【課題】アライメントマークが形成された基板を作製するにあたって、光によるアライメントマークの検出を可能としつつ、アライメントマークを形成する時間を短縮させる。
【解決手段】基板に対してアライメントマークを形成する際の基板作製方法において、前記基板を覆うようにレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う露光工程と、前記描画又は露光されたレジスト層を現像し、凹凸からなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターン形成工程後、前記レジストパターンを有する部分における基板の少なくとも一部に対してウェットエッチングを行い、前記一部におけるレジストパターンの凹部よりも大きく、且つ、光を用いて検出可能な大きさを有するアライメントマークを前記基板上に形成するアライメントマーク形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】異常判定の精度を向上することができる処理装置の異常判定システム及びその異常判定方法を提供すること。
【解決手段】被処理体を処理する処理装置に設置されるセンサによって出力される信号から、時間と共に変動する時系列データ４１を収集するデータ収集部２２と、データ収集部が収集した時系列データから、有用な時系列データであるモデルデータ４３のみを選択するデータ選択部２３と、データ選択部が選択したモデルデータから、時間と共に変動する上下変動閾値データ４５を算出する閾値設定部２５と、データ収集部が収集した監視対象の時系列データを、上下変動閾値データと比較することにより、異常の発生を判定する判定部２６と、を具備する。データ選択部のモデルデータの選択は、例えば処理装置によって被処理体を処理した後に、処理装置による被処理体の処理を評価する検査装置３７の評価結果に基づいて行う。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性及びサファイア基板への密着性に優れた被膜を与えるエッチングマスク用樹脂及びそのエッチングマスク用樹脂を含有するエッチングマスク用コート材並びにそのエッチングマスク用コート材を用いたサファイア基板のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチングマスク用樹脂は、サファイア基板の表面に配設されるエッチングマスクの形成に用いるエッチングマスク用樹脂であって、極性基（酸素原子を有する極性基）を有し、且つ、下記式（１）から算出される値が３以下の樹脂（環状オレフィンの開環（共）重合体）である。
Ｎ_Ｔ／（Ｎ_Ｃ−Ｎ_Ｏ） （１）
〔式（１）中、Ｎ_Ｔは樹脂を構成する全原子の数であり、Ｎ_Ｃは樹脂を構成する炭素原子の合計数であり、Ｎ_Ｏは樹脂を構成する酸素原子の合計数である。〕 （もっと読む）

【課題】ナノインプリントにおいて従来技術に比してパターン形成性をより向上させる。
【解決手段】微細な凹凸パターンを有する基板１２と、この凹凸パターンに沿ってこの凹凸パターンの表面に形成された離型層１４とを備えるモールドを用いて、基板２上に塗布されたレジスト３を押圧し、上記凹凸パターンが転写されたレジストパターンを形成するナノインプリント方法において、上記レジストパターンのラインの幅が所望の値となるように、上記離型層１４の厚さと、上記モールドを用いて上記レジスト３を押圧する際の押圧圧力の大きさとを調整する。これにより、レジストパターンのラインの幅を制御する。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】インプリント領域に異物や凹凸が存在する場合に、モールドの交換を行うことなく、パターン形成時のモールドの破損を防止するインプリント装置を提供する。
【解決手段】モールド３は、パターンを形成するための凹凸パターンを有する第１押印部２０と、ダミー用の第２押印部２１との少なくとも２つの押印部を有する。制御手段は、異物検査手段の検査結果に基づいて、インプリント領域に異物、又は凹凸が存在するかどうかを判定し、存在しないと判定した場合には、第１押印部２０を選択し、一方、存在すると判定した場合には、第２押印部２１を選択し、第２押印部２１を選択した場合には、第２押印部２１が第１押印部２０よりも基板５との距離が近くなるように退避手段を制御した後、第２押印部２１と未硬化樹脂との接触を実行させる。 （もっと読む）

