【課題】冷却効率と省スペース化とを両立したヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の歯部１２を有する櫛形材１０と、各々の歯部１２，１２の間に、コルゲート加工を施した複数のコルゲートフィン１７，１７を配設し、ろう付け加工により櫛形材１０およびコルゲートフィン１７を一体に接合したヒートシンクの製造方法であって、コルゲートフィン１７を歯部１２，１２間で複数分割した構成とし、これらのコルゲートフィン１７どうしの間に、コルゲートフィン１７を歯部１２に押しつけるスペーサ１９を挿入した状態で加熱処理してこれら櫛形材１０およびコルゲートフィン１７をろう付けする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張制御の為Ｍｏのように硬い金属を含むヒートシンクであっても、精度良く容易に製造することができるヒートシンクを提供すること。
【解決手段】レーザーダイオード２を載置する載置面１ａと、載置面１ａに隣接しレーザーダイオード２の発光面２ａに対して同一面上に配置される端面１ｂとを有している。ヒートシンク１の基材３の表面を基材３よりも軟らかい材質のメッキ層で厚手に被覆し、被覆された載置面１ａと端面１ｂとのコーティング層４ａ，４ｂをダイヤモンドバイトなどで切削加工した後、レーザーダイオード２の発光面２ａとヒートシンク１の端面１ｂを同一面上に配置するようにした。レーザーダイオードとヒートシンクはインジウムや金錫半田などで高い平面性を持って高精度に接合する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】ＴＩＭとの密着性の向上を実現できる放熱板の製造方法を提供する。
【解決手段】銅製のリッド表面にニッケルメッキを生成した後に、リッドに付着したメッキ浴を温水で洗い流し、リッドに付着した水分をエアブローによって吹き飛ばす。その後、６０℃以上８０℃未満の温度で１分以上３分未満の時間といった条件でリッドの乾燥を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域１１１に対応する容器１２内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクをモールド樹脂により封止してなる樹脂封止型の電子装置において、ヒートシンクとモールド樹脂との剥離を抑制する。
【解決手段】電子部品４０、４１が実装された配線基板２０を、ヒートシンク１０の一面１１上に搭載し、ヒートシンク１０、電子部品４０、４１および配線基板２０をモールド樹脂８０により封止してなる電子装置において、ヒートシンク１０の表面のうち少なくともモールド樹脂８０と接する部位には、無電解メッキにてＮｉをメッキすることにより形成された無電解Ｎｉメッキ膜１０ａが形成されており、この無電解Ｎｉメッキ膜１０ａの表面は、凹凸形状を持つように粗化されている。 （もっと読む）

【課題】放熱部を容易に変更することができる構造としてあるヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品の熱を放熱するヒートシンク１において、電子部品に当接する当接面１６を有したヒートシンク本体１１と、当接面１６の反対側の表側面１７に接合する接合面２３を有した放熱部材２１とを備えている。ヒートシンク１はヒートシンク本体１１と放熱部材２１とが別部材により構成されているので、放熱容量にあわせて、適切な形状の放熱部材２１を選択でき、また、適切な数量の放熱部材２１を設けることができるものとなっている。すなわち、容易にヒートシンクの形状、または放熱容量を変更して、適宜適切なヒートシンクとすることができる。 （もっと読む）

【課題】板材に放熱口を形成することにより放熱性を高めるのに十分な多数のエッヂを形成するとともに、製造に多くの手数を要さない簡易な構成とすることにより、廉価な製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】複数個の放熱口3を開口した板材2を、一対の対向した側壁6を有する長尺な立体形状に折曲して立体部7を形成することによりフィン部材1とする。そして、このフィン部材1の側壁6をヒートシンク本体11に接続固定する。 （もっと読む）

【課題】放熱基板に反りが発生することなく、しかも簡単かつ安価にパワーモジュール用ベースを製造しうる方法を提供する。
【解決手段】この方法は、アルミニウム製放熱フィン形成部材８を挟んで２枚のアルミニウム製放熱基板２を配置し、ついで各放熱基板２における放熱フィン形成部材８側を向いた面とは反対側の面に、絶縁基板３を、配線層５が放熱基板２とは反対側を向くように積層し、その後放熱フィン形成部材８と両放熱基板２、および両放熱基板２と両絶縁基板３とをそれぞれ同時にろう付することを含む。このろう付後、放熱フィン形成部材８をその高さ方向の中間部で切断することにより、放熱基板２、絶縁基板３、配線層５および放熱フィン４からなる２つのパワーモジュール用ベースを同時に製造する。 （もっと読む）

