【課題】ＣＭＰ法による研磨のばらつきを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。ダミーパターン４１は、ウェハ１の接線及び法線に交差する斜パターン４２と、斜パターン４２に連結され、ウェハ１の周方向に延びる分離パターン４３とを有する。配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】配線の洗浄液への溶解を低減する配線構造の形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１３に犠牲配線溝２１及び主配線溝３１を形成し、犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内にバリア層１６を形成し、バリア層１６が形成された犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内に導電層１７を埋め込んだ後に、絶縁層１３上の導電層１７の部分を研磨する工程と、犠牲配線溝２１及び主配線溝３１内の露出したバリア層１６及び導電層１７の表面を洗浄する工程と、を備え、研磨する工程の後における絶縁層１３の平面視において、犠牲配線溝２１内のバリア層１６の部分の面積と導電層１７の部分の面積との比Ｓ１が、主配線溝３１内のバリア層１６の部分の面積と導電層１７の部分の面積との比Ｓ２よりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ディッシング及び埋め込み不良のないパッド構造を短時間で安定して形成する。
【解決手段】基板１００上に形成された第１の絶縁膜１０８Ｂに、複数のパッド配線１０９ｐを含むパッドが形成されている。第１の絶縁膜１０８Ｂ上に、前記パッドの少なくとも一部分の上に位置する開口部を有する第２の絶縁膜１１０が形成されている。複数のパッド配線１０９ｐのうち互いに隣り合う配線同士を電気的に接続するように配線接続部１０９ｑが設けられている。各パッド配線１０９ｐの幅Ｗ１は、各パッド配線１０９ｐの高さよりも小さく且つ配線接続部１０９ｑの幅Ｗ３よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】精確かつシャープな輪郭を有する平坦な構造体を、既存のジェット方法を用いて製造する方法を提供する。
【解決手段】基板２を準備するステップと、第１構造体３を基板２の上にジェット方法によって印刷するステップであって、該印刷された第１構造体３が少なくとも１つの第１角部５を含む、ステップと、第２構造体をジェット方法によって、第１構造体３の第１角部５から該第１構造体３の外側にある終点まで、第２構造体４が第１構造体とコンタクトするように印刷するステップであって、該印刷は、第２構造体４とコンタクトする第１構造体３の材料が少なくとも部分的に流体状態にある間に実施される、ステップと、第１構造体３および／または第２構造体４を電気的にコンタクトさせるステップ、とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】殊に銅ボンディングとの両立性の点で高い信頼性を有するボンディングコンタクトを提供すること。
【解決手段】半導体基板上の、補強構造体を有するボンディングコンタクトにおいて、このボンディングコンタクトには、半導体基板上に配置される少なくとも１つの第１金属層と、この第１金属層の上方に配置される第３金属層とを有しており、第１金属層には、パターンを有する補強構造体が収容され、第３金属層は、ボンディング面を有するボンディングコンタクト層であり、さらに上記のボンディング面の下方かつ第１金属層の上方に絶縁層が配置されており、この絶縁層は、ボンディング面の縁部を越えて突き出ている。る、ボンディング個所（１）において、上記の補強構造体は、ボンディング面の上側から見た場合にこのボンディング面の下方において第１金属層内に構成されており、この補強構造体には誘電体島が含まれている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを接合する電極パッドを備えた半導体素子において、電極パッドとボンディングワイヤとの接合強度の劣化を抑制できるようにする。
【解決手段】半導体材料からなる素子本体１の主面１ａに形成されて第一金属材料からなるボンディングワイヤ２を接合するための電極パッド３が、第一金属材料よりも小さく、かつ、半導体材料よりも大きい熱膨張係数の第二金属材料からなり、素子本体１の主面１ａに互いに間隔をあけて立設された複数の第二金属層４と、第一金属材料からなり、素子本体１の主面１ａ上において少なくとも第二金属層４の間を埋めるように形成された第一金属層５と、によって構成された半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のビア構造物及び導電構造物を提供する。
