【課題】本発明は、製造コストの増加を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板部１０、誘電体膜２２、再配線２４、上部電極２５、絶縁膜２６、及び外部接続端子２８を有する。半導体基板部１０は、回路が形成され、回路にそれぞれ接続される下部電極１５、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８を上面に有する。誘電体膜２２は、下部電極１５を被い、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８の上面に達する開口部を有する。再配線２４は、一部の接続パッド１７、１８に電気的に接続される。上部電極２５は、誘電体膜２２を介して下部電極１５の上面に対向して配置され、上部電極パッド１６に接続され、再配線２４を含む。絶縁膜２６は、誘電体膜２２、再配線２４、及び上部電極２５を被う。外部接続端子２８は、絶縁膜２６を貫通し再配線２４に接続され、絶縁膜２６の上面から露出する。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下層配線の上にこの順で形成された第１〜第３の絶縁膜をドライエッチングして該下層配線に至る開口部を形成し、該開口部の内面と該第３の絶縁膜の上にバリアメタル膜を形成し、該バリアメタル膜の上に該開口部を埋める導電層を形成し、該第３の絶縁膜上の該導電層と該バリアメタル膜、及び該第２、第３の絶縁膜の一部を除去し該下層配線に電気的に接続する上層配線を形成し、露出した該第２の絶縁膜と該導電層の表面を還元性プラズマ処理し、
該第２の絶縁膜は下記式で表されるアルキルアルコキシシランと非酸化性ガスとを用い、５００Ｐａ以下でプラズマＣＶＤ法により形成する
ＲｗＳｉｘＯｙ（ＯＲ´）ｚ
Ｒ及びＲ´はＣＨ_３、ｗｘｚは正の整数、ｙは０または正の整数、（ｗ／ｘ）＝２である。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の主面上に素子形成領域を取り囲むように形成されたスリットを有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰに用いる第６層目の配線Ｍ６の上面を露出するように形成された開口部３１の側面と、ガードリングＧＲの周りを囲み、その底部がバリア絶縁膜２２を突き抜けないように第１パッシベーション膜３０、接着用絶縁膜２９、および層間絶縁膜２３に形成されたスリットＳＬの内壁（側面と底面）とを第２パッシベーション膜３２により覆う。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造を使って、キャパシタンスが大きく、かつキャパシタンス値が安定なキャパシタ素子を半導体基板上に集積化する。
【解決手段】多層配線構造１８は、少なくとも第１層目の層間絶縁膜１６と、第１層目の層間絶縁膜中に埋設された第１配線層と、を含み、第１配線層は、第１の電源に接続され前記第１の層間絶縁膜中に埋設された第１の配線パタ―ン１５Ｃ１と、第２の電源に接続され前記第１の層間絶縁膜中に埋設された第２の配線パタ―ン１５Ｃ２と、を含み、第１の配線パタ―ンと前記第２の配線パタ―ンとは容量結合して第１のキャパシタを形成し、第１の配線パタ―ンは積層配線パタ―ン１３Ｃ上に形成されて、前記第４の電極パターン１３Ｇと容量結合して第２のキャパシタを形成し、第４の電極パターンは第２の配線パタ―ンに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ領域内へのクラック伝播を抑制でき新規な構造を持つ金属リングを有する半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハは、半導体素子が形成された第１半導体チップ領域と、半導体素子が形成された第２半導体チップ領域と、第１半導体チップ領域と第２半導体チップ領域との間に挟まれたスクライブ領域とを有し、第１半導体チップ領域は、第１半導体チップ領域に形成された半導体素子を囲む金属リングを含み、金属リングは、下側金属層と下側金属層上に重なる上側金属層とを含む複数の金属層で形成され、上側金属層の第１半導体チップ領域外側の側面が、下側金属層の外側の側面と揃っているか、または、下側金属層の外側の側面に対して第１半導体チップ領域内側に位置しているように、下側金属層上に上側金属層が重なっている。 （もっと読む）

【課題】基板切断などの切出し加工の際に生じるクラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート配線、ソース配線や配線端子部に金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線と、第２の金属配線と、絶縁膜と、を有する表示装置用配線構造であって、前記第１の金属配線は１００μｍ以上の不連続部を有し、前記不連続部によって分断された各第１の金属配線は、第２の金属配線によって連結されており、前記分断された第１の金属配線と、前記第２の金属配線との接触界面の少なくとも一方は、前記第１の金属配線または前記第２の金属配線を構成する金属よりも貴な金属を含むもので構成される腐食防止層を有する配線構造。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜の酸化を十分に抑制することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１の上方に導電膜５を形成し、導電膜５を覆う絶縁膜７を形成し、絶縁膜７のエッチングを行って、絶縁膜７に導電膜５の少なくとも一部を露出する開口部５１を形成する。また、還元ガス雰囲気中で開口部５１に紫外線を照射し、開口部５１内に絶縁膜７及び導電膜５に接するバリアメタル膜９を形成し、バリアメタル膜９上に導電膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い回路基板を低コストで供給する。
