【課題】電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを提供する。また、電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを、生産性高く作製する。また、経年変化の少ない表示装置を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜との間に、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域を有する半導体積層体を有し、微結晶半導体領域は、ゲート絶縁膜側の窒素濃度が少なく、非晶質半導体に接する領域の窒素濃度が高く、且つ非晶質半導体との界面が凹凸状である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて生じるリーク電流を抑えつつ、表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板３０１と、基板３０１に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極３０３と、ゲート電極３０３の上側に配置される微結晶半導体層３０５と、微結晶半導体層３０５上に配置される非晶質半導体層３０６と、を有し、非晶質半導体層３０６の水素濃度が、１２ａｔｏｍ％以下である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く、スイッチング特性が良好で、順逆両方向で高耐圧が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型のエミッタ層と、エミッタ層上に設けられエミッタ層よりも不純物濃度が低い第１導電型半導体層と、第１導電型半導体層上に設けられた第２導電型半導体層と、第２導電型半導体層に接して設けられた第１の主電極と、エミッタ層に接して設けられた第２の主電極と、第２導電型半導体層の表面から第１導電型半導体層に達して形成された複数のトレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備え、第１の主電極とゲート電極とが短絡された状態で、第１の主電極と第２の主電極との間に逆方向電圧が印加されると、隣り合うゲート電極間の第１導電型半導体層内で空乏層がピンチオフするようにゲート電極間の間隔が設定されている。 （もっと読む）

【課題】３層以上の膜を成膜するに際して、第１の膜の成分が第３の膜に含まれることを防ぐ成膜方法を提供する。
【解決手段】上部電極１０４と下部電極１０２が設けられた成膜装置１００により３層以上の膜を成膜する多層膜の成膜に際して、下部電極１０２上に基板１１０を配して第１の膜１１２を成膜し、前記第１の膜１１２の形成時よりも上部電極１０４と前記基板１１０の間の距離を長くし、前記第１の膜１１２上に第２の膜１１４を成膜し、前記第２の膜１１４の形成時よりも前記上部電極１０４と前記基板１１０の間の前記距離を短くし、前記第２の膜１１４上に第３の膜１１６を成膜する。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】レジストマスクを用いて島状の酸化物半導体層を形成し、レジストマスクを除去し、酸化物半導体層に酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。レジストマスクの除去と、酸素の導入と、加熱処理を大気に触れずに連続して行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除する。また、酸化物半導体層の形成前に、酸化物半導体層が形成される絶縁層に塩素を導入してもよい。塩素の導入により、絶縁層中の水素を固定化し、絶縁層中から酸化物半導体層中への水素の拡散を防ぐとことができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が層厚方向に組成が変化する薄膜からなり、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低閾値動作が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体領域２と、半導体領域に離間して形成されたソース領域およびドレイン領域１２ａ、１２ｂと、ソース領域１２ａとドレイン領域１２ｂとの間の半導体領域上に形成され、シリコンと酸素を含む第１絶縁膜４と、第１絶縁膜上に形成され、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１つの物質と酸素を含む第２絶縁膜８と、第２絶縁膜上に形成されたゲート電極１０と、を備え、第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面７ａを含む界面領域７に、Ｇｅが導入されており、Ｇｅの面密度が、界面領域７内の第１絶縁膜４側においてピークを有している。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を提供する。または、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース配線及びドレイン配線として機能する配線との間に、微結晶シリコン膜及びシリコンカーバイド膜を有し、微結晶シリコン膜はゲート絶縁膜側に形成され、シリコンカーバイド膜は配線側に形成される。電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧を制御しやすく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、支持基板（Ｓｉ基板１）、絶縁層（埋め込み絶縁膜２）および、ＳＯＩ層（極薄Ｓｉ層３）が順に積層してなる基板と、極薄Ｓｉ層３上の少なくとも一部に設けられたトランジスタと、を備え、トランジスタの直下の極薄Ｓｉ層３が、空乏化しており、埋め込み絶縁膜２と極薄Ｓｉ層３との間の界面に、界面準位生成不純物が位置しており、界面の界面準位生成不純物の濃度は、埋め込み絶縁膜２中の界面準位生成不純物の濃度より高い。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムドープゲートを有するプログラマブルIII−窒化物トランジスタを提供する。
【解決手段】第１のIII−窒化物材料１０４と第２のIII−窒化物材料１０６との界面に形成される２次元電子ガスを有する導電チャネルを含むIII−窒化物ヘテロ接合デバイスにおいて、ゲート接点１４０の下に形成されるゲート絶縁層１１２が導電チャネルの上方に配置され、接点絶縁層１１２は界面における２次元電子ガスの形成を変更する。接点絶縁層１１２はＡｌＳｉＮ又はアルミニウムがドープされたＳｉＮとすることができる。接点絶縁層１１２はIII−窒化物ヘテロ接合デバイス１６０の閾値電圧をプログラミングしてデバイスをエンハンストモードデバイスにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタにおける半導体膜５ｂ、６ｂを、ｎ型の結晶性シリコンを含む下層部５１、６１とｐ型の結晶性シリコンを含む上層部５２、６２との二層構造にすることによれば、薄膜トランジスタ５、６の半導体膜５ｂ、６ｂにおけるオン電流の経路がインキュベーション層５ｃ、６ｃにあたらないように電流経路を上層部５２、６２寄りにシフトさせることができ、オン電流の経路を半導体膜５ｂ、６ｂにおける結晶化領域Ｒにすることによって、薄膜トランジスタ５、６のオン電流の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶核の均一化を図り、結晶性の良好な半導体膜を有する薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】表示部を備える基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース・ドレイン電極が順次積層されて構成される薄膜トランジスタを具備する表示装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜はその表面に水素を含ませて形成し、前記半導体膜は反応性熱ＣＶＤ法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＤＭＯＳトランジスタにおいて、オン抵抗とのトレードオフ関係で最適化されたオフ耐圧を低下させることなく、チャネル長を短くすることによって飽和電流を増加させる。
【解決手段】 チャネルとなる低濃度ボディ領域１０と素子分離膜４の間かつゲート酸化膜８の直下に選択的に低濃度ボディ領域１０と逆の極性で濃度が高いショートチャネル領域１２を設け、ボディ領域１０のゲート酸化膜８直下部分のみを高濃度ソース領域７側に後退させた形状を実現する。 （もっと読む）

