【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。処理流体導入口２５から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Ｗに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板Ｗ上の窒化膜がエッチングされる。処理室１１の内壁は、処理室ヒータユニット５０によって加熱される。均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】占有面積の増加を招くことなくハンド洗浄のための構成を設けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インデクサロボット１１と、主搬送ロボット１２と、処理ユニット６と、受渡ユニット９と、ハンド洗浄ユニット１５とを含む。インデクサロボット１１および主搬送ロボット１２は、基板を保持するインデクサハンド２０および主搬送ハンド３０をそれぞれ有している。インデクサロボット１１と主搬送ロボット１２とは、受渡ユニット９を介して基板を受渡する。ハンド洗浄ユニット１５は、受渡ユニット９の上方または下方に配置され、インデクサハンド２０および主搬送ハンド３０を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】簡素な手法で、行われる液処理に適した処理雰囲気を形成することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】筐体内の処理空間２１で被処理基板Ｗの表面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置２において、回転保持部３３、３４１は被処理基板Ｗを保持して鉛直軸周りに回転させ、処理液供給ノズル３５は回転する被処理基板Ｗの表面に処理液を供給する。第１の気体供給部２３は、前記液処理に適した処理雰囲気を形成するために、被処理基板Ｗの表面全体を流れ、カップ３１に流入する第１の気体の下降流を形成し、第２の気体供給部２２はこの第１の気体の下降流の外方領域に、前記第１の気体とは異なる第２の気体の下降流を形成する。そして第１の気体供給部２３及び第２の気体供給部２２は、前記処理空間２１を成す筐体の天井部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェット処理対象のうちのチャックに対向するチャック対向面にウェット処理液が付着することを低減すること。
【解決手段】チャック１は、噴出口１６から気体２４を噴出させることによりウェット処理対象７を保持する。ノズル３は、ウェット処理対象７のうちのチャック１に対向するチャック対向面２２の裏側のウェット処理対象面２３にウェット処理液８を供給する。噴出口１６は、閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、その閉曲線のうちの任意の点からウェット処理対象７の外周１４、１５までの距離が一定であるように、形成されている。このようなウェット処理装置１０は、噴出口１６から噴出した気体２４がウェット処理対象７の外周１４、１５とチャック１とに挟まれた隙間からに均一に噴出されることにより、チャック１に対向するチャック対向面２２にウェット処理液８が付着することを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１は、被処理体Ｗに対して処理液を供給して被処理体Ｗを液処理する複数の液処理部３と、複数の液処理部３内の雰囲気を排出する共通排気路６と、液処理部３の各々と共通排気路６とを連結する個別排気路３５と、個別排気路３５に開閉自在に設けられた開閉機構５と、共通排気路６に外気を取り込む外気取込部６５と、を備えている。共通排気路６には、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁が設けられている。制御部１００は、開閉機構５の各々の開閉状態に基づいて、取込量調整弁の開度を制御するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に超音波を照射することにより除去された異物が被洗浄物へ再付着することを防止することができる超音波洗浄装置の提供。
【解決手段】超音波洗浄装置であって、少なくとも、超音波を超音波振動子から洗浄液に伝える振動部材と洗浄液の噴出口と吸引口と、を備えており、
前記振動部材は平板状の剛体であり、平板状の超音波振動子に接合されており、
前記洗浄液の噴出口と吸引口は、前期振動部材の表面または前記振動部材が、被洗浄物が載置された平面に形成する垂直投影の内側に配置されていること、を特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルを保持するノズルアーム４とを含む。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。ノズルアーム４の少なくとも一部の直交断面Ｃ１は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している頂部４５と、頂部４５より側方に位置している側部４２と、頂部４５から側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノズルから噴射される処理液の液滴の大きさおよび速度のばらつきを抑制し、ノズルの大型化を抑制すること。
【解決手段】ノズル４は、本体２６と圧電素子１４とを含む。本体２６は、処理液が供給される供給口２９と、処理液を排出する排出口３０と、供給口２９と排出口３０とを接続する処理液流通路３１と、処理液を吐出する複数の吐出口３３とを含む。処理液流通路３１は、複数の分岐流路３６を含む。複数の分岐流路３６は、供給口２９と排出口３０との間で分岐し、供給口２９と排出口３０との間で集合している。複数の吐出口３３は、複数の分岐流路３６にそれぞれ対応する複数の列Ｌ１を構成している。複数の吐出口３３は、対応する分岐流路３６に沿って配列されていると共に、対応する分岐流路３６に接続されている。圧電素子１４は、複数の分岐流路３６を流れる処理液に振動を付与する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液の流量変動を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック２と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給ノズル３を備えている。処理液は処理液タンク５に貯留され、処理液タンク５と処理液供給ノズル３との間には処理液供給配管４が設けられている。処理液供給配管４の途中部には、ポンプ６、温調用ヒータ７、フィルタ８が設けられている。分岐部Ｊ１には処理液帰還配管１２が分岐接続され、処理液帰還配管１２は処理液タンク５に導かれている。分岐部Ｊ１よりも下流側の処理液供給配管４には、供給流量調節バルブ９、流量計１０、供給バルブ１１が介装されている。供給流量調節バルブ９と流量計１０との間の分岐部Ｊ２には処理液分岐配管１５が分岐接続され、処理液分岐配管１５にはオリフィス１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄する回転ブラシに、汚染粒子が静電吸着されることを防止することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板９を搬送する搬送機構２と、基板９との摩擦によりマイナスに帯電する材料で形成され、基板９に接触して回転することにより基板９に付着している汚染粒子を除去する回転ブラシ３と、マイナスに帯電している微小気泡を含む洗浄液を回転ブラシ３に向けて供給する第１洗浄液供給部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理流体ノズルから吐出した処理液により、半導体ウエハのような基板の上の異物を洗浄処理するときに、処理液が基板上に拡散することを抑制するとともに、一度基板から脱離した異物の基板外へ除去を効果的にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理流体ノズルの周囲を囲んで配置され一方向に開口部を設けた形に形成され、基板に対し気体を放出するように構成されている拡散抑制部と、拡散抑制部を移動させる移動部とを備え、処理流体ノズルにより処理液が吐出する際に、拡散抑制部の開口部が基板の周縁部に向くように移動部が拡散抑制部を移動することにより、処理液の拡散による基板のダメージを抑制し、処理液及び異物の基板外への除去を効果的にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）