【課題】所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、マスクパターン作成方法が提供される。マスクパターン作成方法では、補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する。そして、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正する。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント用のメサ型のモールドの洗浄においてモールドの破損を抑制する。
【解決手段】ナノインプリントに使用したレジストの残渣が付着した状態のナノインプリントモールドに施される洗浄方法において、平板状の支持部１１と、該支持部の一面にありかつ該一面から所定の高さを有するメサ部１２を有するモールド１が凹凸パターン領域Ｒ１上にフッ素化合物を含有する離型層１４を備えた状態で、上記モールド１を洗浄液に浸漬して超音波洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光装置のマスクや光学系の表面に付着した炭素コンタミネーションを、当該マスクや光学系にダメージを与えることなく、効率的に分解・除去する。
【解決手段】クリーニング装置４０は、表面に炭素コンタミネーション４４が付着した多層膜ミラー４１を収容する処理室４３を備えている。処理室４３の上面には、水銀ランプ４５を備えた光照射装置４６が設置され、この水銀ランプ４５から発する波長２５４ｎｍの深紫外光が処理室４３の内部に照射される。また、処理室４３の内部には、酸素供給源５１から酸素ガスが導入され、不飽和炭化水素供給源５２からエチレンガスが導入される。処理室４３の内部に導入された酸素ガスおよびエチレンガスに深紫外光が照射されると、これらのガスから生じたイオンやラジカルが炭素コンタミネーション４４を分解する。 （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】 大面積のパターンでも熱膨張の影響を受けにくい型を提供すること。
【解決手段】 樹脂、特に好ましくはインプリント技術により成型可能な樹脂からなり被成形物200に転写するための成型パターン１ａを有する成型層１と、樹脂の熱膨張係数より低い材料、例えば金属からなる基層２とを有し、被成形物200の被成形面に対し可撓性を有するフィルム状に形成されるインプリント用型。基層２と成形層１の間に基層２及び成形層１の両方と結合する材料からなる中間層を有していても良い。 （もっと読む）

【課題】従来のアライメント方式では、テンプレート側のアライメントマークの凹凸にインプリント用の樹脂が流れ込んで該マークの信号が取れなくなり、良好なアライメントが行えない。
【解決手段】押印パターンの形成されたメサ部から離れた位置に、テンプレート側のアライメントマーク形成用で押印パターン部と同じ高さの微小メサを設ける。該アライメントマークにより押印ショットとは異なるショットのウェハー側アライメントマークを観察してアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】露光光をＰ偏光又はＳ偏光の直線偏光に変換する部材が複数本の棒状の偏光変換素子により構成されている場合に、露光パターン形成用領域に未露光の領域が残ることを防止できる露光装置、偏光変換部材及びこれらを使用した露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置１は、露光光の照射位置に露光対象部材２を供給して前記露光対象部材上に形成された露光材料を連続的に露光する。露光装置１には、露光光を出射する光源１１、露光光を直線偏光させて透過させる偏光変換部材１５、及びマスク部１２が設けられている。偏光変換部材１５は、特定の直線偏光の露光光のみを透過させる複数個の棒状の偏光変換素子がその幅方向に接触し境界面が露光対象部材２の移動方向に対して傾斜するように配置されたものである。 （もっと読む）

