成され、絶縁層５１を介して接合電極４１の周囲を囲む保護層４４とを備える。さらに第２接合部６０の絶縁層７１と、絶縁層７１の表面に形成された接合電極６１と、絶縁層７１表面に形成され、絶縁層７１を介して接合電極６１の周囲を囲む保護層６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】インダクタの下方の層間絶縁膜への水の浸入を抑制し、かつ、インダクタ性能の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上部に設けられたインダクタと、前記半導体基板上に設けられ、前記インダクタの下方の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で囲む第一の金属壁と、前記半導体基板上に設けられ、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の前記層間絶縁膜を前記半導体基板の平面方向で挟む一対の第二の金属壁と、を備え、前記第一の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部を非接触の状態とする開口を有し、前記第二の金属壁は、前記第一の金属壁の両端部にそれぞれの一端を連結するとともに、前記第一の金属壁で囲まれた領域の外側の位置に開口を有する。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板の貼り合わせによって電極間接合がなされた構成において、電極材料の拡散を防止しつつも貼り合わせ強度が確保され、これによって信頼性の向上が図られた三次元構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極３３、および第１電極３３の拡散防止材料で構成され第１電極３３の周囲を覆う第１絶縁膜３５を含むと共に、第１電極３３と第１絶縁膜３５とで貼合せ面４１が構成された第１基板２と、第１基板２に貼り合わせて設けられ、第１電極３３に接合された第２電極６７、および第２電極６７の拡散防止材料で構成され第２電極６７の周囲を覆う第２絶縁膜６９を含むと共に、第２電極６７と第２絶縁膜６９とで第１基板２に対する貼合せ面７１が構成された第２基板７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】前記半導体装置をスクライブ工程により切り離す際に、クラックが歪みを蓄積した保護膜を伝播して半導体装置内部に侵入するのを抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体装置は、活性素子が形成された素子領域を有する基板と、前記基板上に形成され、多層配線構造を含む積層体と、前記積層体中に、前記素子領域を囲んで連続的に延在する耐湿リングと、前記積層体中、前記耐湿リングの外側に、前記耐湿リングに沿って連続的に、前記基板の表面に達して形成された保護溝部と、前記保護溝部の底面の一部及び前記保護溝部の内側の側壁面に連続して形成された保護膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜を積層して形成し、第２の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第１の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第２の絶縁膜は第１の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第１の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供と、さらに、これらの微細化を達成した半導体装置の良好な特性を維持しつつ、３次元高集積化を図る。
【解決手段】絶縁層中に埋め込まれた配線と、絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体層と、ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、絶縁層は、配線の上面の一部を露出するように形成され、配線は、その上面の一部が絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、絶縁層から露出した領域において、ソース電極またはドレイン電極と電気的に接続し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】多層配線内の信号線とそれに接続されるビアとを共に同軸構造にする。
【解決手段】多層配線には、例えば、異なる層に設けられる信号線１０，２０と、これらの信号線１０，２０間を接続する接続部３０（ビア）が設けられる。信号線１０，２０は、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。更に、信号線１０，２０間を接続する接続部３０も、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。信号線１０，２０のほか接続部３０も同軸構造とすることで、信号線１０，２０及び接続部３０を伝送される信号の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的な影響が効果的に抑制されるようになる。 （もっと読む）

【課題】クラック伝播を抑制できる新規な構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成された半導体素子と、半導体素子を囲む第１金属リングと、半導体素子を覆って形成され、内部に前記第１金属リングが配置された絶縁膜と、絶縁膜に形成された溝とを有し、第１金属リングは、複数の金属層が積層されて形成され、各々の金属層の外側の側面が一致しているか、または、下側に位置する金属層の外側の側面よりも上側に位置する金属層の外側の側面が内側に位置しており、溝の底面は、第１金属リングより内側に配置された第１部分で、第１金属リングの最上層に位置する金属層の上面以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の
影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置
を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電
極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トラン
ジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を
用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層（絶縁層１０６）を形成する工程。絶縁層１０６の一部を選択的に除去して凹部（配線溝１０７及び配線溝１１０）を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜１１２と金属膜１１４とをこの順で埋め込むことにより配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を形成する工程。配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）を残しつつ、絶縁層１０６を除去する工程。絶縁層１０６を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線（配線１１５ａ、１１５ｂ）の周囲を埋設する層間絶縁層１１８を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒（アルコール及び水を除く）と、を含むことにより特定される。 （もっと読む）

【課題】配線レイアウトや配線構造の複雑化や大幅な変更を伴うことなく、積層配線間に生じるクロストークノイズを低減する。
【解決手段】配線１０３上に絶縁膜１０４及び１０６を挟んで配線１０８が形成されている。配線１０３と配線１０８とは平面視において少なくとも部分的にオーバーラップしている。少なくとも配線１０３と配線１０８とのオーバーラップ部分の前記絶縁膜中に導電性シールド層１０５が形成されている。 （もっと読む）