ダイ積層を形成するための方法が提供される。本方法は第一のダイに、複数のスルーウェーハビア（１０５）および第一の複数のアラインメントフィーチャ（１０４）を形成するステップを含む。第二の複数のアラインメントフィーチャ（１１６）は、第二のダイに形成され、第一のダイは第二のダイ上に積層され、第一の複数のアラインメントフィーチャは、第二の複数のアラインメントフィーチャと係合する。ダイ積層を製造する方法もまた提供され、その方法は、第一のダイ上に複数のスルーウェーハビアを形成するステップ、第一のダイ上に複数の凹部（１０４）を形成するステップ、ならびに第二のダイ上に複数の凸部（１１６）を形成するステップを含む。ダイ積層およびシステムも提供される。
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【課題】研削時の半導体ウェーハの高温加熱及びクラックの発生を防止し、且つ損傷のない十分な厚さの保護樹脂を半導体チップの各側面に形成する。
【解決手段】半導体ウェーハ(1)の一方の主面(1a)に複数の溝(4)を格子状に形成し、溝(4)内の一定深さに水溶性で液状の被覆樹脂(5)を供給した後、疎水性で液状の保護樹脂(6)を被覆樹脂(5)の上から溝(4)内に充填する。次に、溝(4)を含む半導体ウェーハ(1)の他方の主面(1b)に純水を供給しながら、被覆樹脂(5)に達するまで半導体ウェーハ(1)の他方の主面(1b)を研削すると共に、溝(4)内に残留する被覆樹脂(5)を除去する。その後、保護樹脂(6)の中央に沿って保護樹脂(6)を切断して、保護樹脂(6)により側面(3c)が夫々被覆された複数の半導体チップ(3)に分割する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ内の貫通孔開口部と同位置に開口部を有するプレートを一定の距離をおいてシリコンウエハの貫通孔開口部にプレート開口部を合わせて、めっき電極側に向けて配置してめっきを行う。プレート開口径は貫通孔開口径より少し小さくする。プレート開口径と貫通孔開口径Ｒの差を２ｘとしたとき、ｘ／Ｒを0.1〜0.3、シリコンウエハとプレートの距離を0.05ｍｍ〜1.0ｍｍとしたときに、前記課題を実現できる。プレートは、多孔質セラミックのような絶縁体でかつ多孔質材料が望ましく、シリコンウエハ表面のめっき成長も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面には第１のパッシベーション膜７が設けられている。そして、第１のパッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は第２のパッシベーション膜９によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエハを用いずに、誘電体分離構造を有する安価な半導体装置を得ること。
【解決手段】複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ（半導体基板１２）のおもて面に表面電極１７、再配線１９およびポスト２１を形成し、おもて側封止樹脂２０で封止する。ウエハの裏面を研磨してウエハを薄くする。研磨により露出する面からウエハを貫通しておもて面の層間絶縁膜１６に達する分離溝を形成する。ウエハの裏面に絶縁膜を積層して、分離溝を分離絶縁膜１５で埋めるとともに、研磨による露出面を裏面絶縁膜１４で被覆することによって、誘電体分離構造を形成する。ウエハを複数のチップに分割する。 （もっと読む）

【課題】ナノプリント法において、基板からスタンパを剥離する工程を高精度かつ容易に行うことを目的とする。
【解決手段】プレス装置を用い、基板上に微細構造を形成するためのスタンパにおいて、前記スタンパが剥離機構を有することを特徴とするナノプリント用スタンパ、及び該スタンパを用いるパターン転写方法。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを貼り合わせる際に、電気信号接続部に発生する損傷を効果的に防止することができ、信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】各ウエハ１ＷＡ，１ＷＢにおける別のウエハとの貼り合わせ面３０ａ、３０ｂには電気信号接続部９、２６が設けられ、電気信号接続部と、対向する別のウエハに設けられた電気信号接続部とが電気的に接続され、対向する電気信号接続部９、２６同士のうちの少なくとも一方が、貼り合わせ面３０ａ、３０ｂから突出して形成された凸状接続部であり、前記凸状接続部の形成されている貼り合わせ面３０ａ、３０ｂ上における電気信号接続部９、２６の配置されていない領域に、前記半導体回路と絶縁され、前記凸状接続部と同じ高さ又は前記凸状接続部よりも高い高さで前記貼り合わせ面３０ａ、３０ｂから突出する補強凸