【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】噴射する液滴の粒径を一層均一に微小化することにより、基板上に形成された微細素子へのダメージを防止し、微小異物の洗浄が可能となる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄基板８０が載置される基板載置部７０と、微小液滴を生成、加速する気体を供給する気体供給部５０と、微小気泡を発生して微小気泡含有液を生成する微小気泡含有液生成部６０と、微小液滴を噴射する２流体ノズル１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Ｗの被処理面Ｗａの少なくとも一部を被覆する被覆手段１３を備え、保持手段１１に保持された被処理物Ｗの被処理面Ｗａと被覆手段１３との間に間隙ｇを形成した状態にて、処理液供給手段１４により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Ｗの被処理面Ｗａと対向する位置に配される対向電極３１ａと、被処理物Ｗに接続可能な被処理物用電極３２との間に、電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】基板の全面にわたって均一な品質の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能に保持する回転保持機構と、基板に処理液を吐出する吐出口を有する洗浄液ノズルと、前記洗浄液ノズルを平面視で基板Ｗの略中心と周縁との間で移動する洗浄液ノズル用移動機構と、回転保持機構と洗浄液ノズル用移動機構を制御して、基板を回転させ、かつ、処理液供給部を移動させて、処理液供給部から吐出された処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させる制御部と、を備えている。そして、処理液を基板Ｗの全面に対して直接着液させることで、基板Ｗの全面にわたって均一な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】効率的な生産が可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液で基板Ｗを処理するための処理ユニット６と、この処理ユニット６に処理液を供給する処理液供給部２５とを含む。処理液供給部２５は、所定の大きさに統一され、処理液が流通する配管２８をそれぞれ有する複数の処理液供給モジュール２２と、複数の処理液供給モジュール２２をそれぞれ配置するための複数の配置空間が内部に設けられた流体ボックス７とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】液体流路の形状を適切なものにすることによって、噴射口からの洗浄液の噴射速度を高め、洗浄性能を向上させる。
【解決手段】ほぼ円筒状のノズルケース１２内に、セラミック製のノズルチップ１３を嵌合固定して洗浄用ノズル１１を構成する。ノズルチップ１３の中心に軸方向に延びて、先端側のストレート部１４ａと、基端側の縮径部１４ｂとからなる液体流路１４を設ける。ノズルチップ１３の先端部にＶ溝１６を形成し、その中央部に洗浄液を噴射する噴射口１７を開口させる。ストレート部１４ａの直径寸法Ｄ１と、ストレート部１４ａの軸方向の長さ寸法Ｌ１との比（Ｌ１／Ｄ１）を、７．８以上、１５以下の範囲内とする。縮径部１４ｂの軸方向に沿う断面形状を、緩やかなＲ形状とする。Ｖ溝１６の切込み角度θを、４０°以上、６５°以下の範囲内とする。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、リニア・ウエットシステムは、チャンバ内に、キャリアと近接ヘッドとを備える。近接ヘッドは、直線的に配置される３つの部分を含む。第１の部分は、キャリアによって近接ヘッドの下を半導体ウエハが移送される際に、ウエハの上部表面から液体を吸引する。第２の部分は、非ニュートン流体である洗浄泡の膜（すなわち、メニスカス）をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、近接ヘッドの下をさらにウエハが移動する際に、すすぎ流体の膜をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、第１の部分に至るまで、部分的に、第２の部分の周囲に伸長するように規定され、第３の部分と第１の部分とで、チャンバに対して洗浄泡の閉じ込め部を形成する。 （もっと読む）

【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管７１により冷却ガスが処理チャンバ１内の冷却ガス吐出ノズル３に供給される。二重配管７１は円環プレート８１に保持され、さらに円環プレート８１がベローズ８２により処理チャンバ１に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管７１のうち処理チャンバ１内でノズル３と接続された冷却ガス供給管部７１Ｂは、冷却ガス吐出ノズル３の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート８１が移動して冷却ガス吐出ノズル３との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部７１Ｂはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部７１Ｂが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部７１Ｂの移動により発生する負荷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ウエハのベベル部を良好に洗浄することのできるウエハの洗浄方法に関する技術を提供すること。