【課題】装置の特定の異常挙動を従来に比して高感度に検知することができる異常検知装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、装置パラメータ取得部１１は、装置の動作状態を表す装置パラメータを取得する。データ処理部１３は、装置パラメータの時系列データをフィッティング処理する。トレンド取得部１４は、フィッティング処理したデータを用いて、装置パラメータ取得時の２階微分値をトレンドの変化情報として取得する。フィッティング誤差取得部１５は、取得した装置パラメータと、フィッティング処理したデータと、のフィッティング誤差を装置パラメータの変化の度合い情報として取得する。そして、異常判定部１７は、データ挙動取得手段で取得されたトレンドの変化情報と装置パラメータの変化の度合い情報との組み合わせを、装置の動作状態が異常と判定される範囲を規定した異常判定基準情報と比較して、装置の動作状態が異常であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】モールドの表面の微細凹凸構造を物品本体の表面に転写して、微細凹凸構造を表面に有する物品を製造しながら、モールドの表面の状態を簡易にかつ正確にモニタリングできる、微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】微細凹凸構造をフィルム４２（物品本体）の表面に転写し、フィルム４２から分離後のモールド２０の表面の微細凹凸構造を有する領域のうち、微細凹凸構造がフィルム４２の表面に転写される転写領域及び微細凹凸構造がフィルム４２の表面に転写されない非転写領域に光を照射し、転写領域からの反射光及び非転写領域からの反射光を測定器３４（測定手段）で測定し、信号処理装置３６（判定手段）で転写領域からの反射光の測定データ及び非転写領域からの反射光の測定データに基いてモールド２０の表面の状態を判定し、物品への凹凸構造の転写の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】モールドに形成された所望のパターンを被成形材料へ転写して被成形物を形成する際に発生する欠陥を容易に検出する。
【解決手段】被成形物とモールド３０とを引き離す離型時に加わる力である離型力を検出し、被成形物の形成を連続して行う場合に、制御部５０によって、検出された離型力の変動から、転写後の被成形物に転写欠陥があるかどうかを判定することで実現する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、モールドの製造に複雑な工程を追加することなく、簡便な手法で、ネームマーク等が被転写基板や樹脂と接触するという問題を解消したナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】真空（減圧）条件の下で熱転写成形を行う成形装置に要する設備経費を圧縮し、かつ、時間当たりの生産性の向上も実現できる熱転写成形装置並びに及び熱転写成形方法を提供する。
【解決手段】被加工材を収容し減圧状態を維持する搬送成形ユニット１０と、加熱盤部２１を積層して備え加熱盤部同士の間に搬送成形ユニットを挟持して加熱及び加圧し搬送成形ユニット内の被加工材を加熱成形する加熱成形部２０と、冷却盤部３１を垂直方向に積層して備え冷却盤部同士の間に搬送成形ユニットを挟持して冷却及び加圧し複数の搬送成形ユニット内の被加工材を冷却する冷却部３０と、搬送成形ユニットを掴持するチャック部４１を備え搬送成形ユニットを載置かつ搬送する搬送装置４０とを有し、搬送装置が、搬送成形ユニットを加熱成形部、冷却部の前進方向の配置順で搬送する熱転写成形装置１並びに同装置１を用いた熱転写成形方法である。 （もっと読む）

【課題】反転パターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、基板上に第１パターンを形成する工程と、前記第１パターンの上部に紫外線を照射し、反転樹脂材料に対する撥液性を高める工程と、を備える。さらに、このパターン形成方法は、紫外線の照射後に、前記基板上に前記反転樹脂材料を塗布する工程と、前記反転樹脂材料の塗布後に前記第１パターンを除去し、前記反転樹脂材料を含む第２パターンを形成する工程と、前記第２パターンをマスクとして、前記基板を加工する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】離型性能の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】このインプリント装置は、基板１０上の未硬化樹脂をテンプレート７中の型７ａにより成形して硬化させ、硬化した樹脂１２からテンプレート７の撓みを伴う離型を行い、基板１０上に樹脂１２のパターンを形成する。この場合、インプリント装置は、型７ａの外縁７ｂの領域を引きつけてテンプレート７を保持するテンプレート保持部と、テンプレート保持部に対向し、基板１０を保持する基板保持部と、押型または離型を選択的に行うようにテンプレート保持部と基板保持部とを相対的に移動させる駆動機構とを有し、樹脂１２のパターンにおける離型の完了する領域が撓みによりパターンの中央の領域からずれるように、テンプレート保持部でテンプレート７を引きつけて離型を行う。 （もっと読む）