【課題】プラズマＣＶＤ法を用いてＣｕ配線上に良好な拡散バリア膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】ダマシン法を用いて形成したＣｕ配線１９上にＣｕの拡散を防止する窒化シリコン膜２１を形成する工程は、Ｃｕ配線１９が形成された基板１をプラズマＣＶＤ装置のチャンバ内に搬入し、基板１を所定の温度に加熱する工程と、チャンバ内にアンモニアを供給し、第１のＲＦパワーでアンモニアをプラズマ分解することによって、Ｃｕ配線１９の表面を還元処理する工程と、ＲＦパワーが印加された状態で、チャンバ内にアンモニアとモノシランとを含む原料ガスを供給し、第２のＲＦパワーでアンモニアとシラン系ガスとをプラズマ分解することによって、Ｃｕ配線１９上に窒化シリコン膜２１を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】配線の検査効率を向上させる。
【解決手段】複数の接続パッド１２が設けられた半導体デバイスウエハ１０と、半導体デバイスウエハ１０の接続パッド１２が設けられた面を被覆するとともに、接続パッド１２を露出させる開口１４ａが設けられた絶縁膜１４Ａと、開口１４ａから露出された接続パッド１２及び絶縁膜１４Ａの上部に設けられた配線１５Ａと、を備える半導体装置である。配線１５Ａは、無電解めっき用シード層１６Ａと、無電解めっき用シード層１６Ａを核とする無電解めっきにより形成される配線層１９Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ビア配孔内に形成したカーボンナノチューブを埋め込む埋め込み膜が基板に均一に形成されないため基板の平坦化処理工程において層間絶縁膜が不均一に研磨されて、下層配線と上部電極がビア配線以外で電気的につながってしまう場合が発生する。
【解決手段】半導体基板における層間絶縁膜内のビアホール内にカーボンナノチューブを形成した後、基板全体をフッ化処理することにより、カーボンナノチューブが存在するビアホールにのみ埋め込み膜が形成され、その後に基板全体の平坦化処理のために基板を研磨する工程において、層間絶縁膜が局所的に研磨されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおいては、書き込み電流の低減やディスターブ回避を目的に、書き込みに使用する配線を強磁性体膜で覆うクラッド配線構造がよく用いられている。また、高信頼性製品の信頼性確保のためＣｕ配線中に微量のＡｌを添加するＣｕＡｌ配線が広く使用されている。ＭＲＡＭも高信頼性製品に搭載される可能性が高く、信頼性は重要である。しかし、クラッド配線は、もともと配線抵抗が高いＣｕＡｌ配線の配線抵抗を更に上昇させるというデメリットがあるため、両方の技術を同時に使用すると配線抵抗のスペックを満たさなくなる可能性が高い。
【解決手段】本願発明は、多層銅埋め込み配線を有する半導体装置において、ＭＲＡＭメモリセルマトリクス領域を構成する複数の銅埋め込みクラッド配線の銅配線膜を比較的純粋な銅で構成し、これらの配線層よりも下層の銅埋め込み非クラッド配線の銅配線膜を、Ａｌを添加したＣｕＡｌ配線膜とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数のゲート電極３ｂを覆うように窒化シリコン膜（第１絶縁膜）５を形成した後、オゾンＴＥＯＳ膜（第１酸化シリコン膜）６、プラズマＴＥＯＳ膜（第２酸化シリコン膜）を順次積層する。ここで、オゾンＴＥＯＳ膜６を積層後、プラズマＴＥＯＳ膜を積層する前に、窒化シリコン膜５をＣＭＰストッパ膜として、ＣＭＰ法により研磨する。これにより、プラズマＴＥＯＳ膜の膜厚を均一化させることができるので、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ビアに位置ずれが生じても、ビアがエアギャップにつながることを抑制できるようにする。
【解決手段】複数の配線２４０は例えばＣｕ配線であり、互いに平行に延伸している。側壁絶縁膜２１２は、複数の配線２４０それぞれの側壁に形成されている。エアギャップは、複数の配線２４０それぞれの相互間に形成され、複数の側壁絶縁膜２１２の間に位置している。絶縁膜３０２は、複数の配線２４０上、複数の側壁絶縁膜２１２上、およびエアギャップ２１４上に形成されている。ビア３４４は絶縁膜３０２を貫通しており、いずれかの配線２４０に接続している。そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨のばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。ダミーパターン４１は、ウェハ１の接線及び法線に交差する斜パターン４２と、斜パターン４２に連結され、ウェハ１の周方向に延びる分離パターン４３とを有する。配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を貫通する第１の溝及び絶縁膜の内部で終端する第２の溝を絶縁膜に形成する工程と、絶縁膜の内部で終端する配線溝を絶縁膜に形成する工程と、第１の溝の表面及び配線溝の表面に第１の金属膜を形成するともに、第２の溝の上方を覆うように第１の金属膜を形成する工程と、第１の溝及び配線溝に第２の金属膜を埋め込む工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディッシング及び埋め込み不良のないパッド構造を短時間で安定して形成する。
