【課題】この発明は基板を損傷させずに確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板が供給される処理槽１と、処理槽の基板の被処理面に、マイナスの電荷が帯電しそのマイナスの電荷にプラスの電荷が静電結合したナノバブルを含む処理液を供給する処理液供給ノズル１６と、処理液供給ノズルから基板に供給された処理液に向かって供給され、その処理液に含まれるナノバブルのマイナスの電荷に静電結合したプラスの電荷を除去しナノバブルの静電気による平衡状態を消失させてナノバブルを破裂させる作動液を供給する作動液供給ノズル２２ａ，２２ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】
ウェハキャリア洗浄／乾燥装置と方法を開示する。
【解決手段】
キャリアを洗浄および乾燥させる装置であって、キャリアを保持するチャンバを含んでおり、該チャンバはその内部にキャリア外部噴射システムとキャリア内部噴射システムとを含んでおり、該キャリア外部噴射システムは、流体を前記キャリアの外面上に噴射する少なくとも１つのスロットを含んでおり、前記キャリア内部噴射システムは、流体を前記キャリア内部に噴射する少なくとも１つのスロットを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａと、保持部１によって保持された被処理体Ｗの裏面側に配置され、被処理体Ｗを経た処理液を貯留する貯留部２３と、を備えている。第一筐体１０および第二筐体２０の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体１０と第二筐体２０とが当接および離隔可能となっている。 （もっと読む）

【課題】トッププレートで基板の上方を覆う基板処理装置において、基板処理装置の小型化や処理能力の向上を図るとともに、基板を良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置において、基板の下方に回動自在に配置され、前記基板を保持するターンテーブルと、前記ターンテーブルを回転させる回転駆動機構と、前記基板の上方に回動自在に配置され、前記基板の上方を覆うトッププレートと、前記ターンテーブルと前記トッププレートとの間に形成された処理流体流路に処理流体を供給する処理流体供給手段と、前記処理流体流路を挟んで前記ターンテーブル及び前記トッププレートそれぞれに非接触状態で引き合うように設けた磁石とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材２１には、スカート部８０が備えられている。スカート部８０の垂下部８１の下端部は、液体貯留部７０に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断板のプレート部６０の内部に、その中央領域から周辺領域の気体噴出口８０に向かって気体を流通させる気体通路８４を形成し、気体通路の途中を部分的に狭隘にし、その狭隘通路部分１２６とプレート部の下面側とを連通させる吸引細孔１２８を形成して、気体通路にエジェクタ部１１６を設け、吸引細孔の、プレート部の下面に開口する吸い込み口１３０を、気体噴出口よりプレート部下面の中心寄りに配置する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する保持電極板５を備えている。保持電極板５には、直流回路２２の電源の負極が接続されている。保持電極板５の上方には、対向電極板１０が設けられている。対向電極板１０には、直流回路２２の電源の正極が接続されている。対向電極板１０と、ウエハＷの表面とを隙間ｄを隔てて対向させ、対向電極板１０と保持電極板５との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからＳＰＭが供給される。 （もっと読む）

【課題】ノズルからの処理液の落下による基板の欠陥の発生が防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液ノズル２１の上部に形成された現像液供給口２３から下方に延びるように現像液流路２１ａが形成されている。現像液流路２１ａの一端部から斜め上方に延びるように液貯留空間２１ｂが形成されている。液貯留空間２１ｂの上端部から各現像液吐出口２２に向かって下方に延びるように、５つの現像液流路２１ｃが形成されている。また、液貯留空間２１ｂから上方に延びるように液吸引路２４が形成されている。液吸引路２４には、吸引管２５を介して吸引装置ＳＤが接続されている。バルブＶ３を開くことにより、吸引装置ＳＤによって液貯留空間２１ｂ内の現像液が吸引される。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、スピンベース６から離隔させた状態でウエハＷを水平に保持する複数個の挟持部材７を有するスピンチャック２を備えている。ウエハＷとスピンベース６との間には区画板３２が配置されている。ウエハＷとスピンベース６との間の空間は、区画板３２によって基板側の空間Ｓ１ａとベース部材側の空間Ｓ１ｂとに区画されている。下側処理液吐出口３７から処理液が吐出されることにより、基板側の空間Ｓ１ａに処理液が供給され、ウエハＷの下面が処理される。また、洗浄液吐出口３０から洗浄液が吐出されることにより、ベース部材側の空間Ｓ１ｂに洗浄液が供給され、スピンベース６の上面６ａおよび区画板３２の下面３２ｂが洗浄される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、ブラシから異物を確実に除去できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシ１８およびブラシ洗浄液供給機構５３を備えている。ブラシ１８は、基板に接触する接触面４５,４６を外表面に有し、内方から接触面４５,４６に向けてブラシ洗浄液を供給するためのブラシ洗浄液導入孔４７が形成されている。ブラシ１８は、所定の基板処理位置で接触面４５,４６を基板に接触させて当該基板を洗浄する。ブラシ１８が前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置には、当該ブラシ１８を収容するための待機ポッド２１が設けられている。また、ブラシ洗浄液供給機構５３は、待機ポッド２１の底部５１に設けられており、ブラシ洗浄液導入孔４７にブラシ洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して良好なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。基板の主面上でのエッチング液の滞留を防止または抑制することができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板支持部材３と、ウエハＷおよび基板支持部材３を回転させるスピンチャック４とを備える。基板支持部材３の上面には、円筒状の収容凹所１３および平坦な第１円環状面１２が形成されている。第１円環状面１２は、収容凹所１３内に保持されたウエハＷの上面に、第１円環状面１２上のフッ硝酸とウエハＷの上面上のフッ硝酸とが連続した液膜を形成するように接近して配置されている。第１円環状面１２には、サンドブラスト加工（親液化処理）が施されている。 （もっと読む）