【解決手段】例えば、開口部１０１を介してチップ取り出し電極２を含む基板１の一部表面が露出するようメタルマスク１００を基板１に被せ、イオン化された被着金属に、０．０１ｅＶから２５０ｅＶの被着エネルギを与えるイオンプレーティング法により金属導体を形成した後、メタルマスク１００を剥離することによって、基板１の一部表面に形成された金属導体からなる配線層２１を形成する。これにより、フォトリソグラフィー法を用いることなく、基板上に配線層２１を直接形成することができるため、生産性が高く低コストな回路基板を提供することが可能となる。更に、その回路基板とその他のチップとを積層して、それらをボンディングワイヤで絶縁基板に支持されないリードへ接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。
【解決手段】半導体デバイスメタライゼーション要素用の障壁層は、要素くぼみ中に形成されたシリコン窒化物薄膜とシリコン窒化物薄膜上に形成された耐熱性金属薄膜を供する。デバイス要素は誘電体材料及び誘電体中に形成されたくぼみを含む。くぼみ内の誘電体材料の表面は、制御されたパラメータ下で窒素に露出される。くぼみの内部に隣接した誘電体材料の部分は、シリコン窒化物に変換される。
耐熱性金属は次に、くぼみの側壁に沿って、適合して堆積される。次に、耐熱性金属薄膜上にシード層が堆積され、次にくぼみ内に導電性金属が堆積される。次に、くぼみの外の過剰の金属を除去し、デバイスを平坦化するため、デバイスを研磨する。 （もっと読む）

【課題】ボイド、ディッシング、及びエロージョンの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に幅の異なる複数の開口部３６，３７を形成し、次いで、絶縁膜の上面、及び幅の異なる複数の開口部内にシード層３８を形成し、次いで、第１の成長速度により、シード層の表面を覆う第１のめっき膜７１を形成し、次いで、第１の成長速度よりも速く、かつボイドを生じさせない第２の成長速度により、第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜７２を形成し、次いで、第２の成長速度よりも速い第３の成長速度により、第２のめっき膜上に第３のめっき膜７３を形成し、その後、シード層及び第１乃至第３のめっき膜のうち、絶縁膜の上面よりも上方に形成された部分を研磨により除去することで、開口部内に少なくとも第１及び第２のめっき膜よりなる導電部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアホール内のコンタクト材料としてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いつつ、ビア抵抗の低減及びプロセスの容易化をはかる。
【解決手段】配線層間のビアにＣＮＴを用いた半導体装置であって、表面にＣｕ配線１７を有する基板上に設けられた層間絶縁膜１９と、層間絶縁膜１９に形成されＣｕ配線１７に接続されるビアホールと、ビアホール内に露出するＣｕ配線１７上に選択的に形成され、Ｃｕ配線１７に対するバリアとなり、且つＣＮＴの成長の助触媒となる第１の金属膜２１と、ビアホール内の少なくとも第１の金属膜２１上に形成された、ＣＮＴの成長の触媒となる第２の金属膜２２と、第１及び第２の金属膜２１，２２が形成されたビアホール内に形成されたＣＮＴ２３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルのステップカバレッジを向上させるボーダレスコンタクト構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】低抵抗金属層と高融点金属元素を含む第１のバリアメタル膜を順次積層した構造の配線パタ―ン４２Ａと、配線パタ―ンを覆う層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜中に形成され、配線パタ―ンの上面の一部と側壁面の一部を露出し、さらに配線パタ―ンに、露出上面および露出側壁面を連結して形成された斜面をも露出斜面４２ｄとして露出するビアホール４３Ａと、ビアホールの側壁面、露出上面および露出側壁面、さらに前記露出斜面に形成された、少なくとも低抵抗金属層の構成元素および高融点金属元素を含む導電性側壁膜４３ｂと、導電性側壁膜を覆い、高融点金属元素を含む第２のバリアメタル膜と、前記第２のバリアメタル膜を介して充填し、前記第２のバリアメタル膜に接する導電性プラグと、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１の導電性材料からなる第１のコンタクトと、第２の導電性材料からなり、下端部が第１のコンタクトの上端部に接続された第２のコンタクトと、第３の導電性材料からなり、下面が第１のコンタクトの下面よりも上方に位置し、上面が第２のコンタクトの上面よりも下方に位置し、第１及び第２のコンタクトから離隔した中間配線と、を設ける。そして、第２の導電性材料に対する第１の導電性材料の拡散係数は、第２の導電性材料に対する第３の導電性材料の拡散係数よりも小さい。 （もっと読む）