【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ８８１は、リーク電流が小さいため、画素８８０内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素８８０の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡で観察するのと同時に生体関連物質の信号情報を透明バイオセンサで取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる生体情報評価システムを提供する。
【解決手段】透明基材とその透明基材上に設けられた薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部とを有し、その薄膜トランジスタ素子部が酸化物半導体膜を有する透明バイオセンサ１０と、透明バイオセンサ１０が有する生体関連物質感応部に載置される生体関連物質から信号情報を取得する電気信号測定装置１０１と、透明バイオセンサ１０をステージ５３上にセットし、透明バイオセンサ１０に光源光６２，７４を照射して生体関連物質感応部に載置される生体関連物質を観察する顕微鏡９０とを少なくとも備え、透明バイオセンサ１０と光源光６２，７４との間に紫外線カットフィルタ５１を設けた生体情報評価システム５０により上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】良好な有機半導体単結晶薄膜／絶縁膜界面を有する有機半導体素子を製造することができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】親液性の表面Ｓ₁ を有する成長制御領域およびこの成長制御領域の一辺にこの成長制御領域と連結されて設けられた少なくとも一つの核形成制御領域を一主面に有する基体を形成する。この基体の成長制御領域および核形成制御領域に、有機半導体および有機絶縁体を溶媒に溶解させた不飽和の有機溶液を供給する。この有機溶液中の有機絶縁体を基体の一主面に沈ませることにより有機絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する。続いて、有機溶液の溶媒を蒸発させることにより、ゲート絶縁膜上に有機半導体からなる有機半導体単結晶薄膜を成長させる。この有機半導体単結晶薄膜上にソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性または半導体性を示す、新規な環状シロキサン重合体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、中心金属に遷移金属を有する構造単位（Ａ）と、隣り合う構造単位（Ａ）の間に位置し、環状シロキサン骨格を含む構造単位（Ｂ）と、を含むプラズマ重合体からなる電荷輸送層を備えている。なお、中心金属に遷移金属を有する有機金属化合物と、環状シロキサン化合物と、を反応炉でプラズマ重合させることにより、当該電荷輸送層を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する第１工程と、基板１上にゲート電極２を形成する第２工程と、ゲート電極２上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜３上に非結晶質の半導体薄膜４ａを形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜４ａ上に第２絶縁膜としてチャネル保護膜５を形成する第５工程と、チャネル保護膜５の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜４ａを結晶化させて結晶化領域を形成する第６工程と、結晶化領域の上方にソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを形成する第７工程と、を含み、第５工程において、チャネル保護膜５は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】エアギャップを備えるグラフェントランジスタ、それを備えるハイブリッドトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上のゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のグラフェンチャネルと、グラフェンチャネル上で互いに離隔しているソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の上面を覆い、グラフェンチャネル上でソース電極とドレイン電極との間にエアギャップを形成するカバーと、を備えるグラフェントランジスタ。前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記グラフェンチャネルの長さが、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域１１０は、溝部３００側面の第２面３２に面し、一部が面３１と面３２の交線と平行な方向に延在する。ドリフト領域１４０は、溝部３００のうち面３２と反対の面３３に面し、一部が面３１および面３３の交線と平行な方向に延在して設けられ、ソース領域１１０よりも低濃度に形成される。ドレイン領域１２０は、ドリフト領域１４０を介し溝部３００の反対側に位置し、ドリフト領域１４０と接するように設けられ、ドリフト領域１４０よりも高濃度に形成される。第１ゲート絶縁層２００は、溝部３００の側面のうち面３２と面３３に交わる方向の面である面３４と接するとともに、面３１上のうち少なくともチャネル領域１３０と接する。ゲート電極４００は、第１ゲート絶縁層２００上に設けられ。溝部３００はドリフト領域１４０よりも深い。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０の保護部３６は、配線下層１１Ｂと、配線下層１１Ｂとは異なるバンドギャップを有する配線上層１３を有している。配線上層１３は、第１部位４１と中間部位４３と第２部位４５を含んでいる。配線上層１３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガス層が、第１部位４１と中間部位４３の間で分離されており、第２部位４５と中間部位４３の間で分離されている。第１部位４１と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ドレイン電極２１に電気的に接続されている。第２部位４５と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ソース電極２８に電気的に接続されている。中間部位４３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ゲート電極２５に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良
を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設
けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い
表示装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度
が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギ
ャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キ
ャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノ
ーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 （もっと読む）

【課題】電界が局所的に集中することを抑制して、高耐圧化した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１ドリフト領域１４０は、平面視でソース領域１１０から離間して設けられている。第１導電型の第２ドリフト領域１５０は、平面視で第１ドリフト領域１４０のうちソース領域１１０と反対側の領域に接している。第１導電型のドレイン領域１２０は、平面視で第１ドリフト領域１４０から離間しているとともに、平面視で第２ドリフト領域１５０のうち第１ドリフト領域１４０と反対側の領域に接している。チャネル領域１３０上には、ゲート絶縁層２００およびゲート電極４００が設けられている。第１フィールドプレート絶縁層３００は、半導体基板１００上に設けられ、少なくとも平面視で第１ドリフト領域１４０と第２ドリフト領域１５０の一部と重なるように設けられている。第１フィールドプレート電極４２０は、第１フィールドプレート絶縁層３００上に接している。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから
選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた
一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満
の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を増やすことなく液晶表示装置を製造することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１透明電極１４の端部に載る第１絶縁層３０と、第１絶縁層３０下のゲート電極１８と、第１絶縁層３０上の半導体層３４と、半導体層３４上から第１透明電極１４上に至るように形成されて第１透明電極１４に電気的に接続する第１配線４６と、第１配線４６から間隔をあけて半導体層３４上から引き出された第２配線４８と、第１配線４６、第２配線４８、半導体層３４及び第１透明電極１４を覆う第２絶縁層５４と、第２絶縁層５４上に形成された第２透明電極６０と、第２透明電極６０の上に配置された液晶層６６と、を有する。第１透明電極１４と第２透明電極６０の間に印加される電圧によって、基板１０の面方向に電界を加えて、液晶層６６の液晶分子を基板１０と平行な面内で回転させる。 （もっと読む）