【課題】 ナノインプリント方法において、パターン倒れが起こらず、離型性に優れたナノインプリント用硬化性組成物およびナノインプリント方法を提供することにある。
【解決手段】 （Ａ）重合性化合物および（Ｂ）ラジカル発生剤を含有する組成物であって、窒素雰囲気下で該組成物をガラス基板上に塗布し、メタルハライド紫外線照射装置を用いて紫外線１００ｍＪ／ｃｍ^２を３秒間照射して得られた膜厚２００μｍの硬化膜の、動的熱機械分析（ＤＭＴＡ）を用いて測定した２０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、１．５ＧＰａ以上である、ナノインプリント用硬化性組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】微細な転写用凹凸構造と、当該転写用凹凸構造の凹部の深さ（凸部の高さ）を正確に測定するための測定用凹凸構造とを備えているにもかかわらず、ステップ・アンド・リピート法により転写用凹凸構造のみを被加工物に転写することのできるナノインプリント用モールド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の基部上及び凸構造部上にエッチング用マスク材料膜を形成し、基部上のマスク材料膜に測定用凹部形成用の第１開口パターンを形成し、凸構造部上のマスク材料膜に転写用凹部形成用の第２開口パターンを形成し、第１及び第２開口パターンが形成されたマスク材料膜をマスクとしてエッチングして、基部における凸構造部側の面への測定用凹部の形成及び凸構造部への転写用凹部の形成を行う。この測定用凹部の開口面の短手方向長さは、非破壊式測定装置を用いて測定用凹部の深さを測定可能な長さである。 （もっと読む）

【課題】 空気と置換するためのガスの供給量を必要最小限に低減したインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、テンプレートを保持する保持部と、基板を保持するステージと、前記テンプレートを囲むように配置された複数のガス供給開口を介して前記テンプレートと前記基板との間の空間に空気と置換するためのガスを供給するガス供給部と、前記複数のガス供給開口を囲むように前記保持部の前記ステージ側の表面に形成された第１ガス回収開口を介して前記ガスを回収する第１ガス回収部と、前記基板を囲むように前記ステージに形成された第２ガス回収開口から前記ガスを回収する第２ガス回収部と、前記第１ガス回収開口により囲まれる第１領域と、前記第２ガス回収開口により囲まれる第２領域とが重なり合う第３領域が形成される場合に、前記複数のガス供給開口のうち前記第３領域内に位置するガス供給開口のみから前記ガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することを可能とする。
【解決手段】基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールド１０において、上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板１２を用いて製造する。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの表面に離型剤を適切に成膜しつつ、テンプレート処理のスループットを向上させる。
【解決手段】テンプレートの表面に離型剤を成膜するテンプレート処理では、先ず、塗布ユニットにおいて、テンプレートの表面に紫外線を照射し、当該テンプレートの表面を洗浄する（工程Ａ２）。続いて、塗布ユニットにおいて、テンプレートの表面にテンプレートの表面に紫外線を照射しながら、当該テンプレートの表面に離型剤を塗布する（工程Ａ３）。その後、リンスユニットにおいて、離型剤をリンスして、当該離型剤の未反応部を除去する（工程Ａ４）。こうしてテンプレートの表面に離型剤が所定の膜厚で成膜される。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型のレジスト材料を用いたレジストパターン形成において、よりレジストパターン倒れを抑制することを可能とする。
【解決手段】化学増幅型のレジスト材料の基板１への塗布、露光および現像の各工程を経て、アスペクト比ＡＲが１．５以上の所定のレジストパターンをレジスト材料からなるレジスト膜２に形成するレジストパターン形成方法において、基板１とレジスト膜２との密着性を向上せしめる密着処理を制御して、レジスト膜２の残膜３の厚さが１ｎｍ以上かつ１．８３×ＡＲ＋１．７３ｎｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、インクジェット法における主走査方向Ｓｍとライン状凹凸パターンＰ２のライン方向Ｌｄとの交差角度であって、モールド２を押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように、レジスト材料の粘度が８〜２０ｃＰであり、レジスト材料の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、複数の液滴Ｄそれぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、複数の液滴Ｄの配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、上記液滴Ｄを塗布し、雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、上記モールド２を押し付ける。 （もっと読む）