【課題】リング状窪みの中央部を隆起させる後者の方法にて突起を形成した半導体基板用放熱板において、充分な接合力が得られるはんだ層厚さを確保しながら、はんだ欠陥の生成を安定して防止し、かつ冷却フィンとの接触性を良好に確保できるものを提供する。
【解決手段】 半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金からなる放熱板であって、板面に半導体基板と放熱板の間隔を確保するための突起を有し、前記突起は下記（１）式および（２）式を満たすようにプレス加工により周囲に窪みを付けることによって形成された、下記（３）式を満たす柱状（ただし上面は曲面であって構わない）の形状を有するものである半導体基板用放熱板。（選択図参照）。
０.１≦ｈ₁≦１.０…（１）、３０≦θ₁≦９０…（２）、０.０５≦ｈ₀≦０.５…（３） （もっと読む）

【課題】 作動流体との接触面積を増大させるようにマイクロチャンネルを有するヒートシンクを提供する。
【解決手段】 冷却される対象物が外部に接触設置されるものであって、その内部に複数の流路を形成するマイクロチャンネルが形成された冷却ゾーンと、作動流体が流入される流入部と、流入部と冷却ゾーンとの間に位置し、流入部を通じて流入された作動流体をマイクロチャンネルに分配させる分配部と、冷却ゾーンを経由した作動流体が流出される流出部と、冷却ゾーンと流出部との間に位置し、マイクロチャンネルを通過した流体を収集する収集部とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブがコーティングされた放熱板及びその製造方法が提供される。
【解決手段】所定の容器または部品などから発生される熱を熱交換を通じて外部に放出する放熱板の表面上に炭素ナノチューブを分散コーティングまたは図案コーティングして炭素ナノチューブ構造物を形成することによって、熱放出特性を向上させて、放熱板の大きさを減らすことができ、これによって、電子素子の小型化が可能になり、高集積化された電子回路チップの熱放出問題を解決することによって、動作回路の寿命と性能とを向上させることができる。 （もっと読む）

高電力半導体構成要素構造は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。ヒートシンクが、半導体デバイスからの熱が第１のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。ヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。
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【課題】 放熱板を簡単に装着でき、熱放散性に優れた半導体モジュールおよびこれに用いる半導体モジュール用放熱板を提供する。
【解決手段】 回路基板１１の両面に半導体素子１７が搭載され、該半導体素子を覆って回路基板の両面に放熱板１２ａ、１２ｂが取り付けられた半導体モジュール１０において、前記回路基板１１に、前記放熱板１２ａ、１２ｂを取り付ける取付孔が形成され、前記回路基板１１の両面に取り付けられた放熱板１２ａ、１２ｂの双方に、前記半導体素子１１を収納する収納凹部１８と、前記取付孔が形成された部位に重複する位置に取付縁部２５が設けられるとともに、該取付縁部２５には前記取付孔に位置合わせして、前記双方の放熱板１２ａ、１２ｂを前記回路基板１１にかしめ固定する固定手段２０が前記放熱板１２ａ、１２ｂと一体に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