【解決手段】前記ビア構造物は、平坦部及び突出部を含む表面を有する。前記導電構造物は前記平坦部のうち、少なくとも一部上に形成され、前記突出部のうち、少なくとも一部上には形成されない。例えば、前記導電構造物は前記平坦部上のみに形成されて前記突出部上には全く形成されない。これによって、前記導電構造物と前記ビア構造物との間に高品質の接続を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面にバルジを誘導するためのパターンを形成せずに組成物の液滴を付与して線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジの方向が制御されるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターン１２Ａ，１２Ｂを形成する線状パターン形成工程と、線状パターンを形成すると共に又は線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターン１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。バルジ誘導用パターンを形成した後、線状パターンを形成することが望ましく、予めパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上で第１方向に延在するラインパターンと、ラインパターンの端部から、第１方向と異なる方向に延在する分岐ラインパターンとをそれぞれ含む第１導電ライン；第２導電ライン；第３導電ラインとを含む半導体素子であり、中間に位置する導電ラインの分岐ラインパターンは、他の導電ラインの分岐ラインパターン間に位置し、長さもさらに短い。これにより、コンタクト・パッドが、導電ラインの分岐ラインパターンと一体に形成されうる。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主要な成分とする再配線に設けられた外部接続用Ａｕパッドの剥離を抑制する。
【解決手段】Ｃｕ膜１５ａの上部にＮｉ膜１５ｂを積層した２層膜からなる再配線１５の表面には、ワイヤが接続されるパッド１８が形成されている。パッド１８は、Ｎｉ膜１９ａの上部にＡｕ膜１９ｂを積層した２層膜からなり、再配線１５の上面および側面を覆うように一体形成されている。これにより、再配線１５とパッド１８の接触面積が大きくなるので、パッド１８が再配線１５から剥がれ難くなる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の削減が可能な側壁加工プロセスを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板301上に被加工膜302を形成し、被加工膜の上に芯材膜304を形成し、芯材膜の一部であって被加工膜の加工時まで残存させる残存部分とそれ以外の芯材膜である除去予定部分との間が所定距離の間隙となるように芯材膜をパターニングする。パターニングの後に芯材膜の側面に側壁305を形成して除去予定部分および残存部分の側面を側壁で覆うとともに残存部分と除去予定部分との間の所定距離の間隙を側壁で閉塞する。さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。レジストを除去した後に側壁および残存部分をマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト電極と配線とを安定して接続する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、平面形状がリング状の第１のコンタクト部４１を有する第１の配線４０と、第１の配線４０より下層に設けられる第２の配線５０と、コンタクト部４１のリング状の部分を貫通して、２つの配線４０，５０を電気的に接続するコンタクト電極６０とを含み、基板１１上に設けられる配線領域を具備する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】積層チップパッケージを、低コストで短時間に大量生産できるようにする。
【解決手段】積層チップパッケージ１は、本体２と複数の貫通電極２１とを備えている。本体２は、積層された複数の階層部分１０と、それぞれ複数の階層部分１０の全てを貫通する複数の貫通孔とを含んでいる。複数の貫通電極２１は、本体２における複数の貫通孔内に設けられて複数の階層部分１０の全てを貫通している。複数の階層部分１０の各々は半導体チップを含んでいる。複数の階層部分１０のうちの少なくとも１つは、半導体チップと複数の貫通電極２１とを電気的に接続する配線３１を含んでいる。配線３１は、それぞれ複数の貫通孔のいずれかの壁面において露出してその貫通孔を通過する貫通電極２１に接触する複数の導体３２を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造を使って、キャパシタンスが大きく、かつキャパシタンス値が安定なキャパシタ素子を半導体基板上に集積化する。
【解決手段】多層配線構造１８は、少なくとも第１層目の層間絶縁膜１６と、第１層目の層間絶縁膜中に埋設された第１配線層と、を含み、第１配線層は、第１の電源に接続され前記第１の層間絶縁膜中に埋設された第１の配線パタ―ン１５Ｃ１と、第２の電源に接続され前記第１の層間絶縁膜中に埋設された第２の配線パタ―ン１５Ｃ２と、を含み、第１の配線パタ―ンと前記第２の配線パタ―ンとは容量結合して第１のキャパシタを形成し、第１の配線パタ―ンは積層配線パタ―ン１３Ｃ上に形成されて、前記第４の電極パターン１３Ｇと容量結合して第２のキャパシタを形成し、第４の電極パターンは第２の配線パタ―ンに電気的に接続されている。 （もっと読む）