【解決手段】 ウエハＷの洗浄時に、ウエハＷをスピンチャック１１により回転させながら、上ノズル９３によりウエハＷ表面７０側のベベル部７２にその上方からシンナー等の洗浄液吐出する工程（ａ）と同時に、内カップ３４に設けられた切り欠き部３７に着脱自在に嵌合された下ノズル４０からウエハＷ裏面７１側のベベル部７２またはウエハＷの側端部からウエハの中心寄り３ｍｍ以内の部位にウエハＷの径方向外方側に向けて洗浄液を吐出することにより、ウエハＷのベベル部７２の洗浄を行う工程（ｂ）とを行い、レジスト膜８０がベベル部７２に残存することを抑えて、ベベル部７２のパーティクルの付着を防止する。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上部ノズル体が基板の上面から外れた待機位置にあるときに供給ポンプによって上部ノズル体から噴射される処理液の温度を測定する温度センサ４３と、温度センサが測定した処理液の温度が所定温度であることを検出したときにその検出に基いて上部ノズル体を基板の上方に移動させて上記処理液を噴射させる制御装置を具備する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、洗浄液３９に超音波エネルギーを与える超音波振動子と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた洗浄液を流す超音波伝搬管３７と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記超音波伝搬管の側壁に設けられ、前記保持機構によって保持された被洗浄物２１の洗浄面に前記洗浄液３９を吐出するためのスリット又は複数の穴３８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低流速で高い霧化効率を得て、微細な電気配線を有するデバイスに対してダメージを与えず、気体使用量を削減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、気体と液体を混合させて液体を基板Ｗに吐き出すことで基板を処理する基板処理装置であって、基板Ｗに対して液体を吐き出す中央通路を有する内筒３１と、内筒３１の周囲に配置されて気体を吐き出す外周リング状通路３４を有する外筒３３とを有する供給ノズル３０を備え、液体を吐き出す内筒３１の出口部４３には、出口部４３において液体を拡散するために、内筒３１の外周面側が内筒３１の内周面側に比べて、内筒３１の中心軸ＣＬに平行に突出するように傾斜する傾斜面４４が形成されており、傾斜面４４の形成角度θは、内筒３１の中心軸ＣＬに対して直交する方向に対して、０度＜形成角度θ≦３０度の範囲で形成されている。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、伝搬液１５に超音波エネルギーを与える超音波振動子１３と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた伝搬液を流す超音波伝搬管１２と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された被洗浄物の洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、を具備し、前記超音波伝搬管１２は、その側面が、前記洗浄液供給機構によって前記洗浄面に洗浄液を供給することで該洗浄面に形成される該洗浄液の液膜１９に接触するように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 一実施形態例において、半導体ウェーハ上に流体を堆積させる上部近接ヘッドは、流体を受領する送給孔を含む。上部近接ヘッドは、送給孔から流動する流体が入る多数の入力流路により送給孔に接続されたプレナムを含む。各入力流路は、任意の気泡の上方への流れを促す逆Ｖ字形開口部を有する。プレナムから、流体は、出力流路を介して上部近接ヘッドの外部へ流れ、メニスカスを形成する。この流体は、メニスカスから吸引され、戻り孔へ至る戻り流路を介して、上部近接ヘッド内へ戻される。通路は、送給孔を戻り孔に接続し、気泡が送給孔から戻り孔内へ抜けることを可能にする。通路は、プレナムを介してではなく、２つの孔の間で直接、無視できる量の流体を流動させる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、基板の表面を液滴で処理する基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の基板を液滴で処理する基板処理方法にかわって、環状の開口を形成され前記開口から気体を噴き出すことをできる治具を準備する準備工程と、基板の表面に液滴を付着させる付着工程と、基板の表面の直交方向から基板を見て基板の表面に付着した前記液滴を前記開口で囲う様に治具を保持して前記開口から基板の表面に気体を吹き付けながら前記治具を基板の表面に沿って相対移動させる走査工程と、を備える、ものとした。 （もっと読む）

【課題】基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することを目的とする。
【解決手段】基板５表面にルテニウム等の成膜処理を行った後、基板５をローラー４で保持しながら回転させ、コの字型のジグ３で基板５を挟み込み、コの字型のジグ３上部からエッチング液を供給することにより、基板裏面，基板ベベル及び外周に付着したルテニウム膜を容易に、エッチング残りなくエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板上に薄膜を供給するためのヘッドを開示する。ヘッドは、少なくとも基板の幅である第一および第二の端部間に延びる本体組立体を含む。本体は、第一および第二の端部間に画成された主ボアを含み、主ボアは、リザーバの上側に、主ボアとリザーバとの間の画成された複数の供給部を介して接続される。本体は、さらに、リザーバの下側に接続され、出口スロットへ延びる複数の出口を含む。複数の供給部は、複数の出口より大きな断面積を有し、複数の供給部は、複数の出口より数が少ない。 （もっと読む）