【解決手段】基板１００上に形成された第１の絶縁膜１０８Ｂに、複数のパッド配線１０９ｐを含むパッドが形成されている。第１の絶縁膜１０８Ｂ上に、前記パッドの少なくとも一部分の上に位置する開口部を有する第２の絶縁膜１１０が形成されている。複数のパッド配線１０９ｐのうち互いに隣り合う配線同士を電気的に接続するように配線接続部１０９ｑが設けられている。各パッド配線１０９ｐの幅Ｗ１は、各パッド配線１０９ｐの高さよりも小さく且つ配線接続部１０９ｑの幅Ｗ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。第１の電極の上に接して第１の電極配線１５１が形成され、第２の電極の上に第２の電極配線１５２が接して形成されている。第１の電極配線及び第２の電極配線を覆うように第２の絶縁膜が形成され、第２の絶縁膜の上に第１の金属層１６１が形成されている。第１の金属層は、第２の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第１の電極配線と接続されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置１は、配線２０を有する配線層１１ｂと、配線層１１ｂ上に形成された層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６上に形成され、上部がシリサイド化されたアモルファスシリコン層２７を有するＴＦＴ１４と、ＴＦＴ１４上に、層間絶縁膜４７を介して形成された配線５０を有する配線層１２ａと、層間絶縁膜４７、アモルファスシリコン層２７及び層間絶縁膜２６を貫通し、第１及び第２の配線を電気的に接続するコンタクトプラグ３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ビアを形成するとともに配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、まず、第１のパターンを導電体上に形成された被加工材に転写することにより、第１のパターンを有する第１の溝を被加工材の上部に形成する工程を行い。次に、第１のパターンと一部が重なる第２のパターンを被加工材に転写することにより、第１および第２のパターンの和集合からなるパターンを有する第２の溝を被加工材の上部に形成し、第１および第２のパターンの積集合からなるパターンを有し、底部に導電体が露出する孔を被加工材の第２の溝の下に形成する工程を行い。孔内にビアを形成し、第２の溝内に配線を形成する工程を行う、ことを含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の凹部に導電体を十分に充填させることができる半導体装置の配線形成方法を提供する。
【解決手段】はじめに、低誘電率層２１上に所定パターンで形成されたメタルハードマスク層２５をマスクとして低誘電率層２１をエッチングすることにより形成された凹部２４を有する基板を準備する。次に、低誘電率層２１上のメタルハードマスク層２５を薬液により除去する。その後、低誘電率層２１の凹部２４に導電体２３を充填する。このようにして、ダマシン法により、半導体装置３０の配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】 耐水性に優れた低誘電率材料を得る。
【解決手段】 化学式（１―１）
【化１】


で示されるボラジン系原料を有機溶媒に分散または溶解させたものを低誘電率材料形成用原料とする。式中のホウ素原子もしくは窒素原子が備える手が結合手となってボラジン環が結ばれたボラジン骨格系構造を形成し、上記ボラジン骨格系構造が繰り返されたオリゴマーまたはポリマーとして低誘電率材料を生成する。ただし式中、上記結合手以外のＲ_１〜Ｒ_６は、水素原子、炭素原子数１〜２のアルキル基の少なくともいずれかであって、少なくとも１つは水素原子ではなく、少なくとも１つは水素原子である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりと信頼性を向上させる。
【解決手段】配線凹部に埋め込まれた部分以外のバリアメタル膜３ｂ上のＣｕ膜５ｂを化学機械研磨によって除去する。そして配線凹部内のＣｕ膜５ｂ上に、添加元素からなる層６ｂを形成する。添加元素を層６ｂからＣｕ膜５ｂ中に拡散させて、Ｃｕ表面、及びＣｕ結晶粒の粒界及び該粒界近傍の位置においてＣｕ結晶粒内部よりも添加元素の濃度が高い界面及びその近傍を形成するとともに、Ｃｕ膜５ｂ中の酸素を層６ｂにゲッタリングさせる。その後、余剰な層６ｂを除去し、さらに絶縁膜上のバリアメタル膜３ｂを除去する。 （もっと読む）

【課題】太い幅の配線溝と細い幅の配線溝をＣｕの電解メッキで充填する際に、アンダープレートの発生を抑制し、化学機械研磨後におけるディッシングの発生を抑制する。
【解決手段】表面の第１の領域に縦／横比小さい第１の配線溝２２Ａが形成され、表面の第２の領域に縦／横比が大きい第２の配線溝２２Ｂを形成された絶縁膜の表面上にレジスト膜Ｒ１を形成し、第１の領域を露出する第１のレジスト開口部Ｒ１Ａを形成する工程と、レジスト膜をマスクに電解メッキを行い、第１の配線溝を第１の配線パタ―ン２５Ａで充填する工程と、第２の領域を露出する第２のレジスト開口部を形成する工程と、レジスト膜をマスクに電解メッキを行い、第２の配線溝を第２の配線パタ―ンで充填する工程と、レジスト膜を除去し、第１の配線パタ―ンおよび第２の配線パタ―ンを、それぞれの表面が絶縁膜の表面に一致するように、化学機械研磨により平坦化する工程と、を含む。 （もっと読む）