説明

Fターム[5F157BB22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの取付け、配置 (1,188)

Fターム[5F157BB22]の下位に属するFターム

Fターム[5F157BB22]に分類される特許

61 - 80 / 700


【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201と、現像液ノズル142との間に設けられた中間貯槽203と、現像液に直流電圧を印加する電極204と、電極204に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット205と、中間貯槽203へ洗浄液を供給する洗浄液供給管210と、中間貯槽203から洗浄液を排出する廃液管220と、を有している。電極204は、中間貯槽203に設けられている。 (もっと読む)


【課題】フィルタの寿命を延ばすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wに供給される処理液をろ過するフィルタ16を内部で保持するハウジング17と、ハウジング17に保持されている状態のフィルタ16に液滴を衝突させるスプレーノズル23とを含む。フィルタ16に付着している異物は、液滴の衝突によって除去される。 (もっと読む)


【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる2流体ノズル及び同2流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、液体吐出部(48)から吐出した処理液と気体吐出口(52)から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する2流体ノズル(34)及び同2流体ノズル(34)を用いた基板液処理装置(1)並びに基板液処理方法において、液体吐出部(48)は、気体吐出口(52)の内側に円周中心部に対して外側方向へ向けて処理液を吐出する複数の液体吐出口(47)を同一円周上に配置することにした。 (もっと読む)


【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201から現像液ノズル142へ現像液を供給するための現像液供給管202と、現像液供給管202に設けられ、現像液供給管202中の現像液に直流電圧を印加する電極212と、電極212に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット213と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源216と、現像液供給管202に接続され、洗浄液供給源216から現像液供給管202に洗浄液を供給するための洗浄液供給管215と、現像液供給管202における電極213が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管202から排出する廃液管220と、を有している。 (もっと読む)


【課題】吐出ヘッドを保持するノズルアームに起因した汚染を防止することができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】吐出ヘッドを保持するノズルアーム62は、旋回駆動部63によって基板Wの上方の処理位置と基板Wを取り囲む処理カップよりも外側の待機位置との間で移動される。基板Wの洗浄処理を行ったノズルアーム62が待機位置に位置しているときに、シャワーノズル71から斜め下方のノズルアーム62に向けて洗浄液が噴出される。斜め下方に向けて噴出される洗浄液の液流を3本のノズルアーム62が横切るように昇降することにより、3本のノズルアーム62が順次に洗浄される。その後、乾燥ガスノズル76からノズルアーム62に窒素ガスを吹き付けてアームに付着している洗浄液を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面から除去対象物を良好に除去して、除去対象物が残存することによる基板の表面の処理に与える悪影響を抑制すること。
【解決手段】本発明では、基板(5)の裏面の除去対象物を除去する基板処理方法(基板処理システム1)において、基板支持体(34)で基板(5)の外周端を支持し、基板(5)の裏面の内周部から基板支持体(34)の近傍までの所定の処理範囲(50)で除去対象物を除去する裏面処理工程(裏面処理装置10)と、基板(5)の裏面の外周端から内周側の所定の処理範囲(71)で除去対象物を除去する裏面周縁部処理工程(裏面周縁部処理装置11)とを有し、裏面処理工程(裏面処理装置10)での処理範囲(50)と裏面周縁部処理工程(裏面周縁部処理装置11)での処理範囲(71)とが重なる重畳処理範囲(72)を設けることにした。 (もっと読む)


【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な手順によって、Si−H終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、HF系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、HF濃度が2500ppm以下のHF水溶液でリンスする希薄DHFリンス工程と、を備え、前記HF系薬液は、前記希薄DHFリンス工程で用いられるHF水溶液よりも高いHF濃度を有するHF水溶液からなるか、若しくは複数種のHF系薬剤を混合してなる。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 (もっと読む)


【課題】基板の搬送時間を短縮することができる基板搬送装置における基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】メインロボットMRは、複数の基板保持ハンド14a,14bと、複数の基板保持ハンド16a,16bと、複数の基板保持ハンド14a,14bを移動させる上進退駆動機構29と、複数の基板保持ハンド16a,16bを移動させる下進退駆動機構30とを含む。メインロボットMRは、各基板保持ハンド14a,14b,16a,16bを用いて基板保持位置に対して基板を搬入および搬出することができ、複数の基板保持位置の間で基板を搬送することができる。 (もっと読む)


【課題】基板が汚れるのを抑えること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の第一面に噴霧状の液状体を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された前記基板の外周に前記第一面とは反対の第二面又は前記基板の端部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と、前記基板保持部に保持された前記基板に対して前記ノズルから前記液状体が吐出されている状態で、前記気体噴出部に前記気体を噴出させる制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】ノズルを支持するノズル支持アームに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21および当該基板保持部21の周囲に配設されるカップ40が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82とを備えている。ノズル支持アーム82には、ノズル支持アーム82の先端面82eに向けてガスを噴出するガス噴出機構75が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハWの上方に設けられ、ウエハWに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル65と、処理流体ノズル65に薬液を供給する処理流体供給機構70と、処理流体ノズル65によりウエハWに薬液が吐出される際にウエハWを上方から覆うことができるカバー機構60と、を備えている。カバー機構60は、カバー機構60がウエハWを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構78により上下方向に駆動される。また液処理装置10は、カバー機構60が上昇位置にある時にカバー機構60とウエハWとの間でウエハWをカバー機構60から遮蔽することができる遮蔽機構30をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハWの上方に設けられ、ウエハWに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル65と、処理流体ノズル65に薬液を供給する処理流体供給機構70と、処理流体ノズル65によりウエハWに薬液が吐出される際にウエハWを上方から覆うことができるカバー機構60と、を備えている。カバー機構60は、カバー機構60がウエハWを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構78により上下方向に駆動される。また液処理装置10は、カバー機構60が上昇位置にある時にウエハWをカバー機構60から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード31をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄液を基板裏面側の接着剤に接触させないようにしながら、確実かつ効率的に基板表面を洗浄できるようにする。
【解決手段】基板洗浄装置10は、基板12を下向き姿勢で支持できる基板支持部16と、液体支持面22を有する洗浄板24であって、基板支持部16に支持された基板12の第1面12aに液体支持面22が所定寸法の隙間Gを介して対向できる作業位置に、上向き姿勢で配置される洗浄板24と、洗浄板24の液体支持面22の中央領域22aに洗浄液を供給する洗浄液供給部26と、洗浄板24を、液体支持面22に略直交する洗浄板軸線24aを中心に回転させる洗浄板駆動部28とを備える。基板洗浄装置10は、洗浄板軸線24aを中心に回転する洗浄板24の液体支持面22に沿って流動する洗浄液を、基板12の第1面12aに接触させて、第1面12aを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が10〜90である炭素数2〜4のオキシアルキレン基と、アニオン性基(カルボン酸基を除く)又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25℃におけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】薬液の消費量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板1を移動しながら、薬液2が入った薬液タンク23から、可変出力ポンプ25及び制御弁80が設けられた配管24を介して、薬液ノズル21へ薬液2を供給し、薬液ノズル21から基板1へ薬液2を吐出する。薬液ノズル21から基板1へ吐出した薬液2を回収して薬液タンク23へ戻し、薬液タンク23から薬液ノズル21へ供給する薬液2の濃度を検出し、薬液2の濃度の検出結果に応じ、可変出力ポンプ25を制御し又は制御弁80を作動させて、薬液タンク23から配管24を介して薬液ノズル21へ供給する薬液2の量を変更する。 (もっと読む)


61 - 80 / 700