【課題】残膜量の変動を低減したインプリント方法、半導体集積回路製造方法およびドロップレシピ作成方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板上に転写されたパターンの欠陥検査を行い、欠陥の画像データを生成する。欠陥が検出されたとき、前記生成された画像データから欠陥輪郭を抽出して、前記抽出した欠陥輪郭を前記半導体集積回路のパターンデータに反映させ、前記欠陥輪郭が反映されたパターンデータに基づいて第１ドロップレシピを生成する。そして、硬化性樹脂材料の塗布に使用しているドロップレシピを前記生成した第１ドロップレシピで更新する。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを抑えつつ、フォトレジスト層上の異物を除去する。
【解決手段】基板１１上に、ヒートモードの形状変化が可能な有機色素からなるフォトレジスト層１２を形成する。フォトレジスト層１２にレーザ光を照射し、フォトレジスト層のレーザ光が照射された部分に穴部１３を形成する。真空中で所定のガスを用いてフォトレジスト層１２をエッチングし、レーザ光を照射して穴部１３を形成する際に発生した異物を除去する。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工方法、微細加工装置、および微細加工プログラムを提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成面の第１領域ごとに必要とされるレジスト量を決定し、パターン形成面全域のレジスト総量を決定し、レジスト総量をレジストドロップの容量で除算し、レジストドロップの総数を決定し、その総数のレジストドロップのそれぞれについてパターン形成面における暫定的な位置を決定し、それぞれの第１領域を最も近接するレジストドロップごとに振り分け、レジストドロップごとに振り分けられた第２領域ごとにパターン形成面を改めて区分けし、第２領域ごとに、ひとつのレジストドロップの容量を、第２領域内に属する第１領域のそれぞれについて決定された必要とされるレジスト量の合計で除算した値を決定し、除算した値のパターン形成面内における分布が目標とする範囲内にある場合は、すべてのレジストドロップの位置を確定する。 （もっと読む）

【課題】インプリント材を適切な位置に滴下すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、インクジェットヘッドからインプリント材が滴下される基板を載置するステージと、前記基板上のインプリント材に押し付けられるテンプレートと、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量を、テンプレート位置ずれ量として検出する。前記ステージの移動方向と、前記インクジェットヘッドに設けられている複数からなるノズルのノズル列方向と、の間の前記ステージ面内の回転方向の位置ずれ量をノズル位置ずれ量として検出する。そして、前記テンプレート位置ずれ量および前記ノズル位置ずれ量に起因して生じる前記インプリント材の滴下位置の位置ずれを解消するよう、前記ステージの移動方向を制御するとともに、前記各ノズルから吐出するインプリント材の吐出タイミングを制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、形成しようとするパターンの寸法が大きい場合であってもインプリント法を用いた適正なパターンの形成を行うことのできるパターンの形成方法、電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基体の表面に第１の被転写層を形成する工程と、第１のインプリント型を用いて前記第１の被転写層に第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンを成形して第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクを用いて前記基体の表面に第１のエッチングを施す工程と、を備え、前記第１のマスクを形成する工程において、前記第１のレジストパターンの表面に所定の厚みを有した膜を成膜することで前記第１のレジストパターンを成形すること、を特徴とするパターンの形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高精度な位置合わせを弊害なく実現する。
【解決手段】実施形態に係わるナノインプリント用テンプレートは、同一面に転写パターン１６ａ及びアライメントマークＡＭ２を備え、アライメントマークＡＭ２は、偏光子又は位相差フィルム１７により構成される。そして、ナノインプリント技術による基板上へのパターン転写時に、偏光を用いることにより、又は、光の位相差を検出することにより、基板とナノインプリント用テンプレートとの位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】熱インプリントリソグラフィー技術を用いて、ベンゾシクロブテン樹脂のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】下記式（２）：


で表されるジビニルシロキサン−ビスベンゾシクロブテンを重合して得られるベンゾシクロブテン樹脂を含む層を基板上に形成する工程、前記ベンゾシクロブテン樹脂を含む層に、加熱及び加圧しながらモールドを押しつけ、該ベンゾシクロブテン樹脂を含む層にパターンを形成する工程、及び冷却後に、前記パターンが形成されたベンゾシクロブテン樹脂を含む層を前記モールドから離型する工程を有し、前記加熱の温度が１５０℃乃至３５０℃である。 （もっと読む）

【課題】自己組織化材料を用いて製造されるパターンの高精度化を図ったパターンの形成方法，およびインプリント用モールドの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターンの形成方法では，基板上に，第１の層，感光層を順に形成し，前記感光層の第１，第２の領域それぞれを第１，第２の露光量で露光し，第１の溶媒によって，第１の領域を溶解し，露出した第１の層をエッチングし，第２の溶媒によって，感光層の未露光の第３の領域を溶解し，自己組織化材料を第３の開口内に形成する。 （もっと読む）

【課題】非透過性の基体を有し、かつ、不整合性のない転写領域を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上にエネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、基体上に塗布されたエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して回転原盤の回転面を回転密着させながら、回転原盤内に設けられた１または複数のエネルギー線源から放射されたエネルギー線を回転面を介して照射し、エネルギー線硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、回転面の凹凸形状が転写された形状層を基体上に形成する。 （もっと読む）

【課題】ブロックコポリマーの相分離を利用して、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造することができるブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。
【解決手段】基板１上に芳香族環含有モノマー由来の構成単位を有する樹脂成分を含有する下地剤を塗布し、該下地剤からなる層２を形成する工程（１）と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層３を前記下地剤２からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層３を相分離する工程（２）と、前記ブロックコポリマーを含む層３のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相３ａを選択的に除去する工程（３）と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。 （もっと読む）