この発明は、自立複合エレメント及びそれを製造する方法に関するものである。この複合エレメントは、電気伝導性材料の基材とそれを覆う本質的に基材と垂直な平面に沿って配向した金属ナノワイヤよりなる。基材の厚みは、数？ｍから数百？ｍに及ぶ。このエレメントは、被覆されるべき基材により形成されたカソード、少なくとも一つのアノード及び金属材料の前駆物質の溶液により形成され適宜伝導性のイオン性塩を含む電解液、カソードと各アノードとの間に置かれた平坦な多孔性膜及び各膜とそれに隣接するアノードとの間のスペーサーエレメントを含むセルにおいて製造され、該セルの種々の構成部品は、接触を保っている。
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【課題】カーボン又はグラファイトからなる多孔質焼結体と金属との密着性を向上させ、しかも、カーボン又はグラファイトと金属との界面においてカーバイド層を形成し易くし、ヒートシンク材としての熱伝導率、熱膨張率及び強度を備えるようにする。
【解決手段】ヒートシンク材１０は、カーボン又はグラファイトを焼成してネットワーク化することによって得られる多孔質焼結体１２に金属１４が含浸されて構成されている。多孔質焼結体１２に含浸される金属１４に、多孔質焼結体１２との界面の密着性改善のための元素が添加されている。特に、この実施の形態では、界面の濡れ性改善のための添加元素として、Ｆｅ（鉄）を用いた。Ｆｅが０．０１〜４ｗｔ％添加されていることが好ましい。金属１４に、湯流れ性を向上させるため、Ｓｉを添加することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーはんだを適用した場合に、はんだボイドの生成が顕著に抑制され、高い接合面強度が安定して発揮される半導体装置用の放熱板を提供する。
【解決手段】板の圧延方向をＬ方向、圧延方向と板厚方向とに垂直な方向をＴ方向と呼ぶとき、オーバーハング部を有し且つＬ方向の径が３μｍ以上である窪みが、Ｌ方向に５０μｍ以上の長さＸ（μｍ）にわたって、下記（Ａ）に従うＬ方向の密度で連なって形成される「筋状カブリ」の存在密度が、Ｔ方向１ｍｍあたりに３本以下である銅または銅合金の板からなる半導体装置用の放熱板。（Ａ）前記長さＸの中に存在する各窪みのＬ方向の径を合計した値をＤ_TOTAL（μｍ）とするとき、下記(１)式を満たすこと。
Ｄ_TOTAL／Ｘ＞０.１ ……(１) （もっと読む）

【課題】 従来の後貼り方式で発生する問題である、コストアップを生じる工程の複雑さの問題、貼り付け精度が低下する問題、半導体パッケージの設計が制限される問題を解決することを可能とし、かつ、従来の先貼り方式で発生する問題である、接着剤がはみ出す問題、半導体パッケージ組立て時の搬送不良の問題、位置ズレ不良の問題、および、最終的な半導体パッケージとしての外観上の問題を解決しうる接着剤付き金属板の製造方法およびこれに用いるプレス用金型を提供する。
【解決手段】 ストリッパ（５ｂ）は、押さえ面（Ｈ）のパンチ側端部に、接着剤（２）の厚さの５０％以上の高さで、かつ、所定の幅（Ｄ）で、押さえ面（Ｈ）から隆起する隆起部分が形成される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できると共に、信頼性を高めることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子５はヒートスプレッダ９を搭載している。ヒートスプレッダ９の半導体素子５側の表面の面積は、半導体素子５のヒートスプレッダ９側の表面の面積と略同じである。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップなどの冷却用放熱フィンの熱伝導性向上。
【解決手段】 接続体２２、複数の放熱フィン２１からなる。該放熱フィン及び接続体は、熱伝導材料で、金属及びダイヤモンド構造を含む炭素からなり、接続体下面に半導体デバイスなどの発熱源を密着して熱伝導により放熱する。
接続体及び放熱フィンは、ダイヤモンド構造の炭素微粒子を含むアルミニウム又は銅などの金属のダイキャスティングにより形成する。
或いは、金属からなる接続体及び放熱フィン表面にダイヤモンド構造の炭素からなる皮膜をＣＶＤなどにより形成しても良い。
ダイヤモンド構造の炭素は極めて熱伝導性が高く、放熱効果を向上する。 （もっと読む）

半導体コンポーネントが導電性ヒートシンク（１６）へ半田付けされているモジュール（１８，１６）が形成されている。導電性ヒートシンク（１６）は電子デバイスの中で電気バス（２２）として機能するように形成されている。半導体コンポーネントのチップはヒートシンク（１６）の表面へ冶金的に結合されている。ヒートシンク（１６）はその内部を流れる熱伝導流体を使用している。ヒートシンクの内部は内部要素（２４）を含む。好ましい実施の形態においては、内部要素は銀めっきされた複数の銅ボールである。組み付けプロセスのときに、銅ボール（２４）は互いに対しても、ヒートシンクの壁に対してもろう付けされる。基本的に、ヒートシンクハウジングは銅で形成されている。その一つの表面はモリブデンで形成されており、ヒートシンクハウジング（１６１）のモリブデン表面の膨張及び収縮がチップのシリコン基板のそれと同様である。それにより、熱による曲げに起因してチップ基板にクラックや割れが生じるという問題が避けられる。
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