部５ｂ、９ｂ、２６ｂが形成されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを貼り合わせる際に、電気信号接続部に発生する損傷を効果的に防止することができ、信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】素子の形成された基板１ＳＡ，１ＳＢからなる複数枚のウエハ１ＷＡ，１ＷＢが貼り合わされてなり、各ウエハ１ＷＡ，１ＷＢにおける別のウエハとの貼り合わせ面３０ａ、３０ｂには電気信号接続部９、２６が設けられ、対向する電気信号接続部９、２６同士のうちの少なくとも一方が、基板１ＳＡが露出されている貼り合わせ面３０ａから突出して形成された凸状接続部であり、凸状接続部の形成されている貼り合わせ面３０ａ上における前記電気信号接続部の配置されていない領域に、基板１ＳＡと同じ材料からなり、半導体回路と絶縁され、貼り合わされたウエハ１ＷＡ，１ＷＢ間の間隔の寸法と同じ高さで貼り合わせ面３０ａから突出する補強凸部５２が形成されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体素子の集積の分野に関し、より詳細には複数の半導体ウエハの積層に関する。
【解決手段】 本発明のウエハを積層する方法は：第１金属接続層を有する第１ウエハを供する工程；前記第１金属接続層の上に第１保護層を形成する工程；前記第１保護層内に第１結合パッドを形成して第１結合パッド層を形成する工程；第２金属接続層を有する第２ウエハを供する工程；前記第２金属接続層の上に第２保護層を形成する工程；前記第２保護層内に第２結合パッドを形成して第２結合パッド層を形成する工程；前記第１結合パッド層の上に第１導電性接合層を形成する工程、及び／又は前記第２結合パッド層の上に第２導電性接合層を形成する工程；並びに、前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１つを介して前記第１結合パッド層と該第１結合パッド層に対応する前記第２結合パッド層の面とを結合することによって、前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層する工程；を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置の製造コストを低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板４を貫通するリング状の溝部１４を半導体基板４の裏面側から形成し、リング状の溝部１４の内部と半導体基板４の裏面に絶縁膜７を形成した後、リング状の溝部１４の内側の絶縁膜７および半導体基板４に、貫通孔５を半導体基板４の裏面側から形成し、半導体基板４の表面に形成された表面保護絶縁膜２を貫通孔５の底面に露出させる。続いて、貫通孔５の底面に露出する表面保護絶縁膜２を除去して開口部６を形成し、素子面電極３を露出させた後、素子面電極３に接続するコンタクト電極９を貫通孔５および開口部６の内壁に形成し、コンタクト電極９と同一層からなるパッド電極９ａを半導体基板４の裏面に形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７が設けられている。パッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は金属膜１４および封止膜１８によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、低誘電率膜配線積層構造部３の側面と封止膜１８との金属膜１４を介在させているのは、耐湿環境からの保護を十分とするためである。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の周囲におけるシリコン基板１の上面には側部絶縁膜１１がその上面が保護膜９の上面とほぼ面一となるように設けられている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とのショートを防止した貫通電極を有する半導体装置を製造する手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１のおもて面上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜上に形成されたパッド３と、保護膜４の開口部７に上部端子９を形成する。半導体基板の裏面のパッド下の領域に、層間絶縁膜に達する環状溝３２を形成する。環状溝内に環状絶縁層３３を形成すると共に、半導体基板の裏面に裏面絶縁膜１３を形成する。裏面絶縁膜上の環状絶縁層に囲まれた領域に、パッドに達する電極形成穴１６を形成する。電極形成穴に導電材料を埋込んでパッドに電気的に接続する貫通電極１５を形成する。