【目的】耐放射線特性を高めることが可能な半導体集積装置及び半導体集積装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】半導体支持基板上の絶縁層の上面に形成されているシリコン薄膜層内における上記絶縁層との境界に隣接する境界近傍領域中に、この境界に近いほど不純物の濃度が高くなる領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気的特性を実現できる薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、窒化膜を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも窒化膜と接する界面部に微結晶半導体層４１が形成された半導体層４と、を備え、微結晶半導体層４１は、少なくとも窒化膜との界面付近において、窒化膜からの拡散により含有された窒素よりも高濃度の酸素を含むものである。 （もっと読む）

【目的】ゲート酸化膜の信頼性を確保しながらＢ（ボロン）の吸い出し現象やＰ（リン）のパイルアップ現象を補償して正常に動作するＭＯＳＦＥＴ素子を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型拡散層９の表面層にｐ型拡散層１０を形成し、その後のゲート酸化膜１１の形成により生じたＢ（ボロン）の吸い出し現象やＰ（リン）のパイルアップ現象を９００℃以上の熱処理をすることで補償し、ｎ型化したｐ型拡散層１０の表面をｐ型に戻して、ゲート酸化膜１１の信頼性を確保しながら、正常に動作するＭＯＳＦＥＴ素子を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接し、且つ凹凸状の微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体層と、半導体層の一部に接し、不純物半導体層と、不純物半導体層に接する配線と、微結晶半導体領域及び配線の間に形成される第１の酸化物領域と、非晶質半導体領域及び配線の間に形成される第２の酸化物領域とを有し、エネルギー分散型Ｘ線分光法において測定される、配線を構成する元素のプロファイル及び半導体層を構成する元素のプロファイルの交点から、半導体層側において、第１の酸化物領域における酸素プロファイルの最大傾き接線ｍ１及び第２の酸化物領域における酸素プロファイルの最大傾き接線ｍ２は、１＜ｍ１／ｍ２＜１０である薄膜トランジスタである。 （もっと読む）