【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度測定部が挿入され、反応管の内面に沿って延びる保護管が反応管の内面に張り付くのを避ける。
【解決手段】複数の基板が間隔をおいて重なるように当該複数の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管に収容される基板保持具に保持される複数の基板に対し、複数の基板上に成膜される薄膜の原料ガスを供給する原料ガス供給管と、反応管を支持する支持部と、反応管の外側に配置され、複数の基板を加熱する加熱部と、支持部に一端部で固定され、基板保持具と反応管との間において複数の基板の配列方向に沿って延び、内部に温度測定部が挿入される保護管と、保護管の外面と反応管の内面との少なくとも一方に設けられ、保護管の外面と反応管の内面との間に空隙を形成する突起部とを備える成膜装置により上記の課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させる。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル（塵埃）の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばす。
【解決手段】気化ユニット内に堆積した生成物を除去して気化ユニットを洗浄する気化ユニットの洗浄方法において、生成物が堆積した気化ユニット内に第１の洗浄液を供給する第１の工程と、第１の洗浄液を気化ユニット内から排出しない状態で、気化ユニット内に第２の洗浄液を供給する第２の工程と、第１の洗浄液および第２の洗浄液を気化ユニットから排出する第３の工程と、を順に行う。 （もっと読む）

【課題】1以上の窒化物材料を形成するためのＭＯＣＶＤシステム及び製造方法を提供する。
【解決手段】該システムは、中心軸１２８の周りを回転するように構成されているサセプタ１２０、及び該サセプタ上部に、サセプタとは直接接触していない状態で配置されるシャワーヘッド１１０を含む。加えて、該システムは、該サセプタ上に配置され、中心軸の周りを回転し、かつ対応するホルダ軸１２６の周りもそれぞれ回転するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０を含む。更に該システムは、該中心部品内部に形成された1以上の第1の入口１０１、1以上の第2の入口１０２、及びシャワーヘッド内部に形成され、かつ中心部品からの距離が該1以上の第2の入口１０２より更に離れて配置される1以上の第3の入口１０３を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板１１に開口部１１ａを形成し、この開口部１１ａ内に筐体９０を配置する。そして、この筐体９０の内部に、回転テーブル２上のウエハＷに近接するようにプラズマ発生部８０を収納する。また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、処理容器内の温度分布を推測する技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの一面側を径方向に沿って繰り返し走査し、複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶する記憶部と、回転テーブルを静止させて温度が安定した後、回転テーブルを回転させる間に放射温度測定部により繰り返し回転テーブルの一面側を走査し、回転テーブルの静止時における処理容器内の温度分布を推測するために、回転テーブルの一面側の温度分布をデータ処理部に表示させる制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】ビューポートが汚れることにより、放射温度計による正確な温度測定ができなくなることを抑制する。
【解決手段】複数枚の基板を保持するボートと、ボートを囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、筒状発熱材と反応管との間に設けられた筒状断熱部と、筒状発熱材と筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、温度測定用チップからの放射光が入射されることにより温度を測定する放射温度計と、温度測定用チップと放射温度計との間に設けられ、温度測定用チップからの放射光を透過するビューポートと、筒状発熱材と筒状断熱部との間の間隙に設けられ、ビューポートに向けて不活性ガスを供給する第１ガス供給口を有するブローノズルと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。
【解決手段】プラズマ窒化処理方法は、上部に開口を有する処理容器１と、ウエハＷを載置する載置台２と、処理容器１の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させるマイクロ波透過板２８と、処理容器１内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナ３１と、を備えたプラズマ処理装置１００を用いる。処理容器１内で、窒素含有ガスと希ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成させて、ウエハＷ上の窒化珪素膜をプラズマ窒化処理する。窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハのロード時において、ウエハ温度を確実に推定してウエハに対して迅速な熱処理を施す。
【解決手段】熱処理制御システム１は、ボート１２に保持されたウエハＷを処理する処理容器３と、処理容器を密封する蓋体１０と、処理容器３を加熱するヒータ１８Ａと、ヒータ１８Ａを制御する制御装置５１とを備えている。蓋体１０上にプロファイル温度センサ保持具８３Ａが設けられ、このプロファイル温度センサ保持具８３Ａにプロファイル温度センサ８３が設けられている。プロファイル温度センサ８３は温度推定部５１Ａに接続され、温度推定部５１Ａは、プロファイル温度センサ８３の検出信号に基づき、このプロファイル温度センサ８３の検出信号に一次遅れフィルタをかけてウエハＷの温度を推定する。制御装置５１は温度推定部５１Ａで求めたウエハＷの温度に基づいてヒータ１８Ａを制御する。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）