裏面絶縁膜上に貫通電極に電気的に接続する下部端子を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の導通確認をウェハ単位で簡便に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェハ２５０の能動面１０ａに形成された複数の集積回路を個片化して複数の半導体装置１を製造する方法であって、複数の集積回路を個片化する前に、集積回路のそれぞれに形成された能動面電極１２０ａ，１２０ｂ，外部接続用電極１２２，及びダミー電極を覆って導電膜１９０を形成する工程と、能動面１０ａと反対の裏面１０ｂからシリコンウェハ２５０を貫通して能動面電極１２０ａ，１２０ｂに達する貫通電極１１２ａ，１１２ｂを形成する工程と、裏面１０ｂから一対の貫通電極１１２ａ，１１２ｂをプロービングして貫通電極１１２ａ，１１２ｂと能動面電極１２０ａ，１２０ｂとの導通を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３と電極４とが設けられた半導体基板２を具備する。半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。半導体基板２上には第１の主面２ａを覆うように光透過性保護部材９が配置されている。受光部３上には所定の間隙１１が形成される。光透過性保護部材９の表面９ａには保護膜１２が形成されている。保護膜１２は受光部３に対応する領域に設けられた開口１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ２ａ内の回路素子に接続され、当該半導体チップ２ａ上の側面部近傍に形成されたパッド電極４と、前記パッド電極４上に形成された支持体７と、前記半導体チップ２ａの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜９と、前記パッド電極４の裏面に接続され、前記絶縁膜９に接するようにして前記半導体チップ２ａの側面部から裏面部に延在する配線層１０と、前記配線層１０を含めた半導体チップ２ａの裏面を被覆するように形成された第１の保護膜１１と、前記第１の保護膜１１に形成された開口部１２を介して前記配線層１０に接続された導電端子１３と、前記第１の保護膜１１と前記導電端子１３との隙間Ｓを埋設する第２の保護膜１４とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ間の電気的な接続において優れた信頼性および安定性が得られる貫通配線構造を提供する。
【解決手段】対向する電気信号接続部９２、２６同士のうち一方が、ウエハの一方の面と他方の面とを導通させる貫通配線部９２であり、貫通配線部９２が、貼り合わせ面３０ａから突出する貫通突出部９２ａを有し、貫通突出部９２ａが、対向配置されて貼り合わせ面３０ａから別のウエハに向かって延びる配線側壁対９２ｂを有し、対向する電気信号接続部同士９２、２６のうち他方が、バンプ２６であり、貫通配線部９２の端部９２ｃが、バンプ２６内に食い込んでおり、配線側壁対９２ｂの間に、バンプ２６が挟み込まれている貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを貼り合わせる際に、貼り合わせ面から突出する電気信号接続部が損傷されにくく、電気的導通特性および信頼性に優れ、安定した性能の得られる半導体装置用ウエハの貫通配線構造を提供する。
【解決手段】素子の形成された基板からなる複数枚のウエハを貼り合わせてなる半導体装置のウエハとして用いられる半導体装置用ウエハの貫通配線構造であって、別のウエハと電気的に接続される貫通配線部９が、前記別のウエハとの貼り合わせ面３０ａに前記貼り合わせ面から突出して設けられ、ウエハ表面と平行な面で見た貫通配線部９の断面が、曲線を含む曲線含有形状または異なる方向に延びる２以上の直線を含む複直線含有形状である貫通配線構造とする。 （もっと読む）

【課題】 切削量の要求精度より大きい厚さばらつきを有する半導体基板に対し、切削量の要求精度を満足する切削加工により金属膜をパターニングして金属電極を形成する半導体装置の金属電極形成方法を実現する。
【解決手段】 吸着ステージ２１ｂに吸着固定されることにより裏面１１ｂの形状を反映して表面部１１ｃの凹凸差が増大した半導体基板１１について、表面部１１ｃの表面形状データを取得し、この表面形状データに基づいて、圧電アクチュエータ２４ａにより半導体基板１１に変位を与えて、切削面Ｐと表面部１１ｃとの距離が切削加工の要求精度内になるように変形させる。そして、半導体基板１１を吸着ステージ２１ｂに吸着固定したまま切削面Ｐにおいて切削加工を行うことにより、金属膜１４のうち開口部１３ａの内部に形成された部分のみを残すようにパターニングされた金属電極１５を形成する。 （もっと読む）