【課題】脆弱かつ微細なパターンが形成されたウエハ表面に付着した異物をパターン破壊をすることなく効率良く洗浄を行うことが可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】円柱状の超音波振動体の円周側面と円筒状外囲体とで作るギャップを通して、洗浄液を継続的にウエハ表面に供給し、ウエハ表面と振動体との間隙の超音波照射領域に流入する流れ成分と、外囲体外部に流出する流れ成分とに分流させ、そして、超音波洗浄で異物が混入した振動体―ウエハの間隙への流入洗浄液成分を振動体円柱の中心軸に沿って形成された通路から吸引して洗浄系外に排出するような構成を有する超音波振動体方式の枚葉式超音波スピン洗浄装置とする。これで、超音波で分離された異物がウエハ表面に再付着するのを防げ、洗浄効率が高く短時間で所望のクリーン度を実現する超音波洗浄装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】設置スペースの自由度の高い超音波洗浄装置の提供にある。
【解決手段】本発明の超音波洗浄装置は、筐体１１と、該筐体の先端部に取り付けられ吐出孔の直径が一定の直線状丸孔に形成され、かつ後端部面がその外縁から前記吐出孔に向かって所定の傾斜角で下降する円錐状に形成されたノズル１２と、該ノズルの後端部に対向して配置された円板状の超音波振動子１３と、前記筐体の側面に形成された伝達液供給口１７及び排出口１８とを備えた超音波洗浄装置であって、前記ノズルの吐出孔に連設して、該吐出孔から供給された伝達液を保持するとともに超音波振動子からの超音波を被洗浄物に対し伝達・照射するため超音波伝達管２０を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対向部材を極めて微小な間隔を隔てて対向配置させて基板に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４の対向面には、中央部吐出口１２と多数個の周縁部吐出口１９とが形成されている。遮断板保持体１７は、ボールブッシュ機構２３を介してアーム１０に取り付けられている。そのため、遮断板保持体１７および遮断板４は、アーム１０に対して上下方向に変位可能に保持される。周縁部吐出口１９からの不活性ガスの吐出によって、遮断板４に、鉛直上向きの離反方向力が作用し、遮断板４はアーム１０に対して鉛直上向きに相対変位する。遮断板４は、この離反方向力と遮断板４等に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】液ナイフから基板上に不要な処理液が滴下するのを防止し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６を備える。液ナイフ１６の下方には、当該液ナイフ１６から滴下するリンス液を捕液する液受け部材３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法
【解決手段】開示されるのは、ウエハ状物品Ｗの周縁領域をウェット処理するための装置（１）である。装置は、ウエハ状物品をその端部において保持して回転させるための保持手段（２０，５０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第１の液体処理ユニット（３０）と、周縁領域に向けて液体を供給するための第２の液体処理ユニット（６０）とを含む。保持手段は、ウエハ状物品をその端部において駆動するためのローラ（２３，５３）を含む。第１の液体処理ユニットは、第１の液体を提供して周縁領域の第１の区域を濡らすための第１の液体キャリアと、第１の液体キャリアに液体を供給するための第１の液体供給ノズルと、第１の液体キャリアから液体を除去するための第１の液体排出路とを含む。第２の液体処理ユニットは、第２の液体を提供して周縁領域の第２の区域を濡らすための第２の液体キャリアと、第２の液体キャリアに液体を供給するための第２の液体供給ノズルと、第２の液体キャリアから液体を除去するための第２の液体排出路と、第２のガス処理部であって、第２の液体によって処理された周縁領域に向けてガスを供給して周縁領域から第２の液体の大半を除去するためのガス供給ノズルと、ガス及び除去された液体を排出するためのガス排出路とを含む第２のガス処理部と、を含む。更に、関連の方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）